【技术实现步骤摘要】
封装结构、电子设备及封装方法
本专利技术涉及微电子封装
，特别涉及封装结构及封装方法。
技术介绍
随着集成电子技术的不断发展，对芯片性能要求也日渐提高，如功能增强、尺寸减小、耗能与成本降低等，从而催生了3DIC(三维集成电路)技术及2.5DIC封装技术。硅中介层(SiliconInterposer)技术是三维集成电路及2.5DIC封装技术中实现晶圆(Die)之间互连及晶圆与基板互联的一种技术解决方案。以2.5DIC封装为例，现有技术中的2.5DIC封装是将至少两颗晶圆通过扇出型圆级封装技术集成为扇出单元(FanoutUnit)，将扇出单元通过硅中介层封装在基板上。至少两颗晶圆之间的互联及晶圆与基板之间的互联均通过硅中介层实现。硅中介层技术方案使用半导体工艺在硅片上制作线宽、节点间距都比树脂基板小得多的互连线路。从而不同功能的芯片(比如CPU(中央处理单元)、DRAM(动态随机存取存储器)等)可以连到同一块硅中介层上面，通过硅中介层完成大量运算和数据交流。硅中介层通过硅通孔(TSV,throughsiliconvia)技术实现布线，然而，硅通孔制作工艺是深度离...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括基板、扇出单元及布线层，所述扇出单元包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片包括第一引脚阵列，所述第二芯片包括第二引脚阵列，所述扇出单元还包括第三引脚阵列，所述第一引脚阵列、所述第二引脚阵列及所述第三引脚阵列均面对所述基板设置，所述第一引脚阵列包括多个第一引脚，所述第二引脚阵列包括多个第二引脚，所述第三引脚阵列包括多个第三引脚；所述布线层跨接于所述第一引脚阵列和所述第二引脚阵列之间，用于将所述第一引脚阵列中的每个第一引脚连接至所述第二引脚阵列中对应的第二引脚，以实现所述第一芯片和所述第二芯片之间的电连接；所述基板上设有与所述基板内部布线层电连接...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括基板、扇出单元及布线层，所述扇出单元包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片包括第一引脚阵列，所述第二芯片包括第二引脚阵列，所述扇出单元还包括第三引脚阵列，所述第一引脚阵列、所述第二引脚阵列及所述第三引脚阵列均面对所述基板设置，所述第一引脚阵列包括多个第一引脚，所述第二引脚阵列包括多个第二引脚，所述第三引脚阵列包括多个第三引脚；所述布线层跨接于所述第一引脚阵列和所述第二引脚阵列之间，用于将所述第一引脚阵列中的每个第一引脚连接至所述第二引脚阵列中对应的第二引脚，以实现所述第一芯片和所述第二芯片之间的电连接；所述基板上设有与所述基板内部布线层电连接的焊垫，所述第三引脚连接至所述焊垫，以实现所述扇出单元与所述基板之间的电连接。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设于所述扇出单元与所述基板之间的中介板，所述布线层形成在所述中介板的表面。3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述中介板的材质为硅或玻璃或有机基板。4.如权利要求2或3所述的封装结构，其特征在于，所述中介板与所述基板之间彼此隔离。5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述布线层形成于所述第一引脚阵列和所述第二引脚阵列的面对所述基板的表面。6.如权利要求1-5任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述布线层包括依次层叠设置的第一线路层、参考层及第二线路层，所述参考层为所述第一线路层和所述第二线路层的参考面。7.如权利要求1至6中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片的表面和所述第二芯片的表面以形成所述扇出单元的散热表面，所以散热表面位于所述扇出单元之远离所述基板的一侧的表面上。8.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括散热片，所述散热片将所述扇出单元遮罩在所述基板上，且所述散热片与所述散热表面接触。9.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括散热片和导热胶，所述散热片将所述扇出单元遮罩在所述基板上，所述导热胶设于所述散热表面与所述散热片之间。10.如权利要求1-9任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片相邻设置，所述第一引脚阵列与所述第二引脚阵列相邻设置，且所述第三引脚阵列位于所述扇出单元之除所述第一引脚阵列和所述第二引脚阵列之外的区域。11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至10任意一项所述的封装结构。12.一种封装方法，其特征在于，包括：制作扇出单元，所述扇出单元包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片包括第一引脚阵列，所述第二芯片包括第二引脚阵列，所述扇出单元还包括第三引脚阵列，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵南，谢文旭，张晓东，符会利，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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