The invention provides a film forming device, which comprises a furnace which is internally provided with a base plate, a first heater for heating the furnace, a spray feeding device which supplies the carrier gas containing the raw material solution to the furnace, and a rectifier, which is arranged in the furnace to rectify the flow of the carrier gas containing the spray. The rectifier has a plurality of through holes to pass the carrier gas containing the spray. A plurality of through holes arranged in the rectifier extend toward the substrate disposed in the furnace.
【技术实现步骤摘要】
成膜装置
本专利技术公开的技术涉及成膜装置。
技术介绍
已知一种称为雾化CVD(ChemicalVaporDeposition)的成膜方法。在雾化CVD中，将雾化后的原料溶液与载气一起向基板供给。被供给到基板的原料溶液的喷雾在已加热的基板上产生化学反应，从而在基板上形成膜。关于雾化CVD，例如在日本特开2007-254869号公报中进行了记载。已知一种作为雾化CVD的一个方式的成膜方法，其通过在已加热的炉内配置基板，将含有原料溶液的喷雾在内的载气供给至该炉内，从而在基板上形成膜。在该成膜方法中，由于在基板的整个表面上同时形成膜，所以能够在短时间内进行较大范围的成膜。另一方面，在已加热的炉内，供给来的喷雾容易汽化，有时会在炉内发生由该汽化引起的对流。如果发生上述对流，则炉内的载气的流动会发生紊乱，其结果使得在基板上形成的膜的均匀性降低。鉴于该问题，本专利技术提供一种用于抑制炉内的载气的流动的技术。
技术实现思路
本技术具体实现于用于在基板上形成膜的成膜装置中。该成膜装置具有：炉，其内配置基板；第一加热器，其对炉进行加热；喷雾供给装置，其将含有膜的原料溶液的喷雾在内的载气...
【技术保护点】
1.一种成膜装置，其在基板上形成膜，其特征在于，具有：炉，其内配置所述基板；第一加热器，其对所述炉进行加热；喷雾供给装置，其将含有所述膜的原料溶液的喷雾在内的载气供给至所述炉内；以及整流器，其配置在所述炉内，对含有所述喷雾的所述载气的流动进行整流，所述整流器具有使含有所述喷雾的所述载气通过的多个通孔。所述多个通孔朝向配置在所述炉内的所述基板延伸。
【技术特征摘要】
2017.06.23 JP 2017-1235931.一种成膜装置，其在基板上形成膜，其特征在于，具有：炉，其内配置所述基板；第一加热器，其对所述炉进行加热；喷雾供给装置，其将含有所述膜的原料溶液的喷雾在内的载气供给至所述炉内；以及整流器，其配置在所述炉内，对含有所述喷雾的所述载气的流动进行整流，所述整流器具有使含有所述喷雾的所述载气通过的多个通孔。所述多个通孔朝向配置在所述炉内的所述基板延伸。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述整...
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