【技术实现步骤摘要】
成像装置、成像系统、移动体以及用于制造成像装置的方法
实施例的方面涉及成像装置、成像系统、移动体以及用于制造成像装置的方法。
技术介绍
WO2011/043432和日本未审查专利申请公开(PCT申请的翻译)No.2008-511176各自讨论了包括多个像素的成像装置。每个像素包括光电转换单元、用于接收从光电转换单元传输的电荷的电荷保持单元以及用于接收从电荷保持单元传输的电荷的浮置扩散单元。该成像装置可以实现同时对所有像素累积电荷的快门操作。这种操作被称为全局电子快门操作。
技术实现思路
根据示例性实施例的方法是用于制造成像装置的方法，所述成像装置包括：第一导电类型的光电转换单元，第一导电类型的电荷保持单元，所述电荷保持单元被配置为保持从所述光电转换单元传输的电荷，第一导电类型的浮置扩散单元，所述浮置扩散单元被配置为接收从电荷保持单元传输的电荷，以及第二导电类型的击穿防止层，所述击穿防止层被设置在所述电荷保持单元和所述浮置扩散单元之间以与所述浮置扩散单元接触。所述方法包括：通过使用具有第一开口的第一掩模以第一注入能量将第一杂质注入到半导体基板中来形成击穿防止层；和使用第...
【技术保护点】
1.一种用于制造成像装置的方法，其特征在于，所述成像装置包括：第一导电类型的光电转换单元，第一导电类型的电荷保持单元，所述电荷保持单元被配置为保持从所述光电转换单元传输的电荷，第一导电类型的浮置扩散单元，所述浮置扩散单元被配置为接收从所述电荷保持单元传输的电荷，以及第二导电类型的击穿防止层，所述击穿防止层被设置在所述电荷保持单元和所述浮置扩散单元之间以与所述浮置扩散单元接触，所述方法包括：通过使用具有第一开口的第一掩模以第一注入能量将第一杂质注入到半导体基板中来形成所述击穿防止层；和使用所述第一掩模以比第一注入能量低的第二注入能量将与所述第一杂质的导电类型不同的导电类型相对...
【技术特征摘要】
2017.06.20 JP 2017-1207651.一种用于制造成像装置的方法，其特征在于，所述成像装置包括：第一导电类型的光电转换单元，第一导电类型的电荷保持单元，所述电荷保持单元被配置为保持从所述光电转换单元传输的电荷，第一导电类型的浮置扩散单元，所述浮置扩散单元被配置为接收从所述电荷保持单元传输的电荷，以及第二导电类型的击穿防止层，所述击穿防止层被设置在所述电荷保持单元和所述浮置扩散单元之间以与所述浮置扩散单元接触，所述方法包括：通过使用具有第一开口的第一掩模以第一注入能量将第一杂质注入到半导体基板中来形成所述击穿防止层；和使用所述第一掩模以比第一注入能量低的第二注入能量将与所述第一杂质的导电类型不同的导电类型相对应的第二杂质注入到所述半导体基板中。2.根据权利要求1所述的方法，还包括通过使用具有第二开口的第二掩模将杂质注入到所述半导体基板中来形成所述电荷保持单元，其中所述第一开口的位置和所述第二开口的位置彼此远离。3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：通过将所述第二杂质注入到所述半导体基板中来在所述击穿防止层与所述半导体基板的表面之间形成第一导电类型的传输辅助层，其中第一导电类型的半导体区域从所述电荷保持单元连续到所述传输辅助层。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述击穿防止层以及将所述第二杂质注入到所述半导体基板中之后，形成用于将电荷从所述电荷保持单元传输到所述浮置扩散单元的传输晶体管的传输栅极电极，其中所述击穿防止层被形成在所述传输栅极电极的下方。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述光电转换单元和所述电荷保持单元之间形成第二导电类型的第二击穿防止层，以被设置为与所述电荷保持单元接触。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一掩模具有第三开口，并且其中所述第二击穿防止层是通过经由所述第三开口将杂质注入到所述半导体基板中而形成的。7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述电荷保持单元的下方形成第二导电类型的耗尽抑制单元，其中所述击穿防止层被形成为比所述耗尽抑制单元更靠近所述半导体基板的表面。8.一种成像装置，其特征在于，所述成像装置包括：第一导电类型的光电转换单元；第一导电类型的电荷保持单元，所述电荷保持单元被配置为保持从所述光电转换单元传输的电荷；第一导电类型的浮置扩散单元，所述浮置扩散单元被配置为接收从所述电荷保持单元传输的电荷；第二导电类型的击穿防止层，所述击穿防止层被设置在所述电荷保持单元和所述浮置扩散单元之间以与所述浮...
【专利技术属性】
技术研发人员：小林昌弘，关根宽，大贯裕介，小泉彻，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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