阵列基板检测方法及检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板检测方法及检测装置，涉及显示技术领域，用于改善现有技术中对阵列基板上的信号线进行良率测试的过程耗费时间长的问题。阵列基板检测方法，包括：向阵列基板上的多根栅线逐行输入扫描开启信号，以使阵列基板上的数据线生成采集信号；其中，每向一根所述栅线输入所述扫描开启信号，所述数据线上传输的电信号进行一次累计；获取每根所述数据线上的所述采集信号；根据所述采集信号的突变，确定发生短路的数据线以及所述发生短路的数据线在阵列基板上的位置。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板检测方法及检测装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及阵列基板检测方法及检测装置。
技术介绍
显示
常用的显示面板包括OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机电致发光二极管)显示面板和LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示面板)。以OLED显示面板为例，OLED显示面板具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、高色域、高对比度、响应速度快、耗能小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点。OLED显示面板在Array(阵列)段制程中，AT(ArrayTester，阵列检测仪)会对形成的驱动薄膜晶体管(DriverThinFilmTransistor，简称DTFT)以及AA区(AtiveArea，有效显示区)内的Pixel(像素)进行检测，并将缺陷种类、数量、位置等信息反馈产线，进而监控Array段工艺并不断改善，以此达到提高良率的目的。然而，现有技术中的AT检测过程中，AT设备对阵列基板上每个Pixel进行测试，以确定发生短路的信号线的坐标，每张阵列基板测试时间大约为60分钟，导致阵列基板的测试效率低。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板检测方法及检测装置，用于改善现有技术中对阵列基板上的信号线进行良率测试的过程耗费时间长的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种阵列基板检测方法，包括：向阵列基板上的多根栅线逐行输入扫描开启信号，以使阵列基板上的数据线生成采集信号；其中，每向一根所述栅线输入所述扫描开启信号，所述数据线上传输的电信号进行一次累计；获取每根所述数据线上的所述采集信号；根据所述采集信号的突变，确定发生短路的数据线以及所述发生短路的数据线在阵列基板上的位置。可选的，所述阵列基板检测方法还包括：向所述栅线逐行输入所述扫描开启信号之前，向阵列基板上的复位信号线输入开启信号，对阵列基板上的像素电路进行初始化。可选的，所述根据所述采集信号的突变，确定发生短路的所述数据线，包括：获取多个所述采集信号的平均值，将大于所述平均值的N倍的所述采集信号对应的所述数据线确定为所述发生短路的数据线。可选的，所述根据所述采集信号的突变，确定发生短路的所述数据线，包括：将大于设定值的所述采集信号对应的所述数据线确定为所述发生短路的数据线。第二方面，提供一种阵列基板检测装置，包括测试电压加载单元，用于向阵列基板上的多根栅线逐行输入扫描开启信号，以使阵列基板上的数据线生成采集信号；处理单元，用于在所述测试电压加载单元每向一根所述栅线输入所述扫描开启信号，对所述数据线上传输的电信号进行一次累计；电压采集单元，用于获取每根所述数据线上的所述采集信号；判断单元，用于根据所述采集信号的突变，确定发生短路的数据线以及所述发生短路的数据线在阵列基板上的位置。可选的，所述测试电压加载单元，还用于向阵列基板上的复位信号线输入开启信号，对阵列基板上的像素电路进行初始化。可选的，所述判断单元，具体用于将大于设定值的所述采集信号对应的所述数据线确定为所述发生短路的数据线。可选的，所述处理单元，还用于获取多个所述采集信号的平均值；所述判断单元，具体用于将大于所述平均值的N倍的所述采集信号对应的所述数据线确定为所述发生短路的数据线。第三方面，提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有指令，当所述指令在阵列基板检测装置上运行时，使得所述阵列基板检测装置执行第一方面所述的阵列基板检测方法。第四方面，提供一种包含指令的计算机程序产品，当所述计算机程序产品在阵列基板检测装置上运行时，使得所述阵列基板检测装置执行第一方面所述的阵列基板检测方法。本专利技术的实施例提供一种阵列基板检测方法及检测装置，通过仅在所有行栅线全部输入扫描开启信号后，获取数据线上最终形成的采集信号，通过一次检测就可以确定出数据线出现的不良数量以及位置。而并不是向一行栅线输入扫描开启信号，获取一次数据线上的电信号，获取多次数据线上的信号。实验表明，本专利技术实施例提供的阵列基板检测方法检测一张阵列基板所需的时间约为13分钟，仅为现有技术的21.67％。这样一来，可明显减少阵列基板的检测时间，从而提高了阵列基板的检出率，可增加阵列基板的监控数量，有助于提高产品良品率。此外，经实验表明，选取某一型号的产品，进行多样本检测，通过本专利技术实施例提供的阵列基板检测方法检测出的问题产品与FinalAT设备检测出的问题产品的匹配率高达89％左右，因此，利用本专利技术实施例提供的阵列基板检测方法对阵列基板进行检测，检测结果的准确率高。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板上的像素电路的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板检测方法的流程图；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的检测结果示意图；图5为本专利技术实施例提供的发生短路的数据线在阵列基板中的位置示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种阵列基板检测装置的结构示意图。附图标记：T1-第一晶体管；T2-第二晶体管；T3-第三晶体管；T4第四晶体管；T5-第五晶体管；T6-第六晶体管；T7-第七晶体管；Cst-存储电容；L-自发光器件；VDD-电源线；VSS-接地线；Reset-复位信号线；Gate-栅线；Vdata-数据电压端；EM-使能信号线；Vinit-初始化电压端；Data-数据线；Data′-发生短路的数据线；10-测试电压加载单元；20-处理单元；30-电压采集单元；40-判断单元。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。以OLED显示面板为例，在显示面板的阵列(Array)段制程中，不可避免的会出现工艺误差，导致阵列基板出现点不良或线不良。其中，本领域技术人员通过对阵列基板进行Aging(老化)处理，来消除点不良引起的显示不良的问题，从而可减小阵列基板的点不良问题。然而，Aging处理无法解决线不良(目前主要是数据线的不良)的问题。如图1所示，OLED显示面板通常包括用于传输数据电压的数据线Data、用于传输电源电压的电源线VDD、用于传输复位信号的复位信号线Reset等，受制备工艺的限制，数据线Data容易与电源线VDD或复位信号线Reset发生短路，导致OLED显示面板出现电学性不良，从而影响产品的良率。当然，数据线Data也可能与栅线Gate、公共电极线、其他数据线Data发生短路。为了解决线不良的问题，现有技术中通过AT设备对阵列基板内的每个像素进行检测，以确定发生不良的数据线Data。这样一来，每张阵列基板检测的时间比较长，极大的制约了阵列基板的监控本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板检测方法，其特征在于，包括：向阵列基板上的多根栅线逐行输入扫描开启信号，以使阵列基板上的数据线生成采集信号；其中，每向一根所述栅线输入所述扫描开启信号，所述数据线上传输的电信号进行一次累计；获取每根所述数据线上的所述采集信号；根据所述采集信号的突变，确定发生短路的数据线以及所述发生短路的数据线在阵列基板上的位置。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板检测方法，其特征在于，包括：向阵列基板上的多根栅线逐行输入扫描开启信号，以使阵列基板上的数据线生成采集信号；其中，每向一根所述栅线输入所述扫描开启信号，所述数据线上传输的电信号进行一次累计；获取每根所述数据线上的所述采集信号；根据所述采集信号的突变，确定发生短路的数据线以及所述发生短路的数据线在阵列基板上的位置。2.根据权利要求1所述的阵列基板检测方法，其特征在于，所述阵列基板检测方法还包括：向所述栅线逐行输入所述扫描开启信号之前，向阵列基板上的复位信号线输入开启信号，对阵列基板上的像素电路进行初始化。3.根据权利要求1所述的阵列基板检测方法，其特征在于，所述根据所述采集信号的突变，确定发生短路的所述数据线，包括：获取多个所述采集信号的平均值，将大于所述平均值的N倍的所述采集信号对应的所述数据线确定为所述发生短路的数据线。4.根据权利要求1所述的阵列基板检测方法，其特征在于，所述根据所述采集信号的突变，确定发生短路的所述数据线，包括：将大于设定值的所述采集信号对应的所述数据线确定为所述发生短路的数据线。5.一种阵列基板检测装置，其特征在于，包括：测试电压加载单元，用于向阵列基板上的多根栅线逐行输入扫描开启信号，以使阵列基板上的数据线生成采集信号；处理单元，用于在所述测试电压加...

【专利技术属性】
技术研发人员：李波，李建楠，王雷，胡岩，袁洪光，刘备，唐毅，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11