【技术实现步骤摘要】
一种射频开关ESD系统
本专利技术涉及射频开关电路
,特别是涉及一种射频开关ESD(Electro-Staticdischarge,静电释放)系统。
技术介绍
传统射频开关ESD系统中射频电路部分主要依靠射频支路达到ESD设计要求,如图1所示,开关支路KS1、KS2和KP1、KP2为射频开关系统的射频电路,用于射频信号的传输,同时兼做RFESD电路以节省面积,通常并联开关支路KP1、KP2为7-14级(stacks)MOS开关层叠形成以满足功率要求,而串联开关支路KS1、KS2为12-14级(stacks)MOS开关层叠形成以满足功率要求,焊盘Pad1-Pad2为电源VDD接点,焊盘Pad3-Pad4为地GND接点,焊盘Pad5-Pad6为射频接点,焊盘Pad7为天线ANT接点,在电源VDD和地GND间接有ESD模块(ESDBlock)。射频电路部分存在两个ESD泻放路径:途径焊盘Pad5、并联开关KP1和焊盘Pad3的主ESD路径(MainESDPath)以及途径焊盘Pad5、串联开关KS1、KS2、并联开关KP2和焊盘Pad3的副ESD路径(SubESD ...
【技术保护点】
1.一种射频开关ESD系统,包括控制模块、滤波器、射频模块及ESD设计,其特征在于:于所述射频模块的天线‑射频地增加正反双向RF ESD泄放通路,以降低射频开关器件ESD通路间开启电压差。
【技术特征摘要】
1.一种射频开关ESD系统,包括控制模块、滤波器、射频模块及ESD设计,其特征在于:于所述射频模块的天线-射频地增加正反双向RFESD泄放通路,以降低射频开关器件ESD通路间开启电压差。2.如权利要求1所述的一种射频开关ESD系统,其特征在于:所述正反双向RFESD泄放通路为天线端口并联至射频地的满足功率约束的常关断射频开关支路。3.如权利要求1所述的一种射频开关ESD系统,其特征在于:所述正反双向RFESD泄放通路为满足RF功率要求的二极管或MOSESD设计。4.如权利要求1所述的一种射频开关ESD系统,其特征在于:于射频模块中,开关支路KS1、KS2和KP1、KP2为射频开关系统的射频支路,焊盘Pad1-Pad2为电源VDD接点,焊盘Pad3-Pad4为射频地RFGND接点,焊盘Pad5-Pad6为射频接点,焊盘Pad7为天线ANT接点,在电源VDD和射频地RFGND间接有ESD模块在焊盘Pad7与射频地RFGND间接有所述所述正反双向RFESD泄放通路。5.如权利要求4所述的一种射频开关ESD系统,其特征在于:所述射频模块中并联开关支路KP1、KP2为7-14级MOS开关层叠形成以满足功率要求,...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴若凡,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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