【技术实现步骤摘要】
温度控制装置
本专利技术涉及一种温度控制装置，其由电子元件构成。
技术介绍
现有的温度控制装置的结构一般包括温度传感器、比较器、开关元件，温度传感器对温度进行检测，检测到的温度信号通过比较器与一设定值进行比较，当温度信号等于或大于设定值时开关元件切断电源，电热器停止加热，当当温度信号小于设定值时开关元件接通电源，电热器加热。其不足之处是，温度只能在一定范围内稳定，不能满足恒温要求较高的场合。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提出一种温度控制装置，该温度控制装置具有较高的控制精度，温度波动范围较小。本专利技术的技术方案是，一种温度控制装置，其包括同步信号形成单元、温度检测单元、比较单元、双向可控硅驱动单元、电热器；其特征是，所述的同步信号形成单元包括变压器B1、桥式整流器QL1、三极管T1,变压器B1的初级线圈与市电连接，变压器B1的次级线圈与桥式整流器QL1的输入端连接，桥式整流器QL1输出端的正极通过电阻R1接三极管T1的基极，三极管T1的基极通过电阻R8接地，三极管T1的集电极接地，三极管T1的发射极接三极管T2的集电极；所述的温度检测单元包括正温度系...
【技术保护点】
1.一种温度控制装置，其包括同步信号形成单元、温度检测单元、比较单元、双向可控硅驱动单元、电热器；其特征是，所述的同步信号形成单元包括变压器B1、桥式整流器QL1、三极管T1, 变压器B1的初级线圈与市电连接，变压器B1的次级线圈与桥式整流器QL1的输入端连接，桥式整流器QL1输出端的正极通过电阻R1接三极管T1的基极，三极管T1的基极通过电阻R8接地，三极管T1的集电极接地，三极管T1的发射极接三极管T2的集电极；所述的温度检测单元包括正温度系数的热敏电阻RT、三极管T2、电容C2，热敏电阻RT的一端接三极管T2的基极，热敏电阻RT的另一端接地，三极管T2的基极通过可变电...
【技术特征摘要】
1.一种温度控制装置，其包括同步信号形成单元、温度检测单元、比较单元、双向可控硅驱动单元、电热器；其特征是，所述的同步信号形成单元包括变压器B1、桥式整流器QL1、三极管T1,变压器B1的初级线圈与市电连接，变压器B1的次级线圈与桥式整流器QL1的输入端连接，桥式整流器QL1输出端的正极通过电阻R1接三极管T1的基极，三极管T1的基极通过电阻R8接地，三极管T1的集电极接地，三极管T1的发射极接三极管T2的集电极；所述的温度检测单元包括正温度系数的热敏电阻RT、三极管T2、电容C2，热敏电阻RT的一端接三极管T2的基极，热敏电阻RT的另一端接地，三极管T2的基极通过可变电阻R2接稳压电源VDD，三极管T2的发射极通过电阻R3接稳压电源VDD，三极管T2的集电极通过电容C2接地；所述的比较单元包括比较器A1，比较器A1的同相输入端接三极管T2的集电极，比...
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