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本实用新型公开了一种GaAs基高铟组分沟道改性高电子迁移率晶体管材料结构，该结构由在半绝缘GaAs衬底(1)上依次生长的InAlAs连续渐变缓冲层(2)、InAlAs固定组分缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、InAlAs空间隔离层(5...
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