一种可变增益低噪声放大器制造技术

本发明专利技术公开一种可变增益低噪声放大器，包括：输入放大电路，用于将输入信号RFin进行初步放大；输出放大电路，用于将所述输入放大电路的输出进一步放大并输出RFout信号至后续电路；偏置电路，用于给所述输入放大电路的输入放大管提供偏置电压；开关模块，用于在增益模式控制电压CR的控制下选择增益模式，并在增益控制电压Vc的控制下连续调节所述输出放大电路的增益，本发明专利技术实现了一种电流复用可控选择增益模式的低功耗增益可编程变化的低噪声放大器。

【技术实现步骤摘要】
一种可变增益低噪声放大器
本专利技术涉及射频前端电路设计
，特别是涉及一种可变增益低噪声放大器。
技术介绍
LNA(LowNoiseAmplifier，低噪声放大器)作为射频接收机关键模块，其增益对接收系统灵敏度及动态范围至关重要，可变增益的低噪声放大器的设计可改善系统动态范围、简化系统设计、降低系统成本，因此需要优化设计。图1为一种传统低噪声放大器的结构示意图。如图1所示，该传统低噪声放大器(LNA)包括输入放大电路10、输出放大电路20、偏置电路30。其中，输入放大电路10由NMOS管MMT、输入耦合电容Cg、补偿电容Cex以及反馈电感Ls组成，用于将输入信号RFin进行初步放大；输出放大电路20由NMOS管MO、输出耦合电容Co、偏置电阻Rb1以及负载电感Ld、负载电容Cd组成，用于将输入放大电路10的输出进一步放大并输出RFout信号至后续电路；偏置电路30由偏置电感Lg或偏置电阻Rb2组成，用于给NMOS管MMT提供偏置电压。图2为一种传统传统电流复用低噪声放大器的结构示意图，如图2所示，该传统传统电流复用低噪声放大器(LNA)在输入放大电路10和输出放大电路20间还本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可变增益低噪声放大器，包括：输入放大电路，用于将输入信号RFin进行初步放大；输出放大电路，用于将所述输入放大电路的输出进一步放大并输出RFout信号至后续电路；偏置电路，用于给所述输入放大电路的输入放大管提供偏置电压；开关模块，用于在增益模式控制电压CR的控制下选择增益模式，并在增益控制电压Vc的控制下连续调节所述输出放大电路的增益。

【技术特征摘要】
1.一种可变增益低噪声放大器，包括：输入放大电路，用于将输入信号RFin进行初步放大；输出放大电路，用于将所述输入放大电路的输出进一步放大并输出RFout信号至后续电路；偏置电路，用于给所述输入放大电路的输入放大管提供偏置电压；开关模块，用于在增益模式控制电压CR的控制下选择增益模式，并在增益控制电压Vc的控制下连续调节所述输出放大电路的增益。2.如权利要求1所述的一种可变增益低噪声放大器，其特征在于：所述开关模块在所述增益模式控制电压CR的控制下选择将所述输入放大电路输出的射频信号连接至所述输出放大电路的NMOS管栅极或源极以组成不同的增益模式，并在所述增益控制电压Vc的控制下连续调节输出放大电路的增益。3.如权利要求2所述的一种可变增益低噪声放大器，其特征在于：所述开关模块实现电流复用模式控制可选，使电路工作于单级放大低增益及电流复用双级放大高增益模式。4.如权利要求3所述的一种可变增益低噪声放大器，其特征在于：所述开关模块采用串联-串并联射频开关结构的射频单刀双掷开关，其并联支路接地或电源，并联支路栅端接所述增益控制电压Vc，分流控制所述低噪声放大器的偏置电流，控制增益连续变化。5.如权利要求4所述的一种可变增益低噪声放大器，其特征在于：所述输入放大电路的输入放大管MMT的漏极连接至所述开关模块的射频单刀双掷开关的公共端口a，所述射频单刀双掷开关的第一输出口b连接至所述输出放大电路的NMOS管的源极和衬底，所述射频单刀双掷开关的第二输出口c通过耦合电容Cc连接至所述输出放大电路的NMOS管的栅极，增益模式控制电压CR连接至所述射频单刀双掷开关的控制端，所述射频单刀双掷开关第一输出口还通过所述并联支路接地或电源，所述并联支路栅端接所述增益控制电压Vc。6.如权利要求5所述的一种可变增益低噪声放大器，其特征在于：所述开关模块包括电平位移器LS1、第一串联开关支路SW1、第二串联开关支路SW2、并联开关支路SW3以及阻塞电感Li和其寄生电阻Ri，所述增益控制电压Vc连接至所述并联开关支路SW3的控制端，所述并联开关支路的一射频端连接至所述射频单刀双掷开关的第一输出口b，所述并联开关支路的另一射频端接电源或地，所述增益模式控制电压CR连接至所述电平位移器LS1的输入端，所述电平位移器LS1的第一输出连接至所述射频单刀双掷开关的第一串联开关支路SW1的控制端，所述电平位移器LS1的第二输出连接至所述射频单刀双掷开关的第二串联开关支路SW2的控制端,所述第一串联开关支路SW1、第二串联开关支路SW2串联在第一输出口b与第二输出口c之间，其中间节点连接公共端口a，阻塞电感Li的一端连接所述射频单刀双掷开关的公共端口a，阻塞电感Li的另一端通过其寄生电阻Ri连接至所述射频单刀双掷开关的第一输出口b。7.如权利要求6所述的一种可变增益低噪声放大器，其特征在于：所述第一串联开关支路SW1包括公共控制电阻Rc1、第一至第n栅极控制电阻Rg11～Rgn1、第一至第n漏源电阻Rds11～Rdsn1、第一至第nNMOS开关管Msw11～Mswn1以及第一至第n体区偏置二极管PDio11～PDion1，第二串联开关支路SW2包括公共控制电阻Rc2、第一至第n栅极控制电阻Rg12～Rgn2、第...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴若凡，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31