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本发明涉及一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将表面具有金属单质铋薄膜的基底材料，水平放置于含有卤化甲氨的反应釜内胆中，在惰性气氛、密封条件下，180‑250℃控温反应，即可在基底材料表面原位制得铋基非铅钙钛矿B...
该专利属于许昌学院所有，仅供学习研究参考，未经过许昌学院授权不得商用。

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