一种冷阴极磁控管的阴极制造技术

技术编号:19862134 阅读:30 留言:0更新日期:2018-12-22 12:46
本发明专利技术公开了一种冷阴极磁控管的阴极,包括:支撑筒、多个初级发射电极组件和多个次级发射电极;支撑筒为两端开口状,其顶端口处填塞有第一端盖、底端口处填塞有第二端盖,支撑筒的两端均套设有屏蔽帽;次级发射电极为浸渍有铝酸盐的钨海绵体,且次级发射电极设置于支撑筒的外周壁上;初级发射电极组件嵌插于钨海绵体上,初级发射电极组件包括初级发射电极、且初级发射电极上设置有多个支撑片,初级发射电极的一端嵌插于钨海绵体上且与支撑筒的外周壁接触,另一端延伸至钨海绵体的外部。该冷阴极磁控管的阴极工作温度能高达1050℃左右,有效减少了活性物质的蒸发,延长了阴极的工作寿命,进而提高了磁控管的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种冷阴极磁控管的阴极
本专利技术属于微波真空器件
,具体地,涉及一种冷阴极磁控管的阴极。
技术介绍
在普通的大功率磁控管内,使用的是镍海绵体氧化物阴极。当磁控管正常工作时,阴极发射的电子在正交的电磁场中做螺旋运动,大量的电子回轰到阴极表面,产生大量的热量,使阴极的表面温度非常高,即使氧化物阴极的热丝不工作,阴极表面的温度也高于氧化物阴极正常的工作温度850℃,使阴极的活性物质大量蒸发,大大缩短阴极寿命。从而波及到磁控管的使用寿命。用大功率磁控管作为微波功率源的直线加速器,在无损检测,医院放疗、食品烘干等领域有广泛的应用。一般大功率磁控管的寿命在250小时左右,且磁控管的价格昂贵,经常更换影响了正常工作并造成使用成本的增加,限制了磁控管作为大功率微波源的广泛的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种冷阴极磁控管的阴极,该冷阴极磁控管的阴极工作温度能高达1050℃左右,有效减少了活性物质的蒸发,延长了阴极的工作寿命,进而提高了磁控管的使用寿命。为了实现上述目的,本专利技术提供了一种冷阴极磁控管的阴极,包括:支撑筒、多个初级发射电极组件和多个次级发射电极;所述支撑筒为两端开口状,其顶端口处填塞有第一端盖、底端口处填塞有第二端盖,所述支撑筒的两端均套设有屏蔽帽;所述次级发射电极为浸渍有铝酸盐的钨海绵体,且所述次级发射电极设置于所述支撑筒的外周壁上;所述初级发射电极组件嵌插于所述钨海绵体上,所述初级发射电极组件包括初级发射电极、且所述初级发射电极上设置有多个支撑片,所述初级发射电极的一端嵌插于所述钨海绵体上且与所述支撑筒的外周壁接触,另一端延伸至所述钨海绵体的外部。优选地,所述支撑片设置于所述初级发射电极的一端且包埋于所述钨海绵体内。优选地,所述浸渍有铝酸盐的钨海绵体为立体圆环状海绵,且所述立体圆环状海绵套设于所述支撑筒的外周壁上。优选地,所述立体圆环状海绵的孔隙度为21~25%。优选地,所述铝酸盐的组成包括氧化钡、氧化钙和三氧化二铝;且所述氧化钡、氧化钙和三氧化二铝的摩尔比为2.2-2.5:0.5-0.8:1。。优选地,所述初级发射电极的由厚度为0.01-0.03mm的钨金属片加工制得。优选地,所述支撑片由厚度为0.05-0.08mm的钼金属片加工制得。优选地,所述初级发射电极组件的数量为4-7,进一步地,所述初级发射电极组件的数量为5。优选地,所述次级发射电极的数量为4-8;进一步地,所述次级发射电极的数量为6。优选地,所述初级发射电极由1个初级发射电极和2支撑片组成。根据上述技术方案,本专利技术中提供的冷阴极磁控管的阴极是由初级发射电极和次级发射电极组成,且次级发射电极为浸渍有铝酸盐的钨海绵体。而浸渍有铝酸盐的钨海绵体作为次级发射电极时其工作温度能够达到1050℃,远远高于传统的镍海绵体氧化物阴极,能够有效减少了活性物质的蒸发,延长了阴极的工作寿命,进而提高了磁控管的使用寿命。专利技术的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术,但并不构成对本专利技术的限制。在附图中:图1是本专利技术中提供的冷阴极磁控管的阴极的结构示意图。图2是初级发射电极组件的结构示意图。附图标记说明1、初级发射电极组件2、次级发射电极3、屏蔽帽4、第一端盖5、第二端盖6、支撑筒7、初级发射电极8、支撑片具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术,并不用于限制本专利技术。在本专利技术中,在未作相反说明的情况下,“上、下、顶、底”等包含在术语中的方位词仅代表该术语在常规使用状态下的方位,或为本领域技术人员理解的俗称,而不应视为对该术语的限制。本专利技术中提供的一种冷阴极磁控管的阴极,参见图1,该阴极的结构包括:支撑筒6、多个初级发射电极组件1和多个次级发射电极2;所述支撑筒6为两端开口状,其顶端口处填塞有第一端盖4、底端口处填塞有第二端盖5,所述支撑筒6的两端均套设有屏蔽帽3;所述次级发射电极2为浸渍有铝酸盐的钨海绵体,且所述次级发射电极2设置于所述支撑筒6的外周壁上;所述初级发射电极组件1嵌插于所述钨海绵体上,所述初级发射电极组件1包括初级发射电极7、且所述初级发射电极7上设置有多个支撑片8,所述初级发射电极7的一端嵌插于所述钨海绵体上且与所述支撑筒6的外周壁接触,另一端延伸至所述钨海绵体的外部。一种具体的实施方式中,参见图2,所述初级发射电极组件1包括初级发射电极8和支撑片8;所述支撑片8沿着所述初级发射电极一端的外周壁设置于,且所述支撑片8与所述初级发射电极7的一端均包埋于所述钨海绵体内。一种具体的实施方式中,所述浸渍有铝酸盐的钨海绵体为立体圆环状海绵,且所述立体圆环状海绵套设于所述支撑筒6的外周壁上;所述立体圆环状海绵的孔隙度为21~25%。另外,为了提高冷阴极磁控管的阴极的工作效果及工作寿命,所述铝酸盐的组成包括氧化钡、氧化钙和三氧化二铝;且所述氧化钡、氧化钙和三氧化二铝的摩尔比为2.2-2.5:0.5-0.8:1。在一种具体的实施方式中,为了提高提高冷阴极磁控管的阴极的工作效果及工作寿命,所述初级发射电极7的由厚度为0.01-0.03mm的钨金属片加工制得。同样,所述支撑片8由厚度为0.05-0.08mm的钼金属片加工制得。在具体实施过程中,所述初级发射电极组件1的数量为4-7,优选地,,所述初级发射电极组件1的数量为5。所述次级发射电极的数量为4-8;优选地,所述次级发射电极的数量为6。参见图2,具体的,所述初级发射电极7由1个初级发射电极7和2支撑片8组成;所述支撑片8设置于所述初级发射电极7的一端。以上结合附图详细描述了本专利技术的优选实施方式,但是,本专利技术并不限于上述实施方式中的具体细节,在本专利技术的技术构思范围内,可以对本专利技术的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本专利技术的保护范围。另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本专利技术对各种可能的组合方式不再另行说明。此外,本专利技术的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本专利技术的思想,其同样应当视为本专利技术所公开的内容。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种冷阴极磁控管的阴极,其特征在于,包括:支撑筒(6)、多个初级发射电极组件(1)和多个次级发射电极(2);所述支撑筒(6)为两端开口状,其顶端口处填塞有第一端盖(4)、底端口处填塞有第二端盖(5),所述支撑筒(6)的两端均套设有屏蔽帽(3);所述次级发射电极(2)为浸渍有铝酸盐的钨海绵体,且所述次级发射电极(2)设置于所述支撑筒(6)的外周壁上;所述初级发射电极组件(1)嵌插于所述钨海绵体上,所述初级发射电极组件(1)包括初级发射电极(7)、且所述初级发射电极(7)的上设置有多个支撑片(8),所述初级发射电极(7)的一端嵌插于所述钨海绵体上且与所述支撑筒(6)的外周壁接触,另一端延伸至所述钨海绵体的外部。

【技术特征摘要】
1.一种冷阴极磁控管的阴极,其特征在于,包括:支撑筒(6)、多个初级发射电极组件(1)和多个次级发射电极(2);所述支撑筒(6)为两端开口状,其顶端口处填塞有第一端盖(4)、底端口处填塞有第二端盖(5),所述支撑筒(6)的两端均套设有屏蔽帽(3);所述次级发射电极(2)为浸渍有铝酸盐的钨海绵体,且所述次级发射电极(2)设置于所述支撑筒(6)的外周壁上;所述初级发射电极组件(1)嵌插于所述钨海绵体上,所述初级发射电极组件(1)包括初级发射电极(7)、且所述初级发射电极(7)的上设置有多个支撑片(8),所述初级发射电极(7)的一端嵌插于所述钨海绵体上且与所述支撑筒(6)的外周壁接触,另一端延伸至所述钨海绵体的外部。2.根据权利要求1所述的冷阴极磁控管的阴极,其特征在于,所述支撑片(8)设置于所述初级发射电极(7)的一端且包埋于所述钨海绵体内。3.根据权利要求1所述的冷阴极磁控管的阴极,其特征在于,所述浸渍有铝酸盐的钨海绵体为立体圆环状海绵,且所述立体圆环状海绵套设于所述支撑筒(6)的外周壁上。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:李锐贺兆昌朱刚刘鲁伟沈旭东侯信磊吴云龙王鹏康
申请(专利权)人:安徽华东光电技术研究所有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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