【技术实现步骤摘要】
一种用于相控阵雷达的W波段功率放大器
本专利技术涉及一种W波段功率放大器，尤其涉及的是一种用于相控阵雷达的W波段功率放大器。
技术介绍
相控阵系统广泛应用于雷达和通信系统中，用于波束形成和扫描。相比于传统的机械扫描雷达通过转动天线改变波速的相位，相控阵雷达具有扫描精度高、速度快、抗干扰能力强、高可靠性等优点。有源相控阵雷达的主要部件是T/R组件，在T/R组件的各个电路模块中，功率放大器由于功耗大，面积大，因此成为决定整个T/R组件成本和性能的关键模块。W波段的功放，由于寄生效应更加明显，其输出功率和效率一直是困扰无线通信走向高频的瓶颈。目前，毫米波功率放大器采用的工艺主要有三五族化合物砷化镓、硅和锗硅工艺。三五族化合物具有高的电子迁移率，可以获得优良的功率性能，但价格昂贵，难以集成；硅基CMOS工艺具有低功耗、低价格、高集成度的优点，但在高频和高功率输出上性能有限；锗硅SiGeBiCMOS结合了高集成度、高功率、高特征频率的优势，价格相对适中，在无线通信系统上具有较好的应用前景。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于：现有技术中结构过于复杂，寄生效应明显，输...
【技术保护点】
1.一种用于相控阵雷达的W波段功率放大器，其特征在于，包括晶体管Q2、Q3、Q4、Q5，电容cap1、cap2、cap3、cap4；所述电容cap1、cap2并联在电路的输入端，电容cap1、cap2之间设置有电感构成第一变压器，所述第一变压器通过中心抽头将偏置电流In加载到晶体管Q2、Q3的基极，所述晶体管Q2、Q3、Q4、Q5构成一对共源共栅结构，从而形成差分结构，所述电容cap3、cap4并联在电路的输出端，所述电容cap3、cap4之间设置有电感构成第二变压器，所述晶体管Q4、Q5的基极加载有偏置电压Vb，所述晶体管Q4、Q5的集电极通过第二变压器的中心抽头加载有工作电压VCC。
【技术特征摘要】
1.一种用于相控阵雷达的W波段功率放大器，其特征在于，包括晶体管Q2、Q3、Q4、Q5，电容cap1、cap2、cap3、cap4；所述电容cap1、cap2并联在电路的输入端，电容cap1、cap2之间设置有电感构成第一变压器，所述第一变压器通过中心抽头将偏置电流In加载到晶体管Q2、Q3的基极，所述晶体管Q2、Q3、Q4、Q5构成一对共源共栅结构，从而形成差分结构，所述电容cap3、cap4并联在电路的输出端，所述电容cap3、cap4之间设置有电感构成第二变压器，所述晶体管Q4、Q5的基极加载有偏置电压Vb，所述晶体管Q4、Q5的集电极通过第二变压器的中心抽头加载有工作电压VCC。2.根据权利要求1所述的一种用于相控阵雷达的W波段功率放大器，其特征在于，所述晶体管Q4、Q5的偏置电压Vb上连接有基极去耦电容cap5。3....
【专利技术属性】
技术研发人员：曹锐，李庄，陶小辉，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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