【技术实现步骤摘要】
闪存存储管理方法及闪存装置
本专利技术涉及计算机存储
，特别是涉及一种闪存存储管理方法及闪存装置。
技术介绍
目前，随着Flash技术的迅猛发展，MLC、TLC、3D等技术的问世，大大提高了Flash单Die的容量，相应地也就大大降低了Flash的成本。但是，随之而来数据稳定性的问题越来越大。特别是3DTLCFlash，其存储数据的错误Bit数，较之SLC和MLC等类型的Flash，有显著增加。单从数据可靠性角度，同样数据安全要求下，3DTLCBlock的可擦写次数为300-500次左右，而MLCBlock则是3000次左右，SLCBlock更是在上万次以上。由于错误Bit数的增加，Flash对于ECC的纠错能力有高的要求，像Toshiba和Micron等颗粒原厂在FlashDatasheet上明确指出使用LDPC来取代BCH算法。这大大提高了Flash的寿命，使用LDPC算法，大概能把3DTLCBlock的可擦写次数提高到上千次。为了进一步提高Flash的寿命，加之一些特性的需求，需要一种额外的技术，来增强Flash的可靠性。于是作为数据保护技术之一的RA...
【技术保护点】
1.一种闪存存储管理方法，所述方法包括：创建一个SLC Parity Block与一组TLC Data Block；建立所述SLC Parity Block与所述一组TLC Data Block的对应关系；将data page写入所述TLC Data Block中；根据所述SLC Parity Block与所述一组TLC Data Block的对应关系将data page对应的parity page按照次序写入SLC Parity Block中。
【技术特征摘要】
1.一种闪存存储管理方法，所述方法包括：创建一个SLCParityBlock与一组TLCDataBlock；建立所述SLCParityBlock与所述一组TLCDataBlock的对应关系；将datapage写入所述TLCDataBlock中；根据所述SLCParityBlock与所述一组TLCDataBlock的对应关系将datapage对应的paritypage按照次序写入SLCParityBlock中。2.根据权利要求1所述的闪存存储管理方法，其特征在于，所述方法还包括：获取闪存写入请求；判断是否闪存管理器是否开启RAID功能；若是，则进行信息写入以及更新；将闪存写入请求的信息进行格式化，将所述闪存写入请求下发至闪存存储器。3.根据权利要求2所述的闪存存储管理方法，其特征在于，所述将写请求的信息进行格式化，将所述请求下发至闪存存储器的步骤之后还包括：判断是否需要下发paritypage；若是，则下发所述paritypage至闪存存储器。4.根据权利要求1所述的闪存存储管理方法，其特征在于，所述方法还包括：获取SLCParityBlock垃圾回收流程的请求；将所述请求中SLCParityBlock的paritypage进行回收；根据所述SLCParityBlock与所述一组TLCDataBlock的对应关系，将所述请求中SLCParityBlock的paritypage对应的datapage从所述TLCDataBlock中进行回收。5.根据权利要求1所述的闪存存储管理方法，其特征在于，所述方法还包括：获取TLCDataBlock垃圾回收流程的请求；将所述请求中TLCDataBlock的datapage进行回收；根据所述SLCParityBlock与所述一组TLCDataBlock的对应关系，将所述请求中TLCDataBlock的datapage对应的paritypage从所述SLCParityBlock中进行回收。6.一种闪存装置，其特征在于，所述闪存装置包括：创建模块，用于创建一个SLCParityBl...
【专利技术属性】
技术研发人员：周冬华，杨洋，
申请(专利权)人：深圳忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。