一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法及装置，其中方法包括：获取待测压接型IGBT器件在短路失效状态下的第一电压和第一电流，第一电压为待测压接型IGBT器件的集电极与发射极之间的电压，第一电流为待测压接型IGBT器件的集电极电流；根据第一电压和第一电流，计算待测压接型IGBT器件在短路失效状态下的失效电阻；在待测IGBT器件发生短路失效后的预设时间内获取失效电阻的变化率；根据失效电阻的变化率确定待测压接型IGBT器件的短路失效特性。本发明专利技术通过短路失效测试可以确定出待测压接型IGBT器件的失效电阻的电阻变化率，进而可以评估待测压接型IGBT器件的短路失效特性，可实现待测压接型IGBT器件投入到电力系统中进行可靠运行，并可以增强其使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法及装置
本专利技术涉及电力电子器件测试
，具体涉及一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法及装置。
技术介绍
IGBT器件(InsulatedGateBipolarTransistor)，又称绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,而压接型IGBT器件是通过采用压接封装形式对IGBT器件进行封装，将芯片、钼片、金属电极等，通过机械压力压接在一起，从而实现器件内部的低杂散电感、低热阻以及器件的高功率密度等特点。压接型IGBT器件在工作的过程中，如果发生意外故障，由于压接型IGBT器件的外表面承受巨大的机械压力，因故障的存在容易造成压接型IGBT器件进一步产生短路失效故障，进而加大压接型IGBT器件的故障程度，又因为短路失效造成压接型IGBT器件的工作电流急剧增加，进而使得压接型IGBT器件的电阻值增大，如果该电阻值长期处于较大的状态，导致压接型IGBT器件完全发生开路，无法继续使用，并且如果不能及时发现压接型IGBT器件发生短路失效以及压接型IGBT器件短路失效后的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法，其特征在于，包括如下步骤：获取待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的第一电压和第一电流，所述第一电压为所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极之间的电压，所述第一电流为所述待测压接型IGBT器件的集电极电流；根据所述第一电压和所述第一电流，计算所述待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的失效电阻；在所述待测IGBT器件发生所述短路失效后的预设时间内获取所述失效电阻的变化率；根据所述失效电阻的变化率确定所述待测压接型IGBT器件的短路失效特性。

【技术特征摘要】
1.一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法，其特征在于，包括如下步骤：获取待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的第一电压和第一电流，所述第一电压为所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极之间的电压，所述第一电流为所述待测压接型IGBT器件的集电极电流；根据所述第一电压和所述第一电流，计算所述待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的失效电阻；在所述待测IGBT器件发生所述短路失效后的预设时间内获取所述失效电阻的变化率；根据所述失效电阻的变化率确定所述待测压接型IGBT器件的短路失效特性。2.根据权利要求1所述的短路失效测试方法，其特征在于，所述获取待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的第一电压和第一电流的步骤之前还包括，在预设测试环境中通过高压电容使得所述待测压接型IGBT器件的所述第一电压与所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极所在闭合回路中的直流母线电压相等；在所述预设测试环境中通过驱动器件控制所述待测压接型IGBT器件的第二电压使得所述待测压接型IGBT器件击穿达到所述短路失效状态，所述第二电压为所述待测压接型IGBT器件的栅极与发射极之间的开通电压。3.根据权利要求2所述的短路失效测试方法，其特征在于，所述预设测试环境为特定温度下的密闭防爆空间。4.根据权利要求3所述的短路失效测试方法，其特征在于，所述获取待测压接型IGBT器件的第一电压与第一电流通过直流电流源为所述待测压接型IGBT器件的发射极与集电极的所在闭合回路提供额定工作电流。5.根据权利要求2所述的短路失效测试方法，其特征在于，其特征在于，所述高压电容通过预先计算其电参数使其满足所述短路失效的工作条件。6.一种压接型...

【专利技术属性】
技术研发人员：张朋，唐新灵，石浩，田丽纷，王亮，李现兵，张喆，武伟，林仲康，韩荣刚，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11