一种有源混频器制造技术

本发明专利技术公开了一种有源混频器,属于混频器技术领域。该混频器包括跨导级、开关级和负载级三部分；跨导级采用第三阶跨导系数修正电流镜对电路,将输入的射频差分电压信号转换成电流信号；开关级MOS管在本振大信号的控制下轮流导通；负载级电阻将开关级转换后的电流信号转换成电压信号；该混频器采用了改进型的动态电流注入技术,减小了混频器的闪烁噪声；相对现有技术,本发明专利技术结构简单、转换增益高、线性度好、噪声低、端口隔离度好。

【技术实现步骤摘要】
一种有源混频器
本专利技术属于射频集成电路领域，涉及一种有源混频器，具体为高转换增益、高线性度、低噪声、高隔离度的混频器。
技术介绍
随着无线通信的高速发展，Wifi、蓝牙广泛应用于人们的工作于生活中，无线通信的迅速发展使得人们对通信设备需求不断增加，并且对其性能提出了更高的要求。射频接收机是无线通信的重要模块，它的性能指标影响着整个无线通信系统，所以射频集成电路的设计必须向着小型化、低成本、低功耗、高性能、高集成度方向发展。混频器是射频接收机的核心模块，它实现射频到中频的转换。有源混频器对本振功率要求较低，而且可以提供较高的增益，降低混频器后级电路的噪声要求。因此，在混频器的设计中，需要对转换增益、噪声、线性度、功耗、隔离度等性能指标进行综合考虑。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种有源混频器电路，所要解决的技术问题是：在低功耗的基础上提高混频器的性能受到限制。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种有源混频器电路，包括跨导级、开关级和负载级。跨导级模块采用第三阶跨导系数修正电流镜技术、噪声消除技术和源简并电感结构，与外部输入设备连接，接入射频电压信号，将射频电压信号转化为射频电流信号；开关级接入本振信号，采用MOS管在本振大信号的控制下轮流导通，对电流进行切换调制，来实现频率的转换；所述负载级RC电路负责把变频后的中频电流信号转换成输出电压信号。本专利技术的有益效果是：跨导级由第三阶跨导系数修正电流镜技术(M1-M10)构成，使得混频器的转换增益和线性度得到了改善。同时采用源简并电感结构，电感L4、L5提供了较好的输入匹配特性，还提高了电路的线性度。为降低输入级的噪声，在跨导级采用了噪声消除技术。电路在两个开关级的共源节点处并联了一个电感L1，用来消除寄生电容对噪声和线性度的影响。为了提高混频器的转换增益，电路采用了改进型的动态电流注入技术用来减小闪烁噪声。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。进一步，跨导级包括NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M9、NMOS管M10，PMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8，电感L1、电感L2、电感L3、电感L4和电感L5。其中电感L2的一端与射频电压信号的正极端RF+连接，另一端与NMOS管M1的栅极连接；NMOS管M1的源级与NMOS管M2的源级连接，漏极与NMOS管M9的漏极连接；NMOS管M9的栅极和漏极连接，源级与NMOS管M1的栅极连接；NMOS管M2的栅极与NMOS管M1的栅极连接，源级与NMOS管M1的源级连接，漏极与PMOS管M6的漏极连接；电感L4的一端与NMOS管M1的源级连接，另一端接地；PMOS管M5的漏极与NMOS管M1的漏极连接，栅极与PMOS管M6的栅极连接，源级与偏置电压V0连接；PMOS管M6的栅极和漏极连接，源级与偏置电压V0连接；电感L3的一端与射频电压信号的负极端RF-连接，另一端与NMOS管M3的栅极连接；NMOS管M3的源级与NMOS管M4的源级连接，漏极与NMOS管M10的漏极连接；NMOS管M10的栅极和漏极连接，源级与NMOS管M3的栅极连接；NMOS管M4的栅极与NMOS管M3的栅极连接，源级与NMOS管M3的源级连接，漏极与PMOS管M7的漏极连接；电感L5的一端与NMOS管M3的源级连接，另一端接地；PMOS管M8的漏极与NMOS管M3的漏极连接，栅极与PMOS管M7的栅极连接，源级与偏置电压V0连接；PMOS管M7的栅极和漏极连接，源级与偏置电压V0连接；电感L1的一端与NMOS管M1的漏极连接，电感L1的另一端NMOS管M3的漏极连接；进一步方案的有益效果：跨导级采用了NMOS管M1、M2，电流镜M5、M6构成了第三阶跨导系数修正电流镜对电路。输出的电流信号注入到开关级进行频率转换。通过在混频器的跨导级MOS管M1、M3的源级串联无源器件构成串联反馈可以提高混频器的线性度。在一些文献中有人采用电阻、电容、电感作为反馈器件，来提高混频器的线性度。但若采用电阻时，会引起额外的电阻热噪声，使得混频器的噪声性能降低。若采用电容或者电感作为负反馈则不会使噪声性能降低。但使用电容作为反馈器件时需要增加额外的直流通路，所以使用本专利技术采用电感L4、L5作为反馈器件。L2-L5形成了较好的阻抗匹配电路，还提高了电路的线性度。为了消除寄生电容的影响，在跨导级和开关级之间串联了一个电感L1，使得混频器的线性度得到了提高。为降低输入级的噪声，在跨导级采用了NMOS管M9、M10构成了输入噪声消除电路。进一步，开关级包括NMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14。其中NMOS管M11的栅极与本振信号的正极端LO+连接，其源级与NMOS管M1的漏极连接，漏极与负载级电阻R1的一端连接；NMOS管M12的栅极与本振信号的负极端LO-连接，其源级与NMOS管M11的源极连接，漏极与NMOS管M14的漏极连接；NMOS管M13的栅极与本振信号的负极端LO-连接，其源级与NMOS管M3的漏极连接，漏极与NMOS管M11的漏极连接；NMOS管M14的栅极与本振信号的负极端LO+连接，其源级与NMOS管M3的漏极连接，漏极与负载级电阻R1的一端连接；进一步方案的有益效果：开关级接入本振信号，采用MOS管在本振大信号的控制下轮流导通，对电流进行切换调制，来实现频率的转换；进一步，负载级包括电阻R1、电阻R2、电容C1和电容C2。其中R1的一端与NMOS管M11的漏极连接，另一端与电源电压VDD连接；电容C1的一端与NMOS管M11的漏极连接，另一端与电源电压VDD连接；R2的一端与NMOS管M14的漏极连接，另一端与电源电压VDD连接；电容C2的一端与NMOS管M14的漏极连接，另一端与电源电压VDD连接。进一步方案的有益效果：当输入差模信号时，电容C1、C2阻抗值是交流接地，可以提供转换增益所需的负载。进一步，改进型电流注入技术包括PMOS管M15、PMOS管M16、PMOS管M17。其中PMOS管M15的栅极与直流偏置电压V1连接，源极与电源电压VDD连接，漏极与PMOS管M16的源极连接；PMOS管M16的栅极与PMOS管M17的漏极连接，漏极与NMOS管M1的漏极连接；PMOS管M17的栅极与PMOS管M16的漏极连接，漏极与NMOS管M3的漏极连接，源级与PMOS管M16的源极连接；进一步方案的有益效果：在两个开关管同时导通或者开关动作的瞬间，会产生电流脉冲。当开关对中一对MOS管导通时,另一对MOS管截止,流过MOS管的电流由跨导管的电流决定，对噪声没有贡献。因此,可以采用一种动态的电流注入技术，当开关对NMOS管同时导通时，开关级共源节点处的电压达到最低，PMOS管M16、M17导通，将开关对共源节点的电流抽走，当开关对中的NMOS管没有同时导通时，共源节点处的电压很高，PMOS管M16、M17截止，不抽走电流。这种方案可以有效地降低了噪声电流脉冲的幅度,从而降低1/f噪声，也不会像静态电流注入那样引起额外的热噪声，由于只有开关瞬间抽取电流，因此基本不会引入热噪声。附图说明图1为本专利技术中电路原理图；图2为本专利技术中转换增益随本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种混频器电路，其特征在于：包括依次电连接的跨导级、开关级和负载级，所述跨导级采用第三阶跨导系数修正电流镜对电路和源简并电感结构，跨导级与外部输入设备连接，接入射频电压，将射频电压转化为射频电流；所述开关级接入本振信号，采用MOS管在本振大信号的控制下轮流导通，对电流进行切换调制，来实现频率的转换；所述负载级电阻负责把变频后的中频电流信号转换成输出电压信号。

【技术特征摘要】
1.一种混频器电路，其特征在于：包括依次电连接的跨导级、开关级和负载级，所述跨导级采用第三阶跨导系数修正电流镜对电路和源简并电感结构，跨导级与外部输入设备连接，接入射频电压，将射频电压转化为射频电流；所述开关级接入本振信号，采用MOS管在本振大信号的控制下轮流导通，对电流进行切换调制，来实现频率的转换；所述负载级电阻负责把变频后的中频电流信号转换成输出电压信号。2.根据权利要求1所述的混频器，其特征在于：所述跨导级包括NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M9、NMOS管M10，PMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8，电感L1、电感L2、电感L3、电感L4和电感L5；所述电感L2的一端与射频电压信号的正极端RF+连接，另一端与NMOS管M1的栅极连接；NMOS管M1的源级与NMOS管M2的源级连接，漏极与NMOS管M9的漏极连接；NMOS管M9的栅极和漏极连接，源级与NMOS管M1的栅极连接；NMOS管M2的栅极与NMOS管M1的栅极连接，源级与NMOS管M1的源级连接，漏极与PMOS管M6的漏极连接；电感L4的一端与NMOS管M1的源级连接，另一端接地；PMOS管M5的漏极与NMOS管M1的漏极连接，栅极与PMOS管M6的栅极连接，源级与偏置电压V0连接；PMOS管M6的栅极和漏极连接，源级与偏置电压V0连接；电感L3的一端与射频电压信号的负极端RF-连接，另一端与NMOS管M3的栅极连接；NMOS管M3的源级与NMOS管M4的源级连接，漏极与NMOS管M10的漏极连接；NMOS管M10的栅极和漏极连接，源级与NMOS管M3的栅极连接；NMOS管M4的栅极与NMOS管M3的栅极连接，源级与NMOS管M3的源级连接，漏极与PMOS管M7的漏极连接；电感L5的一端与NMOS管M3的源级连接，另一端接地；PMOS管M8的漏极与NMOS管M3的漏极连接，栅极与P...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊璠，
申请(专利权)人：南通朝旭环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32