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本发明对于高压深Trench的MOS器件终端仿真，提出一种等效仿真模型（图1）。其特点是：由与原终端Trench等距等宽度的PN结组成，并且各部分参杂种类和浓度相同，可以大致模拟出原终端横向的崩溃电压。其好处在于：能较快找到符合要求终端的大...
该专利属于上海卓弘微系统科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海卓弘微系统科技有限公司授权不得商用。

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