硅刻蚀机及其操作方法技术

本发明专利技术涉及一种硅刻蚀机，涉及半导体集成电路制造技术，包括腔体；吸盘和边缘控制环，吸盘和边缘控制环位于腔体内，吸盘用于承载晶圆，边缘控制环环绕设置在吸盘的外围，且于放置晶圆的一侧，边缘控制环与吸盘之间具有一台阶；升降装置，升降装置位于腔体内，且与边缘控制环组接，用于抬高或降低边缘控制环；以及控制电路，控制电路连接升降装置及硅刻蚀机的菜单选择单元，用于接收硅刻蚀机的菜单信息，并根据接收的硅刻蚀机的菜单信息输出一控制信号至升降装置，以使升降装置根据控制信号控制边缘控制环与吸盘之间的台阶的高度，以提高晶圆边缘工艺窗口，提高晶圆良率。

【技术实现步骤摘要】
硅刻蚀机及其操作方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种硅刻蚀机及其操作方法。
技术介绍
在半导体集成电路技术中，随着集成度越来越高，半导体晶圆从4寸、5寸逐步增大到12寸，甚至18寸等更大尺寸，而却希望晶圆的关键尺寸越来越小，从45/40nm往28/20nm升级，工艺窗口越来越大，且产品良率越来越高。因此在半导体集成电路制造中，急需提高产品良率的设备和方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种硅刻蚀机，以提高晶圆边缘工艺窗口，提高晶圆良率。本专利技术提供的硅刻蚀机，包括：腔体；吸盘和边缘控制环，所述吸盘和所述边缘控制环位于所述腔体内，所述吸盘用于承载晶圆，所述边缘控制环环绕设置在所述吸盘的外围，且于放置所述晶圆的一侧，所述边缘控制环与所述吸盘之间具有一台阶；升降装置，所述升降装置位于所述腔体内，且与所述边缘控制环组接，用于抬高或降低所述边缘控制环；以及控制电路，所述控制电路连接所述升降装置及硅刻蚀机的菜单选择单元，用于接收硅刻蚀机的菜单信息，并根据接收的硅刻蚀机的菜单信息输出一控制信号至所述升降装置，以使所述升降装置根据所述控制信号控制所述边缘控制环与所述吸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅刻蚀机，其特征在于，包括：腔体；吸盘和边缘控制环，所述吸盘和所述边缘控制环位于所述腔体内，所述吸盘用于承载晶圆，所述边缘控制环环绕设置在所述吸盘的外围，且于放置所述晶圆的一侧，所述边缘控制环与所述吸盘之间具有一台阶；升降装置，所述升降装置位于所述腔体内，且与所述边缘控制环组接，用于抬高或降低所述边缘控制环；以及控制电路，所述控制电路连接所述升降装置及硅刻蚀机的菜单选择单元，用于接收硅刻蚀机的菜单信息，并根据接收的硅刻蚀机的菜单信息输出一控制信号至所述升降装置，以使所述升降装置根据所述控制信号控制所述边缘控制环与所述吸盘之间的所述台阶的高度。

【技术特征摘要】
1.一种硅刻蚀机，其特征在于，包括：腔体；吸盘和边缘控制环，所述吸盘和所述边缘控制环位于所述腔体内，所述吸盘用于承载晶圆，所述边缘控制环环绕设置在所述吸盘的外围，且于放置所述晶圆的一侧，所述边缘控制环与所述吸盘之间具有一台阶；升降装置，所述升降装置位于所述腔体内，且与所述边缘控制环组接，用于抬高或降低所述边缘控制环；以及控制电路，所述控制电路连接所述升降装置及硅刻蚀机的菜单选择单元，用于接收硅刻蚀机的菜单信息，并根据接收的硅刻蚀机的菜单信息输出一控制信号至所述升降装置，以使所述升降装置根据所述控制信号控制所述边缘控制环与所述吸盘之间的所述台阶的高度。2.根据权利要求1所述的硅刻蚀机，其特征在于，所述升降装置包括一步进马达和一支撑装置，所述支撑装置的一端与所述步进马达组接，所述支撑装置的另一端与所述边缘控制环组接。3.根据权利要求2所述的硅刻蚀机，其特征在于，所述支撑装置包括多个顶针，所述多个顶针位于所述边缘控制环的与晶圆相对的一侧。4.根据权利要求3所述的硅刻蚀机，其特征在于，所述多个顶针位于所述边缘控制环的下方。5.根据权利要求1所述的硅刻蚀机，其特征在于，所述控制电路包括一控制器，接收晶圆刻蚀时硅刻蚀机选择的菜单信息，输出一与高度相关的控制信号至所述升降装置，所述升降装置根据所述与高度相关的控制信号控制所述边缘控制环与所述吸盘之间的台阶高度。6.根据权利要求5所述的硅刻蚀机，其特征在于，所述升降装置根据所述与高度相关的控制信号控制所述边缘控制环抬高的高度。7.根据权利要求5所述的硅刻蚀机，其特征在于，所述升降装置包括一步进马达，所述控制电路输出的所述与高度相关的控...

【专利技术属性】
技术研发人员：许进，唐在峰，任昱，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31