一种纳米片组成的花状ZnO/CdS复合材料及其低温制备方法技术

本发明专利技术公开了一种花状ZnO/CdS复合材料及其低温制备方法，首先将锌源置于碱性环境中进行低温反应，使所得ZnO纳米片自组装形成花状结构，然后再将所得花状ZnO依次浸渍于镉源溶液和硫源溶液，在常温搅拌条件下实现CdS量子点的合成及其在花状ZnO的负载，形成花状ZnO/CdS复合材料；本发明专利技术涉及的反应条件温和、操作简单，且反应原料来源广，无需额外引用模板剂或表面改性剂等结构导向剂，对解决环境及能源问题具有重要意义；且制备的花状ZnO/CdS复合材料具有丰富的表面形貌和较高的暴露晶面，有利于CdS粒子在ZnO纳米片有效和稳定负载，并有效提升所得复合材料的光催化性能，具有重要的研究和推广价值。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米片组成的花状ZnO/CdS复合材料及其低温制备方法
本专利技术属于纳米材料制备的
，具体涉及一种纳米片组成的花状ZnO/CdS复合材料及其低温制备方法。
技术介绍
目前，环境污染及气候变暖已经是全人类需要共同面对的问题。而这些问题究其根本，还是来自于化石燃料燃烧所产生的大量温室气体及有害气体的肆意排放。同时，我们现在大量使用的化石燃料属于不可再生资源，导致能源危机日趋严重。在这样的形势下，氢气因其较高的燃烧热和清洁的燃烧产物，被作为一种新型的清洁高效能源而受到广泛关注。1972年，Fujishima在紫外光照射下利用半导体二氧化钛作为电极，首次实现了光催化分解水产生氢气。此后，基于光催化技术的分解水制氢，已作为一种有望解决全球能源与环境问题的技术而得到广泛深入的研究。目前已有众多半导体光催化材料用于提高产氢效率的报道，如TiO2、ZnO、C3N4、CdS、MoS2等。ZnO是一种常用的光催化剂，属于直接带隙半导体，可有效避免间接半导体中电子跃迁几率低、量子效率低等问题。但是，其宽禁带宽度(3.2eV)以及光生载流子的快速复合抑制了光催化效率。CdS因其窄禁带宽度(2.4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米片组成的花状ZnO/CdS复合材料的低温制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将氢氧化钠加入锌盐溶液中混合均匀，将所得混合溶液置于水浴锅中静置，然后经离心、洗涤、冷冻干燥，得纳米片组装形成的花状ZnO；2)向纳米花状ZnO中加入镉源溶液后，进行搅拌反应，经离心、洗涤得负载了Cd的ZnO固体，再向此固体中加入硫源溶液，进行二次搅拌反应，再经离心、洗涤、冷冻干燥，即得纳米片组成的花状ZnO/CdS复合材料。

【技术特征摘要】
1.一种纳米片组成的花状ZnO/CdS复合材料的低温制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将氢氧化钠加入锌盐溶液中混合均匀，将所得混合溶液置于水浴锅中静置，然后经离心、洗涤、冷冻干燥，得纳米片组装形成的花状ZnO；2)向纳米花状ZnO中加入镉源溶液后，进行搅拌反应，经离心、洗涤得负载了Cd的ZnO固体，再向此固体中加入硫源溶液，进行二次搅拌反应，再经离心、洗涤、冷冻干燥，即得纳米片组成的花状ZnO/CdS复合材料。2.根据权利要求1所述的低温制备方法，其特征在于，所述锌盐溶液的浓度为0.1～0.2mol/L。3.根据权利要求1所述的低温制备方法，其特征在于，所述锌盐可选用硝酸锌、氯化锌、硫酸锌等。4.根据权利要求1所述的低温制备方法，其特征在于，所述锌盐与氢氧化钠的摩尔比为1:(5～6)。5.根据权利要求1所述的低温制备方法，其特征在于，所述水浴温度为30～50℃，静置时间为4～8h。6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：平航，王寅威，谢浩，傅正义，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42