一种射频微系统集成封装天线技术方案

本发明专利技术提供了一种射频微系统集成封装天线，属于集成电路封装技术领域。所述射频微系统集成封装天线包括硅基扇出型封装结构和与其互连的TGV转接板，有效实现了射频微系统和天线的一体化和小型化。进一步的，TGV转接板的顶面和底面均做有再布线层，底面的再布线层上设有焊球，顶面的再布线层用于天线集成，实现电磁波的辐射与接收。所述射频微系统集成封装天线提供了多条路径进行散热，有效解决高功率密度芯片集成后的散热问题。

【技术实现步骤摘要】
一种射频微系统集成封装天线
本专利技术涉及集成电路封装
，特别涉及一种射频微系统集成封装天线。
技术介绍
对于射频领域，由于互连线寄生电阻、电容和电感等寄生效应所造成的时序、耦合和串扰问题非常突出，传统的LTCC封装尺寸过大，难以实现系统的小型化，且无法实现天线的一体化集成；并且在射频系统中收发组件的功率密度很高，散热问题严重，小型化后散热矛盾更加突出。因此急需提出一种新型的结构的来解决射频系统及天线的小型化及高功率密度芯片集成后带来的散热问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种射频微系统集成封装天线，以解决现有射频系统难以小型化、且射频系统中收发组件的功率密度高带来的散热的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种射频微系统集成封装天线，包括硅基扇出型封装结构和与其互连的TGV转接板。可选的，所述TGV转接板的顶面和底面均做有再布线层。可选的，所述TGV转接板底面的再布线层上设有焊球，顶面的再布线层用于天线集成，实现电磁波的辐射与接收。可选的，所述硅基扇出型封装结构和所述TGV转接板通过键合工艺互连。可选的，所述硅基扇出型封装结构包括硅腔和置于所述硅腔内的多个半导体芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频微系统集成封装天线，其特征在于，包括硅基扇出型封装结构和与其互连的TGV转接板。

【技术特征摘要】
1.一种射频微系统集成封装天线，其特征在于，包括硅基扇出型封装结构和与其互连的TGV转接板。2.如权利要求1所述的射频微系统集成封装天线，其特征在于，所述TGV转接板的顶面和底面均做有再布线层。3.如权利要求2所述的射频微系统集成封装天线，其特征在于，所述TGV转接板底面的再布线层上设有焊球，顶面的再布线层用于天线集成，实现电磁波的辐射与接收。4.如权利要求1所述的射频微系统集成封装天线，其特征在于，所述硅基扇出型封装结构和所述TGV转接板通过键合工艺互连。5.如权利要求4所述的射频微系统集成封装天线，其特征在于，所述硅基扇出...

【专利技术属性】
技术研发人员：王剑峰，明雪飞，高娜燕，曹玉媛，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32