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本发明公开了一种半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长同质或异质的半导体薄膜，进而形成同质结或异质结；(2)对上述同质结或异质结上生长金属薄膜后，在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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