控制电路制造技术

控制与多个集成电路的数据通信的方法、控制电路和打印系统。方法包括：接收指示多个集成电路中的第一集成电路已经被连接到接口的控制信号；暂停处理器和多个电路中的第二集成电路之间的通过数据总线的数据通信；以及在通过数据总线的与多个集成电路的数据通信被暂停时，发送启用信号来将开关从打开状态转换到闭合状态以将电源连接到接口。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】控制电路
技术介绍
一些打印系统利用一个或多个可移除的消耗品单元，例如用于2D和/或3D打印系统中的打印液体或打印剂储存器，或者用于3D打印系统中的构造材料储存器。可移除的消耗品单元可以包括集成电路，该集成电路包括内部存储器以存储与可移除的消耗品及其使用相关联的数据。所存储的数据可以是可由打印机读取的，以确保以预期方式使用消耗品单元。附图说明根据以下结合附图的详细描述，本公开的各种特征和优点将显而易见，附图仅通过示例的方式一起示出本公开的特征，并且其中：图1是示出包括打印机和多个消耗品单元的打印系统的示例的示意图。图2是示出用于打印机的控制电路的示例的示意图。图3是示出用于打印机的控制电路的示例的示意图。图4是示出包括打印机和多个消耗品单元的打印系统的示例的示意图。图5是示出控制集成电路的方法的示例的流程图。具体实施方式图1是示出包括打印机110和多个消耗品单元150-N的打印系统100的示例的示意图，其中N是涉及特定消耗品单元的数字。每个消耗品单元150-N包括集成电路152-N，该集成电路152-N进而包括存储器设备154-N用于存储与相应的消耗品单元150-N相关联的数据。在一些示例中，存储在存储器设备154-N中的数据可以以加密格式存储和/或利用安全接口来阻止未被授权的当事人对数据的访问。多个消耗品单元150-N中的至少一个可以可拆卸地连接到打印机110，以便在消耗品耗尽或期望被更换的情况下能够方便地更换。在图1中示出的特定示例中，第一消耗品单元150-1可拆卸地连接到打印机110，并且被示出处于最初断开连接的位置，而第二消耗品单元150-2和第三消耗品单元150-3被示出处于最初连接的位置。打印机110被提供有多个接口120-N，该多个接口120-N便于打印机110和相应的消耗品单元150-N之间的电力和数据连接。在其他示例中，可以通过分别提供打印机110和消耗品单元150-N之间的电力和数据连接的多个单独接口来提供由接口120-N提供的功能。打印机110包括处理器112，该处理器112通过数据总线114(在图1中示出为双重组合实线)与消耗品单元150-N的集成电路152-N进行通信。例如，处理器112可以周期性地与多个集成电路152-N进行通信，以在它们的相应存储器设备154-N中存储和更新与消耗品单元150-N的使用有关的数据。在一些示例中，数据总线114可以是根据如最初由飞利浦半导体TM开发并且目前由NXP半导体TM维持的I2CTM(内置集成电路)规范所实施的串行数据总线。在上下文中，图1中的处理器112用作“主”设备，并且集成电路152-N中的每一个用作“从”设备。打印机110包括电源116，该电源116通过电力线117-1(在图1中示出为单重组合实线)和接口120-1向第一消耗品单元150-1提供电力。除由第一消耗品单元150-1提供的任何其他电力消耗功能之外，向第一消耗品单元供应的电力被用于向相应的集成电路152-1和存储器设备154-1供电。根据一些示例，电源也可以向第二消耗品单元150-2和第三消耗品单元150-3提供电力(未在图1中示出)。通过在图1中被示意性地示出为开关的控制电路118-1来提供到第一消耗品单元150-1的电源的控制，该控制电路118-1被配置为在处理器112的控制下控制到第一消耗品单元150-1的电源。具体地，控制电路118-1被配置为根据如下两个状态来操作第一消耗品单元150-1：“加电状态”，其中电源被连接到接口120-1(并且因此被连接到第一消耗品单元150-1)，以及“隔离状态”，其中电源从接口120-1(并且因此从第一消耗品单元150-1)断开连接或隔离。处理器112被配置为借助于处理器112和控制电路118-1之间的控制线119-1(在图1中被示出为单重组合短划线)来控制控制电路118-1在加电状态和隔离状态之间切换。在一些示例中，数据总线114可能对通过与第一消耗品单元150-1相关联的电力线117-1中的电压改变所感应的噪声敏感。例如，电力线117-1中的电压改变可能由第一消耗品单元150-1到其相应的接口120-1的连接和断开连接所引起。数据总线114上的感应噪声具有生成一个或多个假性数据值的可能，该假性数据值可能进而影响与第二消耗品单元150-2和第三消耗品单元150-3相关联的集成电路152-2和152-3的正确操作。例如，在数据总线114上感应的一个或多个伪数据值可以被集成电路152-2和152-3中的一个或两个检测为恶意企图规避用于保护存储在各个存储器设备154-2和154-3中的数据的加密。作为这种检测的结果，集成电路152-2和152-3可以发起一个或多个对抗措施来阻止非授权访问，例如激活闭锁机构来阻止对存储在相应的存储器设备154-2和154-3中的数据的进一步访问。在一些情况下，这些对抗措施可以阻止对消耗品单元150-2和150-3的进一步使用，从而对打印系统100的用户造成不便和附加费。为了减少在数据总线114上感应假性数据值的实例，处理器112被配置为在连接或插入第一消耗品单元150-1时将与第一消耗品单元150-1相关联的控制电路118-1维持在隔离状态中，使得接口120-1从电源116隔离。在检测到第一消耗品单元150-1的插入或连接时，在将控制电路切换到“加电状态”以向接口120-1和第一消耗品单元150-1提供电力之前，处理器112暂停或停止通过数据总线114的数据通信(即，与第二集成电路152-2和第三集成电路152-3的数据通信)。在将控制电路118-1切换到加电状态之后，处理器112恢复通过数据总线的数据通信(即，与第一、第二和第三消耗品单元150-1至150-3的数据通信)。以这种方式，能够减少或消除由于第一消耗品单元150-1的插入或连接而在数据总线114上感应假性数据值的偶发事件。图2是示出用于图1的打印机110中的控制电路118-1的示例的示意图。在这种示例中，控制电路118-1包括位于电源116和到与第一消耗品单元150-1相关联的接口120-1的电力线117-1之间的开关122-1。开关122-1包括其中将电源116从接口120-1断开连接的打开配置(即，提供以上讨论的“隔离状态”)、以及其中电源116被连接到接口120-1的闭合配置(即，提供以上讨论的“加电状态”)。开关122-1可以默认情况下在打开配置中操作，并且响应于在控制线119-1上接收到来自处理器112的启用信号而转换到闭合状态。因此，在没有启用信号的情况下，开关122-1保留在打开配置中并且接口120-1保留与电源116隔离。在图2中示出的特定示例中，开关122-1是诸如p-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等场效应晶体管(FET)，包括源极端子“s”、漏极端子“d”和栅极端子“g”。用于控制电路118-1中的适当MOSFET的示例是由美利坚合众国的加利福尼亚的埃尔塞贡多市的国际整流器TM(InternationalRectifierTM)所制造的IRLM5202HEXFETTM电力MOSFET。在这种示例中，电源116被连接到FET的源极端子，到接口120-1的电力线117-1被连接到FET的漏极端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制与多个集成电路的数据通信的控制电路，所述控制电路包括：处理器，用于通过数据总线与多个集成电路进行通信；接口，能连接到所述多个集成电路中的集成电路；第一电路部分，包括开关，所述开关响应于启用信号将电源连接到所述接口并且在没有所述启用信号的情况下将所述电源从所述接口断开连接；第二电路部分，用于在所述电源从所述接口断开连接并且所述接口从所述集成电路断开连接时，将所述接口处的电压偏置在第一电压电平；以及比较器，用于在所述电源从所述接口断开连接时，在所述接口处的所述电压响应于所述接口和所述集成电路之间的连接而改变为第二电压电平时，输出控制信号；其中所述处理器被配置为：响应于所述控制信号来暂停通过所述数据总线的数据通信。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种控制与多个集成电路的数据通信的控制电路，所述控制电路包括：处理器，用于通过数据总线与多个集成电路进行通信；接口，能连接到所述多个集成电路中的集成电路；第一电路部分，包括开关，所述开关响应于启用信号将电源连接到所述接口并且在没有所述启用信号的情况下将所述电源从所述接口断开连接；第二电路部分，用于在所述电源从所述接口断开连接并且所述接口从所述集成电路断开连接时，将所述接口处的电压偏置在第一电压电平；以及比较器，用于在所述电源从所述接口断开连接时，在所述接口处的所述电压响应于所述接口和所述集成电路之间的连接而改变为第二电压电平时，输出控制信号；其中所述处理器被配置为：响应于所述控制信号来暂停通过所述数据总线的数据通信。2.根据权利要求1所述的控制电路，其中所述处理器被配置为：在通过所述数据总线的与所述多个集成电路的数据通信被暂停时，将所述启用信号提供到所述开关以将所述电源连接到所述接口；以及在所述电源已经被连接到所述接口之后，恢复通过数据总线的与所述多个集成电路的数据通信。3.根据权利要求1所述的控制电路，其中所述第二电路部分包括上拉电阻器，所述上拉电阻器用于在所述电源从所述接口断开连接并且所述接口从所述集成电路断开连接时，将所述接口处的电压偏置在所述第一电压电平。4.根据权利要求1所述的控制电路，其中所述第一电压电平是逻辑高电平，并且所述第二电压电平是低于所述逻辑高电平的逻辑低电平。5.根据权利要求1所述的控制电路，进一步包括位于所述接口和接地之间的去耦电容器以过滤来自所述电源的噪声。6.根据权利要求1所述的控制电路，其中所述开关包括晶体管。7.根据权利要求6所述的控制电路，其中所述晶体管是金属氧化物半导体场效...

【专利技术属性】
技术研发人员：塞格欧·德·桑蒂亚戈·多明格斯，胡安·曼努埃尔·萨莫拉诺，维森特·格拉纳多斯·阿森西奥，
申请(专利权)人：惠普发展公司，有限责任合伙企业，
类型：发明
国别省市：美国,US