一种银纳米带透明导电薄膜及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种银纳米带透明导电薄膜及制备方法。银纳米带透明导电薄膜包括透明柔性衬底和银纳米带透明导电层，该银纳米带透明导电层由银纳米带连接排列构成规则的网状结构，银纳米带透明导电层的厚度小于0.3纳米，且银纳米带透明导电层嵌入到透明柔性衬底中，银纳米带是采用超声波压力加工，使在透明柔性衬底的表面上的银纳米线发生塑性变形后得到的。由于超声波压力加工使银纳米线发生塑性变形，使银纳米线的几何结构形变，加工为银纳米带，降低雾度，同时，由于银纳米带连接排列构成规则的网状结构，因此，银纳米带之间相互连接，构成一个完整的导电网络，提高了电导率。

【技术实现步骤摘要】
一种银纳米带透明导电薄膜及制备方法
本专利技术涉及透明导电电极领域，尤其涉及一种银纳米带透明导电薄膜及制备方法。
技术介绍
随着科技的不断发展，显示和触摸设备是移动设备革命的两大核心技术。显示和触摸设备都需要一种既具有良好导电性又具有高透过率的部件透明电极。氧化铟锡(IndiumTinOxides，ITO)作为氧化物导体，由于其自身的诸多优点，如在气氛环境中的稳定性高、光的散射率低等，一直被广泛的应用于制作电极材料。随着柔性电子器件的发展，ITO透明导电薄膜展现了越来越多的缺点，如脆性、铟资源紧缺、成本高、泛黄等。近来，银纳米线透明导电薄膜以其优异的柔韧性、低廉的制备成本、简单的操作工艺，逐渐走进科研工作者的视野，成为有望替代ITO的电极材料。而限制银纳米线透明导电薄膜实际应用的瓶颈问题是雾度大和银纳米线之间的接触电阻大。影响银纳米线透明导电薄膜的光学性能的原因主要是银纳米线的几何结构对可见光造成散射而造成雾度大，银纳米线与银纳米线接触处成搭接状态，未构成一个完整的导电网络，因而有很大的接触电阻，从而影响透明导电薄膜的电导率。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种银纳米带透明导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种银纳米带透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜包括透明柔性衬底和银纳米带透明导电层；所述银纳米带透明导电层由银纳米带连接排列构成规则的网状结构，所述银纳米带透明导电层的厚度小于0.3纳米，且所述银纳米带透明导电层嵌入到所述透明柔性衬底中，所述银纳米带是采用超声波压力加工，使在所述透明柔性衬底的表面上的银纳米线发生塑性变形后得到的。

【技术特征摘要】
1.一种银纳米带透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜包括透明柔性衬底和银纳米带透明导电层；所述银纳米带透明导电层由银纳米带连接排列构成规则的网状结构，所述银纳米带透明导电层的厚度小于0.3纳米，且所述银纳米带透明导电层嵌入到所述透明柔性衬底中，所述银纳米带是采用超声波压力加工，使在所述透明柔性衬底的表面上的银纳米线发生塑性变形后得到的。2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述透明柔性衬底的材料包括聚对苯二甲酸乙二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯、聚酰亚胺、聚丙烯乙二酯中的任意一种。3.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述银纳米线的直径介于40至50纳米，长度介于20至50微米。4.一种制作如权利要求1至3中任意一种银纳米带透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：对所述透明柔性衬底进行前处理，便于银纳米线在所述透明柔性衬底的表面均匀成膜；将银纳米线分散在银纳米线溶剂中配制成银纳米线涂布液，将所述银纳米线涂布液在前处理过的所述透明柔性衬底的表面涂布成规则的网状结构并干燥，得到位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：向雄志，彭湃，黄东炎，邱克垚，张国良，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东,44