静电-压电混合驱动收发一体化CMUT及其使用方法和制备方法技术

本发明专利技术公开了静电‑压电混合驱动收发一体化CMUT及其使用方法和制备方法，其支柱采用压电材料，可在正反极性电压作用下产生伸缩变形或振动；CMUT从上至下依次包括上电极、振动薄膜、压电支柱、绝缘层及下电极。下电极和上电极覆盖整个空腔和压电支柱区域。用作超声波发射换能器时，加载正向极性直流偏置电压，压电支柱拉伸，空腔高度增加，可增大振动薄膜位移空间、提高输出声压，叠加交流电压后，振动薄膜及压电支柱均发生振动，发射超声波；用作超声波接收换能器时，加载反向极性直流偏置电压，压电支柱压缩，空腔高度减小，可提高电容变化量及接收灵敏度，当超声波入射时，振动薄膜和压电支柱均发生振动，产生可探测的电信号，实现超声波接收。

【技术实现步骤摘要】
静电-压电混合驱动收发一体化CMUT及其使用方法和制备方法
本专利技术涉及MEMS超声换能器
，特别涉及一种静电-压电混合驱动收发一体化CMUT及其使用方法和制备方法。
技术介绍
基于MEMS技术的微型超声换能器(MicromachinedUltrasonicTransducer,MUT)因具有微型化、与流体阻抗匹配特性好、可实现批量化制备、易于实现二维阵列加工以及易于与ICs集成等特点，在即时超声成像与治疗(PointofCareDiagnostics,POC)、超声生物特征识别、3D超声姿态识别与非接触控制等前沿应用领域具有巨大应用潜力。微型超声换能器主要包括电容式微加工超声换能器(CapacitiveMicromachinedUltrasonicTransducer,CMUT)和压电式微加工超声换能器(PiezoelectricMicromachinedUltrasonicTransducer,PMUT)两大类。相对于CMUT，基于AlN、ZnO等压电材料、采用弯曲振动模式的PMUT在低功耗应用领域具有突出优势，但由于AlN、ZnO材料的压电系数远小于PZT材料，导致PMUT机电耦合系数、带宽、发射以及接收灵敏度等性能还远落后于CMUT。虽然部分研究者通过结构设计来提高PMUT性能，但仍未获得根本性改善。相比之下，CMUT具有更多性能优势，已被广泛用于超声成像与治疗、超声指纹识别等领域的实验研究，其可行性得到很好验证。尽管CMUT在带宽、机电耦合系数、发射和接收灵敏度等性能方面具有突出优势，然而其在即时超声成像与治疗、超声生物特征识别、3D超声姿态识别与非接触控制等前沿
仍面临亟待解决的技术难题：(1)即时超声成像、3D超声姿态识别等技术要求超声换能器具有低工作电压、低功耗和便携性。例如，超声指纹识别技术需要超声换能器的功耗在mW甚至更低级别，以便与手机等电子器件集成使用后降低整机功耗，提高待机时间，而目前常规的CMUT工作电压大、功耗高，工作时所需加载的高直流偏置电压(几十至几百伏不等)限制了其在便携式、低功耗以及长期在线检测方面的应用；(2)理想的超声换能器应同时具有很好的超声波发射和超声波接收性能。但目前常规的CMUT需要分离设计以获得优越的超声波发射或接收性能。CMUT用作超声波发射器时需要设计大空腔高度，以增大超声波输出声压，而用作超声波接收器时需要设计小空腔高度，以增大接收灵敏度。同一CMUT超声波输出声压和接收灵敏度相互制约，无法同时实现高性能超声波发射与接收。
技术实现思路
为一并解决上述技术难题，本专利技术提出一种静电-压电混合驱动收发一体化CMUT及其使用方法和制备方法，本专利技术CMUT相较于现有CMUT降低了工作电压，减小了功耗，能够实现高性能超声发射和接收换能器的一体化设计与制备。本专利技术采用的技术方案如下：静电-压电混合驱动收发一体化CMUT，包括上电极、振动薄膜、空腔、压电支柱、绝缘层和下电极，压电支柱由压电材料制成，空腔沿压电支柱的厚度方向贯穿压电支柱，振动薄膜、压电支柱和下电极自上而下依次设置并一道将空腔密封；绝缘层设置于下电极的上表面并处于空腔对应的区域内，绝缘层的外边缘与压电支柱的内侧面之间具有间隙。优选的，压电支柱采用PZT压电材料、AlN压电材料、PVDF压电材料或ZnO压电材料。优选的，绝缘层的外边缘与压电支柱内侧面之间的间隙为压电支柱工作过程中最大横向应变的至少一半。优选的，下电极为低阻导电材料，电阻率不大于0.001Ω·cm；绝缘层采用SiO2绝缘材料或Si3N4绝缘材料。优选的，当振动薄膜不导电时，上电极覆盖整个振动薄膜区域，该区域包括空腔上侧悬空的振动薄膜区域以及固定于压电支柱上侧的振动薄膜区域。优选的，当振动薄膜能够导电时，振动薄膜同时用作上电极。优选的，下电极应覆盖整个空腔区域以及压电支柱区域。静电-压电混合驱动收发一体化CMUT的使用方法：所述静电-压电混合驱动收发一体化CMUT用作超声波发射换能器，使用过程如下：对静电-压电混合驱动收发一体化CMUT加载正向极性直流偏置电压，此时压电支柱拉伸，空腔的高度增大，空腔的高度大于在无电压作用下的初始空腔高度，再对静电-压电混合驱动收发一体化CMUT叠加交流电压，振动薄膜发生振动，实现超声波的发射；所述静电-压电混合驱动收发一体化CMUT用作超声波接收换能器，使用过程如下：对静电-压电混合驱动收发一体化CMUT加载反向极性直流偏置电压，此时压电支柱压缩，空腔高度减小，空腔高度小于在无电压作用下的初始空腔高度，在入射超声波作用下，振动薄膜发生振动，产生可探测的电信号，实现超声波的接收。静电-压电混合驱动收发一体化CMUT的制备方法，包括如下步骤：(1)取一低阻单晶硅片，采用氧化技术或化学气相沉积技术在单晶硅片表面生成二氧化硅层，剩余单晶硅则形成下电极；(2)光刻，图形化单晶硅上表面二氧化硅层；再刻蚀二氧化硅，刻蚀停止于单晶硅上表面，形成绝缘层；(3)在单晶硅上表面生成压电材料层，压电材料覆盖绝缘层和裸露的单晶硅表面；(4)光刻，图形化压电材料层，再刻蚀压电材料层，刻蚀停止于二氧化硅层和单晶硅表面，形成压电支柱；另取一SOI片，清洗备用；(5)对SOI片顶层硅以及压电支柱表面进行活化处理，将SOI片顶层硅和压电支柱进行真空熔融键合，此时将空腔密封；(6)采用化学机械抛光法首先去除80％的SOI片基底硅，再用湿法刻蚀技术或干法刻蚀技术，刻蚀剩余20％的基底硅，刻蚀停止于SOI片埋层二氧化硅；再采用湿法刻蚀技术或干法刻蚀技术刻蚀SOI片埋层二氧化硅，释放SOI片顶层硅，形成振动薄膜；(7)再在振动薄膜表面溅射金属层，光刻，刻蚀形成上电极和电极焊盘。优选的，所述步骤(4)和步骤(5)的另一变化工艺为：所述步骤(4)中，取一SOI片，清洗，再在SOI片顶层硅表面溅射氧化铝过渡层；所述步骤(5)中，对SOI片顶层硅表面的氧化铝过度层与压电支柱表面进行活化处理，再将SOI片顶层硅上表面氧化铝过度层和压电支柱进行真空熔融键合，此时将空腔密封。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术静电-压电混合驱动收发一体化CMUT的支柱采用压电材料，支柱即为压电支柱；压电支柱可在正反极性偏置电压作用下产生伸缩变形；从而可使得用于超声波发射器时，空腔高度增大以提高发射声压；用于超声波接收器时，空腔高度减小以提高接收灵敏度，实现高性能超声波发射和接收CMUT的一体化设计；除了通过正反极性电压来调节空腔高度外，本专利技术静电-压电混合驱动收发一体化CMUT在交流电压激励和入射超声波作用下，压电支柱也发生振动，薄膜振动为悬空于空腔区域上侧的振动薄膜在静电力作用下弯曲振动和压电支柱一维振动的叠加，从而相比于只有振动薄膜弯曲振动的常规CMUT，本专利技术一体化CMUT的薄膜振动位移可得到有效提高，因此，本专利技术CMUT用作超声波发射器时可进一步增大发射声压，用于超声波接收器时可进一步提高接收灵敏度；因此，本专利技术解决了现有CMUT均采用SiO2、Si3N4等非压电材料，其支柱高度固定不变，无法同时作用高性能超声波发射和高性能超声接收，需分离设计与制备的难题；本专利技术静电-压电混合驱动收发一体化CMUT的压电支柱在上下电极间电场作用下可发生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.静电‑压电混合驱动收发一体化CMUT，其特征在于，包括上电极(1)、振动薄膜(2)、空腔(3)、压电支柱(4)、绝缘层(5)和下电极(6)，压电支柱(4)由压电材料制成，空腔(3)沿压电支柱(4)的厚度方向贯穿压电支柱(4)，振动薄膜(2)、压电支柱(4)和下电极(6)自上而下依次设置并一道将空腔(3)密封；绝缘层(5)设置于下电极(6)的上表面并处于空腔(3)对应的区域内，绝缘层(5)的外边缘与压电支柱(4)的内侧面之间具有间隙。

【技术特征摘要】
1.静电-压电混合驱动收发一体化CMUT，其特征在于，包括上电极(1)、振动薄膜(2)、空腔(3)、压电支柱(4)、绝缘层(5)和下电极(6)，压电支柱(4)由压电材料制成，空腔(3)沿压电支柱(4)的厚度方向贯穿压电支柱(4)，振动薄膜(2)、压电支柱(4)和下电极(6)自上而下依次设置并一道将空腔(3)密封；绝缘层(5)设置于下电极(6)的上表面并处于空腔(3)对应的区域内，绝缘层(5)的外边缘与压电支柱(4)的内侧面之间具有间隙。2.根据权利要求1所述的静电-压电混合驱动收发一体化CMUT，其特征在于，压电支柱(4)采用PZT压电材料、AlN压电材料、PVDF压电材料或ZnO压电材料。3.根据权利要求1所述的静电-压电混合驱动收发一体化CMUT，其特征在于，绝缘层(5)的外边缘与压电支柱(4)内侧面之间的间隙为压电支柱(4)工作过程中最大横向应变的至少一半。4.根据权利要求1所述的静电-压电混合驱动收发一体化CMUT，其特征在于，下电极(6)为低阻导电材料，电阻率不大于0.001Ω·cm；绝缘层(5)采用SiO2绝缘材料或Si3N4绝缘材料。5.根据权利要求1-4任意一项所述的静电-压电混合驱动收发一体化CMUT，其特征在于，当振动薄膜(2)不导电时，上电极(1)覆盖整个振动薄膜(2)区域，该区域包括空腔(3)上侧悬空的振动薄膜区域以及固定于压电支柱(4)上侧的振动薄膜区域。6.根据权利要求1-4任意一项所述的静电-压电混合驱动收发一体化CMUT，其特征在于，当振动薄膜(2)能够导电时，振动薄膜(2)同时用作上电极。7.根据权利要求1-4任意一项所述的静电-压电混合驱动收发一体化CMUT，其特征在于，下电极(6)覆盖整个空腔(3)区域以及压电支柱(4)区域。8.权利要求1所述的静电-压电混合驱动收发一体化CMUT的使用方法，其特征在于：所述静电-压电混合驱动收发一体化CMUT用作超声波发射换能器，使用过程如下：对静电-压电混合驱动收发一体化CMUT加载正向极性直流偏置电压，此时压电支柱(4)拉伸，空腔(3)的高度增大，空腔(3)的高度大于在无电压作用下的初始空腔高度，再对静电-压电混合驱动收发一体化CMUT叠加交流电压，振动薄膜(2)发生振动，发射超声波；所述静电-压电混合驱动收发一体化CMUT用作超声波接收换能器，使用过程如下：对静电-压电混合驱动收发一体化CMUT加载反向极性直流偏置电压，此时压电支柱(4)压缩，空腔(3)高度减小，空腔(3)高度小于在无电压作用下的初始空腔高度，在入...

【专利技术属性】
技术研发人员：李支康，赵立波，李杰，赵一鹤，罗国希，徐廷中，郭帅帅，蒋庄德，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61