抗扰电路制造技术

技术编号:19782240 阅读:47 留言:0更新日期:2018-12-15 12:31
本实用新型专利技术涉及信号抗干扰技术领域,公开了一种抗扰电路,若干个信号输入端均连接至信号处理芯片若干管脚,各信号输入端均通过一个NPN三极管连接至MCU的一个I/O口,所述NPN三极管集电极连接至信号处理芯片输入管脚,所述NPN三极管的基极连接至所述I/O口,所述NPN三极管的发射极接地,所述MCU包括I/O电平控制模块,所述I/O电平控制模块控制所述I/O口输出高电平或低电平,控制对应的NPN三极管导通过截止。本实用新型专利技术通过MCU控制NPN三极管的饱和导通降低非工作信号的输出电平,减少对工作信号的干扰。

【技术实现步骤摘要】
抗扰电路
本技术涉及信号抗干扰
,具体涉及的是一种抗扰电路。
技术介绍
当今随着IC的集成化越来越高,管脚也变得越来越密集,而伴随着音视频信号的种类的增加,家用音视频终端的接口也变得越来越多了,有时信号之间会发生相互串扰的情况,像一台电视如果同时驳接两台DVD,两台DVD又同时处在播放状态时,有些电视就会出现图像或声音相互串扰现象。现有的处理方法是通过增加屏蔽线,改善信号质量进行规避,并不能从根本上解决信号串扰问题。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述问题,提供一种抗扰电路,通过将干扰信号临时降低电平的方式,实现抗串扰。本技术采取的技术方案是:一种抗扰电路,其特征是,若干个信号输入端均连接至信号处理芯片,信号处理芯片相邻信号输入端均通过一个NPN三极管连接至MCU的一个I/O口,所述NPN三极管集电极连接至信号处理芯片输入管脚,所述NPN三极管的基极连接至所述I/O口,所述NPN三极管的发射极接地,所述MCU包括I/O电平控制模块,所述I/O电平控制模块控制所述I/O口输出高电平或低电平,控制对应的NPN三极管导通过截止。进一步,每个信号输入端与信号处理芯片之间连接一个隔离电阻,所述NPN三极管的集电极连接至隔离电阻与信号处理芯片之间。进一步,所述信号输入端为大于2个,所述I/O电平控制模块控制1个I/O口输出低电平截止对应NPN三极管,其余I/O口输出高电平饱和导通所述NPN三极管。本技术的有益效果是:(1)通过NPN三极管的饱和导通降低非工作信号的输出电平,减少对工作信号的干扰;(2)线路设计简单,可靠性高,效果好。附图说明附图1是本技术的电路示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术抗扰电路的具体实施方式作详细说明。参见附图1,多路输入信号分别连接于各自的隔离电阻一端,隔离电阻另一端分别连接于各自的受控NPN晶体管集电极和信号处理器的各自输入管脚,对应的MCU各I/O口连接于所控制的NPN晶体管基极,所有受控NPN晶体管的发射极接地。MCU内包括I/O电平控制模块,所述I/O电平控制模块控制所述I/O口输出高电平或低电平,控制对应的NPN三极管导通过截止。I/O电平控制模块可通过软件实现对I/O口电平的控制。继续参见附图1,以三路输入信号为例,当三路输入信号A,B,C分别通过隔离电阻R1,R2,R3连接到信号处理芯片N所对应的各输入脚S1,S2,S3。当信号处理芯片要对B路信号进行处理时,由于A、C路信号管脚与B管脚相邻,可能会对B路信号产生干扰。这时,MCU的I/O电平控制模块使得MCU的I/O1和I/O3管脚输出高电平,I/O2管脚输出低电平,这时,NPN晶体管T1和T3饱和导通,将隔离电阻R1和R3的输出脚电平拉低到接近0V,从而将A路信号和C路信号幅度降到接近0V,使其不足以对B路信号进行干扰,而由于MCU的I/O2管脚输出低电平,晶体管T2截止,所以B路信号不受影响。如果此时没有MCU对晶体管T1,T2,T3的控制,如果S1,S2,S3管脚很密,连线之间距离很近,当三路信号又很强时,很可能会形成信号的干扰叠加,例如信号信号处理芯片N此时要选择B通道信号进行处理,A和C信号就有可能对信号B形成叠加干扰,形成干扰噪声。以上所述仅是本技术的优选实施方式,应当指出,对于本
的普通技术人员,在不脱离本技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种抗扰电路,其特征在于:若干个信号输入端均连接至信号处理芯片相邻若干管脚,信号处理芯片相邻信号输入若干管脚端均通过一个NPN三极管连接至MCU的一个I/O口,所述NPN三极管集电极连接至信号处理芯片输入管脚,所述NPN三极管的基极连接至所述I/O口,所述NPN三极管的发射极接地,所述MCU包括I/O电平控制模块,所述I/O电平控制模块控制所述I/O口输出高电平或低电平,控制对应的NPN三极管导通或截止。

【技术特征摘要】
1.一种抗扰电路,其特征在于:若干个信号输入端均连接至信号处理芯片相邻若干管脚,信号处理芯片相邻信号输入若干管脚端均通过一个NPN三极管连接至MCU的一个I/O口,所述NPN三极管集电极连接至信号处理芯片输入管脚,所述NPN三极管的基极连接至所述I/O口,所述NPN三极管的发射极接地,所述MCU包括I/O电平控制模块,所述I/O电平控制模块控制所述I/O口输出高电平或低电平,控制对...

【专利技术属性】
技术研发人员:王伟
申请(专利权)人:上海战诚电子科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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