存储器阵列、铁电晶体管以及与存储器阵列的存储器单元相关的读取与写入方法技术

一些实施例包含铁电晶体管。所述晶体管具有配置为第一容器的栅极电介质材料，其中所述第一容器具有第一内表面。含金属材料配置为嵌套于所述第一容器内的第二容器。所述第二容器具有具小于所述第一内表面的面积的第二内表面。铁电材料配置为嵌套于所述第二容器内的第三容器。所述第三容器具有具小于所述第二内表面的面积的第三内表面。栅极材料位于所述第三容器内。一些实施例包含具有作为存储器单元的铁电晶体管的存储器阵列。一些实施例包含在存储器阵列的存储器单元是金属铁电金属绝缘体半导体MFMIS晶体管的情况下与所述存储器单元相关的写入/读取方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器阵列、铁电晶体管以及与存储器阵列的存储器单元相关的读取与写入方法
存储器阵列、铁电晶体管以及与存储器阵列的存储器单元相关的读取与写入方法。
技术介绍
存储器是一种类型的集成电路，且在计算机系统中用于存储数据。可将存储器制作成一或多个个别存储器单元阵列。存储器单元可使用数字线(其也可称为位线、数据线、感测线或数据/感测线)及存取线(其也可称为字线)来写入或读取。数字线可沿着阵列的列以导电方式互连存储器单元，且存取线可沿着阵列的行以导电方式互连存储器单元。存储器单元可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可存储数据达延长的时间段(包含当计算机关断时)。易失性存储器耗散且因此在许多例子中需要每秒多次地刷新/重写。不管如何，存储器单元经配置以将存储器保持或存储于至少两个不同可选择状态中。在二进制系统中，将所述状态视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个信息等级或状态。铁电场效应晶体管(FeFET)可用作存储器单元。具体来说，FeFET可具有对应于FeFET内的铁电材料的两个不同极化模式的两个可选择存储器状态。不同极化模式的特征可在于(举例来说)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铁电晶体管，其包括：栅极电介质材料，其配置为第一容器，所述第一容器具有第一内表面；含金属材料，其配置为嵌套于所述第一容器内的第二容器，所述第二容器具有具小于所述第一内表面的面积的第二内表面；铁电材料，其配置为嵌套于所述第二容器内的第三容器，所述第三容器具有具小于所述第二内表面的面积的第三内表面；及栅极材料，其位于所述第三容器内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.20 US 15/134,2211.一种铁电晶体管，其包括：栅极电介质材料，其配置为第一容器，所述第一容器具有第一内表面；含金属材料，其配置为嵌套于所述第一容器内的第二容器，所述第二容器具有具小于所述第一内表面的面积的第二内表面；铁电材料，其配置为嵌套于所述第二容器内的第三容器，所述第三容器具有具小于所述第二内表面的面积的第三内表面；及栅极材料，其位于所述第三容器内。2.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述第一容器、所述第二容器及所述第三容器是肘状的。3.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述第二容器的边缘相对于所述第一容器的边缘内凹。4.根据权利要求3所述的铁电晶体管，其中所述第三容器的边缘相对于所述第一容器的边缘的内凹量与所述第二容器的所述边缘相对于所述第一容器的所述边缘的内凹量约相同。5.根据权利要求3所述的铁电晶体管，其中所述第三容器的边缘相对于所述第一容器的边缘的内凹量大于所述第二容器的所述边缘相对于所述第一容器的所述边缘的内凹量。6.根据权利要求3所述的铁电晶体管，其中所述第三容器的边缘相对于所述第一容器的边缘的内凹量约小于所述第二容器的所述边缘相对于所述第一容器的所述边缘的内凹量。7.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中：所述第一容器具有界定四侧结构的约一半的两个侧，所述两个侧是第一侧及第二侧；所述四侧结构的第三侧沿着所述栅极材料、铁电材料、含金属材料及栅极电介质材料的边缘延伸；所述第三侧直接邻近所述第二侧；绝缘间隔件完全地沿着所述第三侧延伸；第一源极/漏极区沿着所述第二侧的一部分并延伸到所述绝缘间隔件下方；第二源极/漏极区沿着所述第一侧的一部分；且沟道区沿着所述第一侧及所述第二侧且在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间延伸。8.一种存储器阵列，其包括：多个铁电晶体管，其呈行/列布置；邻近铁电晶体管沿着所述列大体上是彼此的镜像且具有共享源极/漏极区；所述铁电晶体管中的每一者包括：栅极电介质材料，其配置为具有第一内表面的第一容器，所述第一容器具有界定四侧结构的约一半的两个侧；所述两个侧是第一侧及第二侧；含金属材料，其配置为嵌套于所述第一容器内的第二容器，所述第二容器具有具小于所述第一内表面的面积的第二内表面；铁电材料，其配置为嵌套于所述第二容器内的第三容器，所述第三容器具有具小于所述第二内表面的面积的第三内表面；栅极材料，其位于所述第三容器内；及所述四侧结构的第三侧，其沿着所述栅极材料、铁电材料、含金属材料及栅极电介质材料的边缘延伸；所述第三侧直接邻近所述第二侧；及邻近铁电晶体管沿着列的重复配置，其是其中所述邻近铁电晶体管沿着其相应第三侧面向彼此且通过介入触点彼此间隔开的配置；所述共享源极/漏极区位于所述邻近铁电晶体管的所述第三侧下面；所述介入触点延伸到所述共享源极/漏极区；所述共享源极/漏极区是第一源极/漏极区且横向地位于一对第二源极/漏极区之间；所述第二源极/漏极区中的一者沿着所述邻近铁电晶体管中的一者的所述第一侧且所述第二源极/漏极区中的另一者沿着所述邻近铁电晶体管中的另一者的所述第一侧。9.根据权利要求8所述的存储器阵列，其中所述铁电晶体管中的每一者使所述第二容器及所述第三容器的边缘相对于所述第一容器的边缘内凹。10.根据权利要求8所述的存储器阵列，其中：彼此位于共同行中的铁电晶体管使其所有栅极通过字线彼此电耦合；彼此位于共同列中的铁电晶体管电耦合到两个数字线；所述两个数字线中的第一者与第一源极/漏极区电耦合，且所述两个数字线中的第二者与第二源极/漏极区电耦合；且所述铁电晶体管是存储器单元，其中所述存储器单元的第一数据状态对应于所述铁电晶体管内的所述铁电材料的第一极化模式，且所述存储器单元的第二数据状态对应于所述铁电晶体管内的所述铁电材料的第二极化模式。11.根据权利要求10所述的存储器阵列，其中所述铁电材料沿着所述阵列的所述行是连续的。12.根据权利要求10所述的存储器阵列，其中所述铁电材料沿着所述阵列的所述行是不连续的。13.根据权利要求10所述的存储器阵列，其中所述栅极电介质材料沿着所述阵列的所述行是连续的。14.根据权利要求10所述的存储器阵列，其中所述栅极电介质材料沿着所述阵列的所述行是不连续的。15.一种向根据权利要求10所述的存储器阵列的存储器单元写入的方法，所述方法包括：识别包括数据状态将被改变的一或多个存储器单元的作用行；针对所述作用行内的所有所述存储器单元，将所述第一数字线及所述第二数字线保持为大体上相同电压，且同时沿着所述作用行的所述字线施加第一偏置电压，以借此将所述作用行中的所有所述存储器单元设定为所述第一数据状态；及在将所述作用行中的所有所述存储器单元设定为所述第一数据状态之后，同时进行以下操作：针对所述作用行内的将保持在所述第一数据状态中的所述存储器单元中的一或多者，将第一电压施加到所述第一数字线及所述第二数字线；针对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·V·N·拉马斯瓦米，W·肯尼，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US