用于发光器件的波长转换材料制造技术

本发明专利技术的实施例包括如由R3‑x‑y‑zAx+yMzSi6‑w1Alw1O3x+y+w1N11‑7x/3‑y‑w1□2‑2x/3定义的波长转换组分，其中□是由氧原子填充的结构的空位，其中0

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于发光器件的波长转换材料
本专利技术涉及波长转换材料以及具有这种波长转换材料的发光器件。
技术介绍
包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）以及边发射激光器的半导体发光器件是属于当前可获得的最高效的光源。在能够跨过可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中，当前感兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟与氮的二元、三元和四元合金，也称为III族氮化物材料。典型地，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技术，在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物或其它适当的衬底上外延生长不同组分和掺杂剂浓度的半导体层的叠层来制造III族氮化物发光器件。该叠层经常包括在衬底上方形成的用例如Si掺杂的一个或多个n型层、在该一个或多个n型层上方形成的有源区中的一个或多个发光层、以及在该有源区上方形成的用例如Mg掺杂的一个或多个p型层。电接触部在n型和p型区上形成。发光器件（诸如LED）经常与波长转换材料（诸如磷光体）相组合。US2013/0234588描述了“[具有一]红光组分和……大的半峰全宽的一种新的磷光体（摘要）。”U本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波长转换材料，包括R3‑x‑y‑zAx+yMzSi6‑w1Alw1O3x+y+w1N11‑7x/3‑y‑w1□2‑2x/3，其中：所述材料包括晶体晶格；□包括在所述晶体晶格上的空位；0

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.23 EP 16156887.81.一种波长转换材料，包括R3-x-y-zAx+yMzSi6-w1Alw1O3x+y+w1N11-7x/3-y-w1□2-2x/3，其中：所述材料包括晶体晶格；□包括在所述晶体晶格上的空位；0<x≤3；-3≤y<3；0<z<1；0≤w1≤6；0≤x+y，x+y+z≤3；11-7/3x-y-w1≥0；3x+y+w1≤13；R选自三价La、Gd、Tb、Y以及Lu的组；其中R是可获得的并且至少包括La；A选自二价Ca、Mg、Sr、Ba以及Eu的组；其中A是可获得的并且至少包括Ca；M选自三价Ce、Pr以及Sm的组；所述空位□中的至少一个被O原子占据。2.根据权利要求1所述的波长转换材料，其中：所述材料掺杂有Ce；并且([La]+[Ca]+[Ce])/[Si]≤0.52。3.根据前...

【专利技术属性】
技术研发人员：PJ施密特，D杜拉赫，W施尼克，
申请(专利权)人：亮锐控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL