垂直自旋轨道扭矩磁阻式随机存取存储器的存储器单元制造技术

一种四端子磁阻式存储器单元，其包括磁隧道结堆叠体、铁电层以及在磁隧道结堆叠体和铁电层之间的非铁磁自旋极化层。磁隧道结包括具有固定磁化方向的第一层、能够改变磁化方向的自由层、以及在第一层和自由层之间的绝缘层。非铁磁自旋极化层配置为响应于通过非铁磁自旋极化层的电流和铁电层处接收的电压产生垂直自旋极化。垂直自旋极化在自由层上施加扭矩以改变自由层的磁化方向。

【技术实现步骤摘要】
垂直自旋轨道扭矩磁阻式随机存取存储器的存储器单元
技术介绍
存储器广泛地应用于各种电子装置中，例如移动电话、数码相机、个人数码助理、医用电子装置、移动计算装置、非移动计算装置和数据服务器。存储器可包括非易失性存储器或易失性存储器。即使在非易失性存储器不连接到电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许信息储存和保留。非易失性存储器的一个示例是磁阻式随机存取存储器(MRAM)，其利用磁化表示储存的数据，与使用电荷储存数据的其它存储器技术不同。通常，MRAM包含形成在半导体基板上的大量磁存储器单元，其中每个存储器单元表示一个数据位。数据位通过改变存储器单元内的磁性元件的磁化方向而写入到存储器单元，并且通过测量存储器单元的电阻而读取位(例如，低电阻典型地表示“0”位，并且高电阻典型地表示“1”位)。尽管MRAM是富有前途的技术，但是现有的MRAM存储器是不可靠的，运行效率低下，和/或不能确切地转换。
技术实现思路
一个实施例包括装置，包括磁隧道结堆叠体、铁电层、以及在磁隧道结堆叠体和铁电层之间的非铁磁自旋极化层。附图说明不同的附图中类似的附图标记表示共同的部件。图1是MRAM存储器单元的框图。图2是M本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，包括：磁隧道结堆叠体；铁电层；以及非铁磁自旋极化层，该非铁磁自旋极化层位于该磁隧道结堆叠体和该铁电层之间。

【技术特征摘要】
2017.06.09 US 15/618,8781.一种装置，包括：磁隧道结堆叠体；铁电层；以及非铁磁自旋极化层，该非铁磁自旋极化层位于该磁隧道结堆叠体和该铁电层之间。2.如权利要求1所述的装置，其中：该非铁磁自旋极化层配置为响应于通过该非铁磁自旋极化层的电流和在该铁电层处接收的电压产生垂直自旋极化，该垂直自旋极化在该磁隧道结堆叠体上施加扭矩以改变该磁隧道结堆叠体的一部分的磁化方向。3.如权利要求1所述的装置，还包括：导电栅极层，该导电栅极层与该铁电层接触；第一端子，该第一端子连接到该磁隧道结堆叠体；第二端子，该第二端子连接到该栅极层；第三端子，该第三端子连接到该非铁磁自旋极化层；以及第四端子，该第四端子连接到该非铁磁自旋极化层。4.如权利要求3所述的装置，其中：该非铁磁自旋极化层配置为在该第二端子处接收电压时，响应于该第三端子和该第四端子之间的电流产生垂直自旋极化，该垂直自旋极化在该磁隧道结堆叠体上施加扭矩以改变该磁隧道结堆叠体的一部分的磁化方向。5.如权利要求4所述的装置，其中：该磁隧道结堆叠体包含连接到该第一端子的具有固定磁化方向的第一层、能够改变磁化方向的磁自由层、以及在...

【专利技术属性】
技术研发人员：G米哈伊洛维奇，JS里尔，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US