用于确定激光预处理能量水平的测量方法及测量系统技术方案

本发明专利技术实施例提供一种用于确定激光预处理能量水平的测量方法及测量系统。所述方法包括：获得待处理光学元件的单脉冲损伤阈值；根据所述单脉冲损伤阈值对所述待处理光学元件进行多脉冲损伤测试，获得所述待处理光学元件的预处理能量密度范围的上限值；根据所述上限值以不同脉冲数量对所述待处理光学元件进行预处理测试，得到可产生预处理效果的预处理能量密度范围的下限值。通过上述方式可确定能够提升待处理光学元件性能的预处理能量密度范围，进而便于通过对待处理光学元件进行预辐照减小材料疵病及减小损伤前驱尺寸，从而提高对待处理光学元件的激光损伤阈值。

Measurement Method and System for Determining Energy Level of Laser Pretreatment

The embodiment of the present invention provides a measurement method and a measurement system for determining the energy level of laser preprocessing. The method includes: obtaining the single pulse damage threshold of the optical element to be processed; multi-pulse damage testing of the optical element to be processed according to the single pulse damage threshold, obtaining the upper limit value of the pre-processing energy density range of the optical element to be processed; and pre-processing testing of the optical element to be processed according to the upper limit value and the number of different pulses, obtaining the pre-processing test of the optical element to be processed. The lower limit of the energy density range of the pretreatment which can produce the effect of pretreatment. The range of pretreatment energy density which can improve the performance of the optical elements to be processed can be determined by the above way, and then the laser damage threshold of the optical elements to be processed can be increased by pre-irradiating the optical elements to be processed to reduce the material defects and the size of the damage precursor.

【技术实现步骤摘要】
用于确定激光预处理能量水平的测量方法及测量系统
本专利技术涉及激光
，具体而言，涉及一种用于确定激光预处理能量水平的测量方法及测量系统。
技术介绍
KDP(磷酸二氢钾)和DKDP(磷酸二氘钾)晶体是20世纪40年代发展起来的性能优良的无机非线性光学材料。因其具有较大的非线性光学系数、较高的激光损伤阈值、较宽的透光波段、优良的光学均匀性、易于实现相位匹配、易于生长大尺寸的单晶体等优点，在光学系统中广泛应用。在高功率激光系统中，激光诱导倍频晶体损伤已经成为限制系统功率提升的一个关键因素。因此，如何提高晶体损伤阈值是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
为了克服现有技术中的上述不足，本专利技术实施例的目的在于提供一种用于确定激光预处理能量水平的测量方法及测量系统，其能够确定能够提升待处理光学元件性能的预处理能量密度范围，进而便于通过对待处理光学元件进行预辐照减小材料疵病及减小损伤前驱尺寸，从而提高对待处理光学元件的激光损伤阈值。第一方面，本专利技术实施例提供一种用于确定激光预处理能量水平的测量方法，所述方法包括：获得待处理光学元件的单脉冲损伤阈值；根据所述单脉冲损伤阈值对所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于确定激光预处理能量水平的测量方法，其特征在于，所述方法包括：获得待处理光学元件的单脉冲损伤阈值；根据所述单脉冲损伤阈值对所述待处理光学元件进行多脉冲损伤测试，获得所述待处理光学元件的预处理能量密度范围的上限值；根据所述上限值以不同脉冲数量对所述待处理光学元件进行预处理测试，得到可产生预处理效果的预处理能量密度范围的下限值。

【技术特征摘要】
1.一种用于确定激光预处理能量水平的测量方法，其特征在于，所述方法包括：获得待处理光学元件的单脉冲损伤阈值；根据所述单脉冲损伤阈值对所述待处理光学元件进行多脉冲损伤测试，获得所述待处理光学元件的预处理能量密度范围的上限值；根据所述上限值以不同脉冲数量对所述待处理光学元件进行预处理测试，得到可产生预处理效果的预处理能量密度范围的下限值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述根据所述上限值以不同脉冲数量对所述待处理光学元件进行预处理测试，得到可产生预处理效果的预处理能量密度范围的下限值的步骤之后，所述方法还包括：采用能量密度位于所述预处理能量密度范围内的激光脉冲对所述待处理光学元件进行预辐照，以提高所述待处理光学元件的损伤阈值。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用能量密度位于所述预处理能量密度范围内的激光脉冲对所述待处理光学元件进行预辐照的方式包括：根据所述预处理能量密度范围设置用于预辐照的激光脉冲的能量密度及重复脉冲频率，并对所述待处理光学元件进行预辐照。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获得待处理光学元件的单脉冲损伤阈值的方式包括：利用1-on-1测试方式对所述待处理光学器件进行单脉冲损伤测试，以得到所述单脉冲损伤阈值。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述单脉冲损伤阈值对所述待处理光学元件进行多脉冲损伤测试，获得所述待处理光学元件的预处理能量密度范围的上限值的方式包括：利用S-on-1测试方式对所述待处理光学元件进行重复脉冲损伤测试，得到不同重复脉冲下的重复脉冲损伤阈值，并将不同重复脉冲下的重复脉冲损伤阈值中的最小重复脉冲损伤阈值作为所述预处理能量密度范围的上限值。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所根据所述上限值以不同脉冲数量对所述待处理光学元件进行预处理测试，得到可产生预处理效果的预处理能量密度范围的下限值的步骤包括：设置多个小于所述上限值的测试能量密度，并根据多个测试能量密度分别使用具有相同测试能量密度但脉冲数量不同的激光对所述待处理光学元件进行预处理；分别对预处理后的所述待处理光学元件进行1-on-1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亚国，许乔，刘志超，耿锋，金会良，欧阳升，王度，袁志刚，张清华，朱德星，王健，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心，
类型：发明
国别省市：四川,51