一种半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长同质或异质的半导体薄膜，进而形成同质结或异质结；(2)对上述同质结或异质结上生长金属薄膜后，在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷Nit的瞬态电容；(3)对上述电荷Nit关于时间t求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(4)在不同的电荷密度下，作ln(ep/T

【技术实现步骤摘要】
一种半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法
本专利技术属于半导体
，尤其是涉及一种半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法。
技术介绍
随着硅片尺寸的不断增大，8英寸以及12英寸硅中会存在原生缺陷，降低器件的成品率；同时随着器件线宽的逐年降低，对硅片的要求又在逐年提高，因此外延硅片由于可以避免原生缺陷而被采用以提高大尺寸芯片的成品率及质量。但是外延硅片中的界面也会存在界面缺陷，界面缺陷会作为载流子的复合中心，导致漏电流的增加，从而在半导体器件中增加了硅基器件低频下的噪声信号，甚至会导致集成电路的失效。因此，充分有效的检测半导体间的界面态密度以及俘获截面的变化变得更加重要，对于器件性能的分析、预测与工艺的改进都具有着重要的学术与实际生产意义。众所周知，很多半导体间的界面缺陷，包括但不仅限于硅-硅界面，都会在硅的禁带中会引入一系列连续分布的能级，并且各能级上对应的界面态密度与俘获截面而发生数个数量级的变化。然而，目前广泛使用的相关测量技术，包括高-低频C/V测试、深能级瞬态谱测试都不能获取俘获截面随能级位置分布的变化，而是采用了恒定的俘获截面。显然，这与实际情形不符。而这将进一步地影本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长同质或异质的半导体薄膜，进而形成同质结或异质结；所述半导体薄片的厚度为300‑800μm，半导体薄膜的厚度为2‑20μm；(2)对上述同质结或异质结上生长金属薄膜后，在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷Nit的瞬态电荷；(3)对上述电荷Nit关于时间t求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(4)在不同的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。

【技术特征摘要】
1.一种半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长同质或异质的半导体薄膜，进而形成同质结或异质结；所述半导体薄片的厚度为300-800μm，半导体薄膜的厚度为2-20μm；(2)对上述同质结或异质结上生长金属薄膜后，在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷Nit的瞬态电荷；(3)对上述电荷Nit关于时间t求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(4)在不同的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。2.根据权利要求1所述的半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法，其特征在于，步骤(1)中，所述半导体薄片的类型包括但不局限于硅、锗，电阻率为0.001–50Ω.cm，导电类型为n型或者p型。3.根据权利要求1所述的半导体间界面...

【专利技术属性】
技术研发人员：余学功，胡泽晨，董鹏，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33