一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法技术

本发明专利技术涉及一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将表面具有金属单质铋薄膜的基底材料，水平放置于含有卤化甲氨的反应釜内胆中，在惰性气氛、密封条件下，180‑250℃控温反应，即可在基底材料表面原位制得铋基非铅钙钛矿Bi2(CH3NH3)3X9半导体光电薄膜材料，X为Cl，Br，I中的一种或两种的组合。本发明专利技术可大面积制备Bi2(CH3NH3)3X9半导体薄膜，操作简单，制备的Bi2(CH3NH3)3X9半导体薄膜结晶性好，结构性能稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法
：本专利技术属于材料化学
，尤其涉及一种大面积制备Bi2(CH3NH3)3X9半导体光电薄膜材料的化学方法。
技术介绍
：近几年来，有机无机杂化铅卤化物钙钛矿太阳能电池发展迅速，其光电转化效率已从2009年的3.8％快速增加到现在的22.1％。有机无机铅卤化物钙钛矿具有许多优异的光学性能，如合适的带隙、高载流子迁移率、高吸收系数，既可作空穴传输材料又可以作电子传输材料等，使其成为太阳能电池的优异光吸收材料。尽管这种卤化铅钙钛矿太阳能电池的功率转换效率呈直线上升，但是人们也注意到传统有机无机杂化的钙钛矿太阳能电池仍然存在很多缺点。首先传统钙钛矿材料含重金属铅，对环境和人体都产生了很大的危害；其次在空气，湿度，光和电场的影响下钙钛矿在器件和结构上面表现出极其的不稳定性。这些缺点严重地限制了其商业化的进程。最近，人们试图用Sn等替代品来替代有毒金属Pb，与Pb基钙钛矿相比，它的带隙小，会产生非常高的短路电流密度，然而在空气条件下Sn基钙钛矿的稳定性非常差，因而Sn基钙钛矿也并不是优良的光电材料。其他不含Pb的钙钛矿材料在文献中也有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法，其特征在于：将表面具有金属单质铋薄膜的基底材料，水平放置于含有卤化甲氨的反应釜内胆中，在惰性气氛、密封条件下，180‑250℃控温反应，即可在基底材料表面原位制得Bi2(CH3NH3)3X9半导体光电薄膜材料，X为Cl，Br，I中的一种或两种的组合。

【技术特征摘要】
1.一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法，其特征在于：将表面具有金属单质铋薄膜的基底材料，水平放置于含有卤化甲氨的反应釜内胆中，在惰性气氛、密封条件下，180-250℃控温反应，即可在基底材料表面原位制得Bi2(CH3NH3)3X9半导体光电薄膜材料，X为Cl，Br，I中的一种或两种的组合。2.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述表面具有金属单质铋薄膜的基底材料为通过在基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑直，余海丽，张卜生，雷岩，杨晓刚，谷龙艳，赵超亮，
申请(专利权)人：许昌学院，
类型：发明
国别省市：河南,41