CuFeO2/ZnO三维纳米p-n异质结材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种CuFeO2/ZnO三维纳米p‑n异质结材料的制备方法，其步骤为：将CuFeO2纳米片加入到Zn(NO3)2与乌洛托品的混合前驱液中，形成均匀的悬浊液后，将该悬浊液通过水热或常压加热的方法，反应一段时间后得到三维纳米异质结构。所述方法过程简便、原料廉价，所制备的CuFeO2/ZnO三维纳米p‑n异质结材料具有较高的光电化学性能。

【技术实现步骤摘要】
CuFeO2/ZnO三维纳米p-n异质结材料的制备方法
本专利技术涉及能源材料领域，特别是涉及应用于光催化还原水的CuFeO2纳米片上外延生长ZnO纳米棒阵列的三维纳米异质结构的制备方法。
技术介绍
p型半导体CuFeO2与n型半导体ZnO可构筑成p-n异质结，并具有光电化学分解水制氢的应用潜力。文献[Chemsuschem,2015,1359-1367;J.Mater.Chem.A,2017,165-171]报道了基于CuFeO2的光电极材料的制备，但到目前为止，尚未有制备CuFeO2/ZnO三维纳米p-n异质结材料的报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种CuFeO2/ZnO三维纳米p-n异质结材料的制备方法。为实现上述目的，本专利技术的技术方案是：首先配制不同浓度的Zn(NO3)2与乌洛托品（HMT）的混合前驱液，再通过超声将CuFeO2纳米片加入到该前驱液中，形成均匀的悬浊液后，将该悬浊液通过水热或常压加热的方法，反应一段时间后得到三维纳米异质结构，将产物分别三次水洗和醇洗后转入50℃烘箱中干燥10h，这种方法简便成本低，所得到的三维纳米异质结构稳定。进一步的，所述的Zn本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.CuFeO2/ZnO三维纳米p‑n异质结材料的制备方法，其特征在于，将CuFeO2纳米片加入到Zn(NO3)2与乌洛托品的混合前驱液中，形成均匀的悬浊液后，将该悬浊液通过水热或常压加热的方法，反应一段时间后得到三维纳米异质结构。

【技术特征摘要】
1.CuFeO2/ZnO三维纳米p-n异质结材料的制备方法，其特征在于，将CuFeO2纳米片加入到Zn(NO3)2与乌洛托品的混合前驱液中，形成均匀的悬浊液后，将该悬浊液通过水热或常压加热的方法，反应一段时间后得到三维纳米异质结构。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的混合前驱液中，Zn(NO3)2与乌洛托品的物质的量之比为1:2~1:10。3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋腾飞，许聪，
申请(专利权)人：扬州大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32