一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法及装置，其中方法包括：获取待测压接型IGBT器件在短路失效状态下的第一电压和第一电流，第一电压为待测压接型IGBT器件的集电极与发射极之间的电压，第一电流为待测压接型IGBT器件的集电极电流；根据第一电压和第一电流，计算待测压接型IGBT器件在短路失效状态下的失效电阻；在待测IGBT器件发生短路失效后的预设时间内获取失效电阻的变化率；根据失效电阻的变化率确定待测压接型IGBT器件的短路失效特性。本发明专利技术通过短路失效测试可以确定出待测压接型IGBT器件的失效电阻的电阻变化率，进而可以评估待测压接型IGBT器件的短路失效特性，可实现待测压接型IGBT器件投入到电力系统中进行可靠运行，并可以增强其使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法及装置
本专利技术涉及电力电子器件测试
，具体涉及一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法及装置。
技术介绍
IGBT器件(InsulatedGateBipolarTransistor)，又称绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,而压接型IGBT器件是通过采用压接封装形式对IGBT器件进行封装，将芯片、钼片、金属电极等，通过机械压力压接在一起，从而实现器件内部的低杂散电感、低热阻以及器件的高功率密度等特点。压接型IGBT器件在工作的过程中，如果发生意外故障，由于压接型IGBT器件的外表面承受巨大的机械压力，因故障的存在容易造成压接型IGBT器件进一步产生短路失效故障，进而加大压接型IGBT器件的故障程度，又因为短路失效造成压接型IGBT器件的工作电流急剧增加，进而使得压接型IGBT器件的电阻值增大，如果该电阻值长期处于较大的状态，导致压接型IGBT器件完全发生开路，无法继续使用，并且如果不能及时发现压接型IGBT器件发生短路失效以及压接型IGBT器件短路失效后的特性，将影响电力系统运行的可靠性。
技术实现思路
因此，本专利技术实施例要解决的技术问题在于现有技术因压接型IGBT器件在工作的过程中发生短路失效故障后不能及时发现压接型IGBT器件发生短路失效以及压接型IGBT器件短路失效后的特性，将影响电力系统运行的可靠性。为此，本专利技术实施例提供了如下技术方案：本专利技术提供一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法，包括如下步骤：获取待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的第一电压和第一电流，所述第一电压为所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极之间的电压，所述第一电流为所述待测压接型IGBT器件的集电极电流；根据所述第一电压和所述第一电流，计算所述待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的失效电阻；在所述待测IGBT器件发生所述短路失效后的预设时间内获取所述失效电阻的变化率；根据所述失效电阻的变化率确定所述待测压接型IGBT器件的短路失效特性。可选地，所述获取待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的第一电压和第一电流的步骤之前还包括，在预设测试环境中通过高压电容使得所述待测压接型IGBT器件的所述第一电压与所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极所在闭合回路中的直流母线电压相等；在所述预设测试环境中通过驱动器件控制所述待测压接型IGBT器件的第二电压使得所述待测压接型IGBT器件击穿达到所述短路失效状态，所述第二电压为所述待测压接型IGBT器件的栅极与发射极之间的开通电压。可选地，所述预设测试环境为特定温度下的密闭防爆空间。可选地，所述获取待测压接型IGBT器件的第一电压与第一电流通过直流电流源为所述待测压接型IGBT器件的发射极与集电极的所在闭合回路提供额定工作电流。可选地，所述高压电容通过预先计算其电参数使其满足所述短路失效的工作条件。本专利技术实施例提供一种压接型IGBT器件的短路失效测试装置，包括：第一获取模块，用于获取待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的第一电压和第一电流，所述第一电压为所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极之间的电压，所述第一电流为所述待测压接型IGBT器件的集电极电流；计算模块，用于根据所述第一电压和所述第一电流，计算所述待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的失效电阻；第二获取模块，用于在所述待测IGBT器件发生所述短路失效后的预设时间内获取所述失效电阻的变化率；确定模块，用于根据所述失效电阻的变化率确定所述待测压接型IGBT器件的短路失效特性。可选地，所述的短路失效测试装置，还包括，失效处理模块，用于在预设测试环境中通过高压电容使得所述待测压接型IGBT器件的所述第一电压与所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极所在闭合回路中的直流母线电压相等；驱动控制模块，用于在所述预设测试环境中通过驱动器件控制所述待测压接型IGBT器件的第二电压使得所述待测压接型IGBT器件击穿达到所述短路失效状态，所述第二电压为所述待测压接型IGBT器件的栅极与发射极之间的开通电压。可选地，所述预设测试环境为特定温度下的密闭防爆空间。本专利技术实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，该指令被处理器执行时实现所述的短路失效测试方法的步骤。本专利技术实施例提供一种压接型IGBT器件的短路失效测试设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现所述的短路失效测试方法的步骤。本专利技术实施例技术方案，具有如下优点：本专利技术提供一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法及装置，其中方法包括：获取待测压接型IGBT器件在短路失效状态下的第一电压和第一电流，第一电压为待测压接型IGBT器件的集电极与发射极之间的电压，第一电流为待测压接型IGBT器件的集电极电流；根据第一电压和第一电流，计算待测压接型IGBT器件在短路失效状态下的失效电阻；在待测IGBT器件发生短路失效后的预设时间内获取失效电阻的变化率；根据失效电阻的变化率确定待测压接型IGBT器件的短路失效特性。本专利技术通过短路失效测试可以确定出待测压接型IGBT器件的失效电阻的电阻变化率，进而可以评估待测压接型IGBT器件的短路失效特性，可实现待测压接型IGBT器件投入到电力系统中进行可靠运行，并可以增强其使用寿命。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例1中压接型IGBT器件的短路失效测试方法的第一流程图；图2为本专利技术实施例1中压接型IGBT器件的第一电路图；图3为本专利技术实施例1中压接型IGBT器件的短路失效测试方法的第二流程图；图4为本专利技术实施例1中压接型IGBT器件的第二电路图；图5为本专利技术实施例2中压接型IGBT器件的短路失效测试装置的第一结构框图；图6为本专利技术实施例2中压接型IGBT器件的短路失效测试装置的第二结构框图；图7为本专利技术实施例4中压接型IGBT器件的短路失效测试设备的硬件示意图。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法，其特征在于，包括如下步骤：获取待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的第一电压和第一电流，所述第一电压为所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极之间的电压，所述第一电流为所述待测压接型IGBT器件的集电极电流；根据所述第一电压和所述第一电流，计算所述待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的失效电阻；在所述待测IGBT器件发生所述短路失效后的预设时间内获取所述失效电阻的变化率；根据所述失效电阻的变化率确定所述待测压接型IGBT器件的短路失效特性。

【技术特征摘要】
1.一种压接型IGBT器件的短路失效测试方法，其特征在于，包括如下步骤：获取待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的第一电压和第一电流，所述第一电压为所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极之间的电压，所述第一电流为所述待测压接型IGBT器件的集电极电流；根据所述第一电压和所述第一电流，计算所述待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的失效电阻；在所述待测IGBT器件发生所述短路失效后的预设时间内获取所述失效电阻的变化率；根据所述失效电阻的变化率确定所述待测压接型IGBT器件的短路失效特性。2.根据权利要求1所述的短路失效测试方法，其特征在于，所述获取待测压接型IGBT器件在所述短路失效状态下的第一电压和第一电流的步骤之前还包括，在预设测试环境中通过高压电容使得所述待测压接型IGBT器件的所述第一电压与所述待测压接型IGBT器件的集电极与发射极所在闭合回路中的直流母线电压相等；在所述预设测试环境中通过驱动器件控制所述待测压接型IGBT器件的第二电压使得所述待测压接型IGBT器件击穿达到所述短路失效状态，所述第二电压为所述待测压接型IGBT器件的栅极与发射极之间的开通电压。3.根据权利要求2所述的短路失效测试方法，其特征在于，所述预设测试环境为特定温度下的密闭防爆空间。4.根据权利要求3所述的短路失效测试方法，其特征在于，所述获取待测压接型IGBT器件的第一电压与第一电流通过直流电流源为所述待测压接型IGBT器件的发射极与集电极的所在闭合回路提供额定工作电流。5.根据权利要求2所述的短路失效测试方法，其特征在于，其特征在于，所述高压电容通过预先计算其电参数使其满足所述短路失效的工作条件。6.一种压接型...

【专利技术属性】
技术研发人员：张朋，唐新灵，石浩，田丽纷，王亮，李现兵，张喆，武伟，林仲康，韩荣刚，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11