集成电路及具有经改进ASK解调的应答器电路制造技术

本发明专利技术大体上涉及集成电路及具有经改进ask解调的应答器电路。揭示的实例包含RF应答器电路(100)，其具有：信号输入节点(106、108)；整流器电路(110)，其具有功率晶体管及电流镜电路(131)以生成整流器镜电流信号(k1*Ichg)；限制器电路(109)，其具有限制器晶体管及电流镜电路(132)以生成限制器镜电流信号(k2*Ilim)；及解调器电路(130)，其根据所述整流器及限制器镜电流信号(k1*Ichg、k2*Ilim)解调在所述信号输入节点(106、108)处接收到的移幅键控ASK RF信号(LFa、LFb)，以生成表示在所述RF信号(LFa、LFb)中存在或缺少阈值量的能量的二进制解调器数据信号(DEMOD DATA)。

【技术实现步骤摘要】
集成电路及具有经改进ASK解调的应答器电路相关申请案的参考本申请案涉及与本申请案(代理人档案号码TI-77298)同时申请的标题为“集成电路及具有用于3D应答器上行链路调制的共享调制电容器的应答器电路(INTEGRATEDCIRCUITSANDTRANSPONDERCIRCUITRYWITHSHAREDMODULATIONCAPACITORFOR3DTRANSPONDERUPLINKMODULATION)”、专利技术者署名为恩斯特·乔治·穆勒(ErnstGeorgMuellner)的共同拥有及共同指派的第号美国专利申请案，所述美国专利申请案特此以全文引用方式并入本文中。
本专利技术大体上涉及无线电接收器及发射器，且更特定来说，涉及多信道射频识别(RFID)应答器及系统。
技术介绍
RFID应答器通常是小型装置，其可包含用于对内部电路供电的电池，但通常使用可从由RFID读取器生成的RF场采集的能量进行操作。低功率应答器通常以零内部功率开始操作且使用通过应答器天线接收到的能量生成内部供应功率。在操作中，应答器从读取器接收特定RF信号，且通过发射具有可由读取器检测到的具体特性的RF信号来做本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应答器电路，其包括：信号输入节点对，其从相关联应答器天线电路接收射频RF信号，所述信号输入节点对包含第一信号输入节点及第二信号输入节点；整流器电路，其包含：整流器功率晶体管，其连接到所述第一及第二信号输入节点中的一者以选择性地传导整流器电流来从在所述信号输入节点对处接收到的所述RF信号生成或维持供应电压，及整流器电流镜晶体管，其连接到所述整流器功率晶体管以形成整流器电流镜电路来生成与所述整流器电流成比例的整流器镜电流信号；限制器电路，其包含：限制器功率晶体管，其连接到所述第一及第二信号输入节点中的一者以在所述整流器晶体管不传导时选择性地传导对应于所述RF信号的限制器电流来限制所述信号输...

【技术特征摘要】
2017.03.15 US 15/459,7381.一种应答器电路，其包括：信号输入节点对，其从相关联应答器天线电路接收射频RF信号，所述信号输入节点对包含第一信号输入节点及第二信号输入节点；整流器电路，其包含：整流器功率晶体管，其连接到所述第一及第二信号输入节点中的一者以选择性地传导整流器电流来从在所述信号输入节点对处接收到的所述RF信号生成或维持供应电压，及整流器电流镜晶体管，其连接到所述整流器功率晶体管以形成整流器电流镜电路来生成与所述整流器电流成比例的整流器镜电流信号；限制器电路，其包含：限制器功率晶体管，其连接到所述第一及第二信号输入节点中的一者以在所述整流器晶体管不传导时选择性地传导对应于所述RF信号的限制器电流来限制所述信号输入节点对的电压，及限制器电流镜晶体管，其连接到所述限制器功率晶体管以形成限制器电流镜电路来生成与所述限制器电流成比例的限制器镜电流信号；及解调器电路，其接收所述整流器镜电流信号及所述限制器镜电流信号，所述解调器电路经配置以基于所述整流器镜电流信号及所述限制器镜电流信号生成二进制解调器数据信号，所述二进制解调器数据信号表示在所述信号输入节点对处接收到的所述RF信号中存在或缺少阈值量的能量。2.根据权利要求1所述的应答器电路，其中所述解调器电路包含：第一比较器电路，其生成第一比较器输出信号，所述第一比较器输出信号在所述整流器镜电流信号大于第一阈值电流时具有第一状态且在所述整流器镜电流信号小于或等于所述第一阈值电流时具有第二状态；第二比较器电路，其生成第二比较器输出信号，所述第二比较器输出信号在所述限制器镜电流信号大于第二阈值电流时具有第一状态且在所述限制器镜电流信号小于或等于所述第二阈值电流时具有第二状态；及逻辑电路，其在所述第一及第二比较器输出信号中的任一者处于所述第一状态时生成呈第一状态的所述解调器数据信号以指示在所述RF信号中存在所述阈值量的能量，且在所述第一及第二比较器输出信号两者都处于所述第二状态时生成呈第二状态的所述解调器数据信号以指示在所述RF信号中缺少所述阈值量的能量。3.根据权利要求2所述的应答器电路，其进一步包括：多个应答器信道电路，其个别地包含：信号输入节点对，其从相关联应答器天线电路接收射频信号，所述个别信号输入节点对包含第一信号输入节点及第二信号输入节点，整流器电路，其包含：整流器功率晶体管，其连接到所述第一及第二信号输入节点中的一者以选择性地传导整流器电流来从在所述信号输入节点对处接收到的所述RF信号生成或维持供应电压，及整流器电流镜晶体管，其连接到所述整流器电组件以形成第一电流镜电路来生成与所述整流器电流成比例的整流器镜电流信号，及限制器电路，其包含：限制器功率晶体管，其连接到所述第一及第二信号输入节点中的一者以在所述整流器晶体管不传导时选择性地传导对应于所述RF信号的限制器电流来限制所述信号输入节点对的电压，及限制器电流镜晶体管，其连接到所述限制器晶体管以形成第二电流镜电路来生成与所述限制器电流成比例的限制器镜电流信号；且其中所述解调器电路基于来自所述个别应答器信道电路的所述整流器镜电流信号及所述限制器镜电流信号生成所述解调器数据信号。4.根据权利要求3所述的应答器电路，其进一步包括信道选择电路，所述信道选择电路包含：加法电路，其加总所述整流器镜电流信号与所述限制器镜电流信号以针对所述个别应答器信道电路中的每一者创建场强度信号；第三比较器电路，其比较对应于第一及第二应答器信道电路的所述场强度信号，及生成第三比较器输出信号，所述第三比较器输出信号在对应于所述第一应答器信道电路的所述场强度信号大于对应于所述第二应答器信道电路的所述场强度信号时具有第一状态，且在对应于所述第一应答器信道电路的所述场强度信号小于或等于对应于所述第二应答器信道电路的所述场强度信号时具有第二状态；及逻辑电路，其具有输出以生成信道选择信号来选择所述应答器信道电路中的特定一者用于发射上行链路数据。5.根据权利要求4所述的应答器电路，其进一步包括调制电容器电路，所述调制电容器电路包含：调制电容器，其包含第一电容器节点及第二电容器节点；及信道切换电路，其根据所述信道选择信号选择性地将所述调制电容器的所述电容器节点连接到所述应答器信道电路中的所选择的一者。6.根据权利要求3所述的应答器电路，其进一步包括：信道选择电路，其基于来自所述个别应答器信道电路的所述整流器镜电流信号及所述限制器镜电流信号生成信道选择信号，所述信道选择信号指示所述应答器信道电路中具有接收到的最高场强度的特定一者；调制电容器，其包含第一电容器节点及第二电容器节点；及信道切换电路，其根据所述信道选择信号选择性地将所述调制电容器的所述第一及第二电容器节点连接到所述应答器信道电路中的所述特定一者。7.根据权利要求1所述的应答器电路，其中所述整流器电路是全桥整流器，其包含：第一半桥整流器电路，其包含：第一上晶体管，其连接于第一供应节点与所述第一信号输入节点之间，二极管连接的第一下晶体管，其连接于所述第一信号输入节点与第二供应节点之间以选择性地传导第一整流器电流，及第一整流器电流镜晶体管，其连接到所述第一下晶体管以形成第一整流器电流镜电路来生成与所述第一整流器电流成比例的第一整流器镜电流信号，及第二半桥整流器电路，其包含：第二上晶体管，其连接于所述第一供应节点与所述第二信号输入节点之间，二极管连接的第二下晶体管，其连接于所述第二信号输入节点与所述第二供应节点之间以选择性地传导第二整流器电流，及第二整流器电流镜晶体管，其连接到所述第二下晶体管以形成第二整流器电流镜电路来生成与所述第二整流器电流成比例的第二整流器镜电流信号；且其中所述解调器电路经配置以基于所述第一及第二整流器镜电流信号及所述限制器镜电流信号生成所述解调器数据信号。8.根据权利要求7所述的应答器电路，其中所述第一及第二下晶体管是具有连接到所述第二供应节点的漏极及栅极端子的二极管连接的NMOS晶体管。9.根据权利要求7所述的应答器电路，其中所述限制器电路包含：第一限制器功率晶体管，其耦合于所述第一供应节点与所述第一信号输入节点之间以选择性地传导第一限制器电流，第一限制器电流镜晶体管，其连接到所述第一限制器功率晶体管以形成第一限制器电流镜电路来生成与所述第一限制器电流成比例的第一限制器镜电流信号，第二限制器功率晶体管，其耦合于所述第一供应节点与所述第二信号输入节点之间以选择性地传导第二限制器电流，及第二限制器电流镜晶体管，其连接到所述第二限制器功率晶体管以形成第二限制器电流镜电路来生成与所述第二限制器电流成比例的第二限制器镜电流信号；其中所述解调器电路经配置以基于所述第一及第二整流器镜电流信号及所述第一及第二限制器镜电流信号生成所述解调器数据信号。10.根据权利要求1所述的应答器电路，其中所述限制器电路包含：第一限制器功率晶体管，其耦合于第一供应节点与所述第一信号输入节点之间以选择性地传导第一限制器电流，第一限制器电流镜晶体管，其连接到所述第一限制器功率晶体管以形成第一限制器电流镜电路来生成与所述第一限制器电流成比例的第一限制器镜电流信号，第二限制器功率晶体管，其耦合于所述第一供应节点与所述第二信号输入节点之间以选择性地传导第二限制器电流，及第二限制器电流镜晶体管，其连接到所述第二限制器功率晶体管以形成第二限制器电流镜电路来生成与所述第二限制器电流成比例的第二限制器镜电流信号；其中所述解调器电路经配置以基于所述整流器镜电流信号及所述第一及第二限制器镜电流信号生成所述解调器数据信号。11.根据权利要求10所述的应答器电路，其中所述第一及第二限制器功率晶体管是PMOS晶体管。12.一种集成电路IC，其包括：信号输入节点对，其从相关联应答器天线电路接收射频RF信号，所述信号输入节点对包含第一信号输入节点及第二信号输入节点；外部可存取的第一端子，其连接到所述第一信号输入节点；外部可存取的第二端子，其连接到所述第二信号输入节点；整流器电路，其从在所述信号输入节点对处接收到的所述RF信号生成供应电压，所述整流器电路包...

【专利技术属性】
技术研发人员：恩斯特·乔治·米尔纳，
申请(专利权)人：德州仪器德国股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE