用于通过激光多普勒效应检测用于微电子或光学的板的方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及一种用于检测用于电子学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其包括：使晶片(2)围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，从与干涉装置(30)耦合的光源(20)发射两个入射光束，以便在两个光束之间的交叉处形成包括干涉条纹的测量体积(V)，收集由晶片的所述区域散射的光的至少一部分，获取所收集的光并且发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号，在所述信号中检测所述收集的光的频率分量，所述频率是缺陷通过测量体积的时间特征。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于通过激光多普勒效应检测用于微电子或光学的板的方法和系统
本专利技术涉及一种用于通过激光多普勒效应检测用于微电子或光学的板或晶片的方法和系统。
技术介绍
在制造和使用用于微电子或光学的晶片期间，通常对每个晶片的表面进行检查以检测其中的任何缺陷并且发现产生这些缺陷的一个或多个步骤。此外，检测通常不仅旨在发现是否存在缺陷，而且还旨在提供关于所述缺陷的定性和/或定量的信息，例如，其位置、尺寸和/或性质。由于灵敏度、特别是测量的可重复性和稳定性这些原因，操作者的视觉检查是不够的。因此，已经开发出检查系统以检测越来越小的缺陷并且提供关于所述缺陷的性质、尺寸、位置等的所有所需的信息。这些系统还必须允许对每个晶片的检测持续时间足够短，以便不会不利地影响生产速度。为了这个目的，用于检测晶片的已知技术是暗场显微法，其包括在晶片的方向上从光源发射光束和测量由表面散射并且存在于其上的光的强度。因此，散射强度的变化揭示了晶片表面上存在缺陷。文献WO02/39099描述了一种用于依靠激光多普勒测速仪(LDV)检测半导体晶片的暗场系统。如图1所示，该系统1包括光源20和干涉装置30，该干涉装置与面向晶片2的表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测用于电子学、光学或光电学的晶片(2)的方法，包括：‑使晶片(2)围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，‑从与干涉装置(30)耦合的光源(20)发射两个入射光束，以便在两个光束之间的交叉处形成包括干涉条纹的测量体积(V)，所述干涉条纹被布置成使得所述晶片的主表面(S)的区域穿过测量体积的至少一个干涉条纹，所述测量体积在所述晶片的径向方向上的尺寸(Dy)在5和100μm之间，‑收集由晶片的所述区域散射的光的至少一部分，‑获取所收集的光并且发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号，‑在所述信号中检测所述收集的光的频率分量，所述频率是缺陷通过测量体积的时间特征。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 FR 16528351.一种检测用于电子学、光学或光电学的晶片(2)的方法，包括：-使晶片(2)围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，-从与干涉装置(30)耦合的光源(20)发射两个入射光束，以便在两个光束之间的交叉处形成包括干涉条纹的测量体积(V)，所述干涉条纹被布置成使得所述晶片的主表面(S)的区域穿过测量体积的至少一个干涉条纹，所述测量体积在所述晶片的径向方向上的尺寸(Dy)在5和100μm之间，-收集由晶片的所述区域散射的光的至少一部分，-获取所收集的光并且发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号，-在所述信号中检测所述收集的光的频率分量，所述频率是缺陷通过测量体积的时间特征。2.根据权利要求1所述的方法，其中，测量体积在与所述晶片的转动路径相切的方向上的尺寸(Dx)在5和100μm之间，优选地在15和50μm之间。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述晶片在光源的波长处是至少部分透明的。4.根据权利要求3所述的方法，其中，测量体积在垂直于晶片表面的方向上的尺寸(Dz)小于或等于所述晶片厚度的四分之一。5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述测量体积的位置处，入射光束具有最小宽度(2×W0)。6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述光源的功率大于或等于10mW。7.根据权利要求1至4中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：菲利普·加斯塔尔多，马约·杜朗德热维涅，特里斯坦·孔比耶，
申请(专利权)人：统一半导体公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR