【技术实现步骤摘要】
一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法
本专利技术属于陶瓷基复合材料领域,尤其涉及一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法。
技术介绍
多孔SiC陶瓷是一种兼具结构性和功能性的陶瓷材料,由于其内部和表面存在大量贯通的及非贯通的孔,因此除了具备普通陶瓷的性能外,还具有许多特殊的性能,如较高的比表面积、优异的透过性能和特殊的吸音降噪性能等,在净化过滤、保温隔热、生物医疗、电子器件、航空航天和能源化工等各方面都有广泛的应用近些年来,在多孔SiC陶瓷传统制备工艺的基础上,新工艺及新的应用也不断发展拓宽,相关研究也比较丰富,已经成为陶瓷方向研究的热点。作为纳米增强体的一种,纳米线可通过裂纹偏转及桥连等增韧机制,有效改善单相陶瓷性能。在复合材料中,纳米线作为第二增强体引入到材料基体中,可对微区基体进行强韧化,有效提高基体抗裂纹扩展能力。SiC纳米线是一种性能优异的纳米增强体,拉伸强度可达到53.4GPa,远大于SiC纤维和SiC晶须。SiC纳米线是一种性能优异的纳米增强体,拉伸强度可达到53.4GPa,远大于SiC纤维和SiC晶须。目前制备碳化硅 ...
【技术保护点】
1.一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料,其特征在于,包括SiC纳米线,SiC陶瓷多孔基体;所述的SiC纳米线通过原位生长自交联组成均匀的空间网格结构的预制体,所述SiC多孔陶瓷基体填充于SiC纳米线的孔隙之中,所述SiC多孔陶瓷基体质量占复合材料的50%‑70%。
【技术特征摘要】
1.一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料,其特征在于,包括SiC纳米线,SiC陶瓷多孔基体;所述的SiC纳米线通过原位生长自交联组成均匀的空间网格结构的预制体,所述SiC多孔陶瓷基体填充于SiC纳米线的孔隙之中,所述SiC多孔陶瓷基体质量占复合材料的50%-70%。2.根据权利要求1所述的SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料,其特征在于,所述复合材料的密度为0.5-1.2g/cm3。3.根据权利要求1所述的SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料,其特征在于,所述SiC纳米线的平均直径为20nm-80nm,平均长度为1mm-10mm。4.一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)采用常压...
【专利技术属性】
技术研发人员:李斌斌,黄海泉,毛帮笑,
申请(专利权)人:南京航空航天大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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