导电层叠结构及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种导电层叠结构及其制作方法、显示装置，在基底的走线区形成有若干个支撑柱，在基底及支撑柱上形成有纳米金属线层，相邻支撑柱之间的纳米金属线层受重力与表面张力作用，表面会呈凹曲面，然后在所述纳米金属线层上形成有增粘层，所述增粘层覆盖所述纳米金属线层，且相邻所述支撑柱之间的所述增粘层也具有凹曲面，之后在所述增粘层的凹曲面内形成有走线层，所述走线层与所述纳米金属线层的接触面为曲面，在不增加边框宽度的前提下，能够增加所述走线层与所述纳米金属线层的接触面积，从而提高所述纳米金属线层的导电能力。

【技术实现步骤摘要】
导电层叠结构及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及触控
，具体涉及一种导电层叠结构及其制作方法、显示装置。
技术介绍
触控设备因其便于操作、成像效果好、功能多元化等优点逐渐受到电子通讯行业的青睐，并广泛应用于资讯系统设备、家电设备、通讯设备、个人便携设备等产品上。而伴随近年来触控面板在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触控面板一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触控面板主要是电阻式触控面板和电容式触控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触控面板作为其最佳首选设备。在传统智能手机的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但随着触控面板尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，价格昂贵，无法保证大尺寸触控面板良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。正因如此，产业界一直在致力于开发ITO的替代材料，其中纳米银线(silvernanowires，简称SNW)作为一种新兴材料开始替代ITO成为优选的导电材料。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作替代ITO作为触控电极的材料，实现基于纳米银线的触控面板。然而，纳米银线与柔性基底如PI的粘附能力较差，需要使用overcoater(简称OC)作为介质辅助改善，但是由于OC的掺入，导致单位面积内纳米银线的导电能力降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种导电层叠结构及其制作方法、显示装置，在不增加边框宽度的前提下，增加纳米金属线层与走线层的接触面积，提高导电膜结构的导电能力。为实现上述目的，本专利技术提供一种导电层叠结构，包括：基底；若干个支撑柱，若干个所述支撑柱位于所述基底的走线区；纳米金属线层，所述纳米金属线层覆盖所述基底与所述支撑柱，且相邻所述支撑柱之间的所述纳米金属线层具有凹曲面；增粘层，所述增粘层覆盖所述纳米金属线层，且相邻所述支撑柱之间的所述增粘层具有凹曲面；以及走线层，所述走线层位于所述增粘层的所述凹曲面内。可选地，沿垂直于所述走线区的方向，所述走线区中设置有至少两组支撑柱。可选地，每组支撑柱中包括沿走线区的延伸方向排布的若干个支撑柱，所述支撑柱具有块状凸起结构。可选地，每组支撑柱包括一个或若干个支撑柱，所述支撑柱具有沿平行于所述基底相应边的方向延伸的凸棱结构。可选地，所述走线区的上表面与位于所述支撑柱上方的增粘层的上表面齐平。可选地，所述支撑柱的材质为透明金属氧化物。可选地，所述支撑柱的材质为ITO。可选地，所述纳米金属线层包括堆叠的纳米银线。相应的，本专利技术还提供一种导电层叠结构的制作方法，包括：提供一基底，在所述基底的走线区形成若干个支撑柱；形成纳米金属线层，所述纳米金属线层覆盖所述基底与所述支撑柱，且相邻所述支撑柱之间的所述纳米金属线层具有凹曲面；形成增粘层，所述增粘层覆盖所述纳米金属线层，且相邻所述支撑柱之间的所述增粘层具有凹曲面；以及形成走线层，所述走线层位于所述增粘层的所述凹曲面内。相应的，本专利技术还提供一种显示装置，包括如上所述的触控面板。与现有技术相比，本专利技术提供的导电层叠结构及其制作方法、显示装置具有以下有益效果：本专利技术在基底的走线区形成有若干个支撑柱，在基底及支撑柱上形成有纳米金属线层，相邻支撑柱之间的纳米金属线层受重力与表面张力作用，表面会呈凹曲面，然后在所述纳米金属线层上形成有增粘层，所述增粘层覆盖所述纳米金属线层，且相邻所述支撑柱之间的所述增粘层也具有凹曲面，之后在所述增粘层的凹曲面内形成有走线层，所述走线层与所述纳米金属线层的接触面为曲面，在不增加边框宽度的前提下，能够增加所述走线层与所述纳米金属线层的接触面积，从而提高所述纳米金属线层的导电能力。附图说明图1为一导电层叠结构的结构示意图；图2为本专利技术一实施例所提供的导电层叠结构的结构示意图；图3为本专利技术一实施例所提供的导电层叠结构的制作方法的流程图；图4～7为本专利技术一实施例所提供的导电层叠结构的制作方法的各步骤的剖面结构示意图。具体实施方式请参考图1所示，其为一导电层叠结构的结构示意图，如图1所示，所述导电层叠结构包含：基底1、位于所述基底1上的纳米银线层2、位于所述纳米银线层2上的OC层3、位于所述OC层3上的走线层4，且走线层4位于所述基底1的走线区。由于纳米银线层2的粘附性能特别差，因此在所述纳米银线层2上增加一层OC层3，用于增加所述纳米银线层2的粘附力，但是由于OC层3内的OC会渗入所述纳米银线层2内，导致单位面积内所述纳米银线层2的导电能力降低。目前可通过增加纳米银线层2与走线层4的接触宽度，即增加接触面积来解决导电能力差的问题，但是增加接触面积势必会增加边框的宽度，而增加边框宽度不符合目前窄边框设计的趋势。针对上述问题，申请人提供一种导电层叠结构及其制造方法，在不增加边框宽度的前提下，能够增加所述走线层与所述纳米金属线层的接触面积，提高所述纳米金属线层的导电能力。为使本专利技术的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本专利技术的内容做进一步说明。当然本专利技术并不局限于该具体实施例，本领域的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本专利技术的保护范围内。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。其次，本专利技术利用示意图进行了详细的表述，在详述本专利技术实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应对此作为本专利技术的限定。本专利技术的核心思想在于，在基底的走线区形成有若干个支撑柱，在基底及支撑柱上形成有纳米金属线层，相邻支撑柱之间的纳米金属线层受重力与表面张力作用，表面会呈凹曲面，然后在所述纳米金属线层上形成有增粘层，所述增粘层覆盖所述纳米金属线层，且相邻所述支撑柱之间的所述增粘层也具有凹曲面，之后在所述增粘层的凹曲面内形成有走线层，所述走线层与所述纳米金属线层的接触面为曲面，在不增加边框宽度的前提下，能够增加所述走线层与所述纳米金属线层的接触面积，从而提高所述纳米金属线层的导电能力。请参考图2所示，本实施例所提供的导电层叠结构包括：基底10；若干个支撑柱20，所述支撑柱20位于所述基底10的走线区；纳米金属线层30，所述纳米金属线层30覆盖所述基底10与所述支撑柱20，且相邻所述支撑柱20之间的所述纳米金属30层具有凹曲面；增粘层40，所述增粘层40覆盖所述纳米金属线层30，且相邻所述支撑柱20之间的所述增粘40层具有凹曲面；以及走线层50，所述走线层50位于所述增粘层40的所述凹曲面内。对应于触控面板的可视区与边框区，所述基底10包括功能区和走线区(也被称为引线区)，所述走线区例如是包围功能区，所述功能区后续通常用于透光显示，所述走线区通常不透光。本实施例中，沿垂直于所述走线区的方向，所述走线区中设置有至少两组支撑柱。每组支撑柱中包括沿走线区的延伸方向(平行于所述基底10相应边的方向)排布的若干个支撑柱20，所述支撑柱20具有块状凸起结构。每组支撑柱包括一个或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电层叠结构，其特征在于，包括：基底；若干个支撑柱，若干个所述支撑柱位于所述基底的走线区；纳米金属线层，所述纳米金属线层覆盖所述基底与所述支撑柱，且相邻所述支撑柱之间的所述纳米金属线层具有凹曲面；增粘层，所述增粘层覆盖所述纳米金属线层，且相邻所述支撑柱之间的所述增粘层具有凹曲面；以及走线层，所述走线层位于所述增粘层的所述凹曲面内。

【技术特征摘要】
1.一种导电层叠结构，其特征在于，包括：基底；若干个支撑柱，若干个所述支撑柱位于所述基底的走线区；纳米金属线层，所述纳米金属线层覆盖所述基底与所述支撑柱，且相邻所述支撑柱之间的所述纳米金属线层具有凹曲面；增粘层，所述增粘层覆盖所述纳米金属线层，且相邻所述支撑柱之间的所述增粘层具有凹曲面；以及走线层，所述走线层位于所述增粘层的所述凹曲面内。2.如权利要求1所述的导电层叠结构，其特征在于，沿垂直于所述走线区的方向，所述走线区中设置有至少两组支撑柱。3.如权利要求2所述的导电层叠结构，其特征在于，每组支撑柱中包括沿所述走线区的延伸方向排布的若干个支撑柱，所述支撑柱具有块状凸起结构。4.如权利要求2所述的导电层叠结构，其特征在于，每组支撑柱包括一个或若干个支撑柱，所述支撑柱具有沿平行于所述基底相应边的方向延伸的凸棱结构。5.如权利要求1所述的导电层叠结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：史梁，郭瑞，林昶，乔贵洲，谢峰，崔志远，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13