亚微米结构超薄氧化铝陶瓷基片及制备方法技术

本发明专利技术提供亚微米结构超薄氧化铝陶瓷基片及制备方法，其特征在于，它包括以下几个步骤：(1)浆料的制备；(2)干燥脱水；(3)粗轧；(4)精轧成型；(5)冲压；(6)排胶；(7)烧结。本发明专利技术通过轧制工艺，显著提高了超薄氧化铝陶瓷基片生坯密度，在少量MgO、ZrO2、Y2O3添加剂的作用下，显著提高了材料的烧结性能，降低其烧结温度，从而获得亚微米结构超薄氧化铝陶瓷基片。

【技术实现步骤摘要】
亚微米结构超薄氧化铝陶瓷基片及制备方法
本专利技术涉及到一种亚微米结构氧化铝陶瓷的制备方法，具体应用于99.6％超薄氧化铝陶瓷基片的制备方法。技术背景氧化铝陶瓷由于强度高、导热性好、介电损耗小、透波性好等优点，在厚膜电路和薄膜电路中已得到广泛的应用。如何批量化制备出超薄(0.1～0.5mm)、高强度(>600MPa)、导热性好、介电损耗小的高品质氧化铝陶瓷基片是一个技术难题。通常，高纯氧化铝陶瓷在常压氢气或真空烧结过程中，由于烧结温度大于1700℃，晶粒尺寸一般达到几个微米或几十个微米，导致材料的抗弯强度较低(300～400MPa)。因此，获取亚微米结构氧化铝陶瓷，以提高其弯曲强度，是本专利技术的一个难点。在目前亚微米结构氧化铝陶瓷研究中，着重于特殊的烧结工艺使用，如热等静压烧结、放电等离子烧结和两段法烧结等。如专利CN200510115465.2采用在200MPa压力下于1200℃热等静压10～14小时烧制出晶粒尺寸小于1μm的氧化铝陶瓷。专利CN200810062630.6采用在10～200MPa压力下于1050～1450℃放电等离子烧结工艺获得晶粒尺寸为0.3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.亚微米结构超薄氧化铝陶瓷基片，其特征在于：含有质量份数为：99.6份纯度大于99.99％的纳米氧化铝粉，0.05～0.15份的MgO、0.1～0.2份的Y2O3、0.1～0.2份的ZrO2；陶瓷密度不小于3.9g/cm3，晶粒尺寸介于0.5～1μm之间，弯曲强度大于600MPa。

【技术特征摘要】
1.亚微米结构超薄氧化铝陶瓷基片，其特征在于：含有质量份数为：99.6份纯度大于99.99％的纳米氧化铝粉，0.05～0.15份的MgO、0.1～0.2份的Y2O3、0.1～0.2份的ZrO2；陶瓷密度不小于3.9g/cm3，晶粒尺寸介于0.5～1μm之间，弯曲强度大于600MPa。2.一种制造权利要求1所述的亚微米结构超薄氧化铝陶瓷基片的制备方法，其特征在于，它包括以下几个步骤：(1)浆料的制备：将质量份数为99.6份纯度为99.99％的纳米氧化铝粉、0.3～1份的Mg(NO3)26H2O、0.3～0.8份的Y(NO3)36H2O和0.3～0.6份的ZrOCl28H2O放入球磨机中，加入去离子水和氧化锆研磨球，使用氨水调节pH至9，以最终获取0.05～0.15份的MgO、0.1～0.2份的Y2O3、0.1～0.2份的ZrO2；再加入2份聚丙烯酸铵分散剂，进行球磨，制备固含量为50～60％的浆料；将球磨后的浆料中加入20～30份的高分子量聚乙烯醇胶粘剂、1份油酸和200份去离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵学国，朱肖华，熊兆荣，
申请(专利权)人：厦门朝瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35