一种GaAs基高铟组分沟道改性高电子迁移率晶体管材料结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种GaAs基高铟组分沟道改性高电子迁移率晶体管材料结构，该结构由在半绝缘GaAs衬底(1)上依次生长的InAlAs连续渐变缓冲层(2)、InAlAs固定组分缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、InAlAs空间隔离层(5)、平面掺杂层(6)、InAlAs势垒层(7)、InGaAs重掺杂帽层(8)组成。该材料结构设计了新的InAlAs缓冲层以满足生长高In组分InGaAs沟道层的需求。这种高In沟道层可以增强沟道载流子限制、增加沟道载流子浓度和迁移率，提高器件的高频性能。

【技术实现步骤摘要】
一种GaAs基高铟组分沟道改性高电子迁移率晶体管材料结构
本技术属于化合物半导体材料
，涉及一种由分子束外延技术生长的砷化镓(GaAs)基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)材料结构。
技术介绍
高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高频、高速、高功率增益和低噪声等特点，因而被广泛应用于军事和民用通讯领域，如毫米波雷达、电子对抗、卫星通讯及无线通讯等。随着化合物半导体技术和信息技术的飞速发展,越来越需要更高频率、更大带宽的半导体器件与电路,尤其是低噪声器件与电路,来满足下一代高速通信与探测遥感系统的需求。InP基的InAlAs/InGaAs/InP高电子迁移率晶体管(HEMT)由于其特有的高迁移率、低表面复合速率、良好的低噪声性能等,在高频、低噪声应用中有很大的优势。InPHEMT器件的fmax可以达到了1.0THz以上。常规的GaAs基HEMT主要应用于Ka波段以下，而InP基HEMT在更高频的W及以上波段仍具有高增益、低噪声的优异性能，这是普通GaAs基HEMT所不可及的。但是InP基HEMT也有它的不足之处，如成本高、易碎裂，加工工艺兼容性等问题。因此，促使在GaAs基改性高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaAs基高铟组分沟道改性高电子迁移率晶体管材料结构，其特征在于：该结构包括GaAs半绝缘衬底(1)、InAlAs连续渐变缓冲层(2)、InAlAs固定组分缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、InAlAs空间隔离层(5)、平面掺杂层(6)、InAlAs势垒层(7)、InGaAs重掺杂帽层(8)；在GaAs半绝缘衬底(1)上依次生长InAlAs连续渐变缓冲层(2)、InAlAs固定组分缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、InAlAs空间隔离层(5)、平面掺杂层(6)、InAlAs势垒层(7)、InGaAs重掺杂帽层(8)。

【技术特征摘要】
1.一种GaAs基高铟组分沟道改性高电子迁移率晶体管材料结构，其特征在于：该结构包括GaAs半绝缘衬底(1)、InAlAs连续渐变缓冲层(2)、InAlAs固定组分缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、InAlAs空间隔离层(5)、平面掺杂层(6)、InAlAs势垒层(7)、InGaAs重掺杂帽层(8)；在GaAs半绝缘衬底(1)上依次生长InAlAs连续渐变缓冲层(2)、InAlAs固定组分缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、InAlAs空间隔离层(5)、平面掺杂层(6)、InAlAs势垒层(7)...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯巍，
申请(专利权)人：新磊半导体科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32