高电位侧栅极驱动电路、半导体模块及3相逆变器系统技术方案

本发明专利技术的目的是，在高电位侧栅极驱动电路中，对信号的传递损耗和延迟时间的增加进行抑制，且对噪声的影响进行抑制。高电位侧栅极驱动电路(103)具有：脉冲生成电路，其生成与输入信号同步的第1脉冲；以及电平移位电路，其将第1脉冲的基准电压向高电位侧开关元件的电源电压进行电平移位。电平移位电路具有由第1脉冲驱动的MOSFET。高电位侧栅极驱动电路(103)具有：遮蔽信号生成电路(26)，其生成在MOSFET的源极电位成为高电平的期间成为高电平的遮蔽信号；以及再发出电路(36、37)，它们在遮蔽信号为高电平的期间即遮蔽期间中第1脉冲被输入至电平移位电路的情况下，在遮蔽期间后，将第2脉冲输入至电平移位电路。

【技术实现步骤摘要】
高电位侧栅极驱动电路、半导体模块及3相逆变器系统
本专利技术涉及高电位侧栅极驱动电路。
技术介绍
HVIC(HighVoltageMOSGateDriverIC)是通过微型计算机等的输入信号，直接对栅极进行驱动的高耐压IC。HVIC具有对高压侧(高电位侧)开关元件进行驱动的高电位侧栅极驱动电路、对低压侧(低电位侧)开关元件进行驱动的低电位侧栅极驱动电路。高电位侧栅极驱动电路生成与高电位侧输入信号HIN的上升同步的接通脉冲和与高电位侧输入信号HIN的下降同步的断开脉冲。接通脉冲和断开脉冲的基准电压分别通过高耐压的电平移位MOSFET从GND向高压进行电平移位。并且，接通脉冲和断开脉冲由高压侧的逻辑电路传递至锁存电路，从输出电路输出至高电位侧开关元件。这样，决定了高电位侧开关元件的栅极驱动信号的脉冲宽度。在现有的高电位侧栅极驱动电路中，存在下述问题，即，在高电位侧开关元件接通或断开时，高电位侧浮置电源偏移(offset)电压VS与接地GND之间的电压变化dV/dt成为噪声，信号不会正常地向高压侧传递。当前对于该问题，提出了通过将接通脉冲和断开脉冲的周期设为比噪声期间长而避免噪声的影响的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高电位侧栅极驱动电路，其对高电位侧开关元件进行驱动，该高电位侧栅极驱动电路具有：脉冲生成电路，其生成与输入信号同步的第1脉冲；以及电平移位电路，其将所述第1脉冲的基准电压向所述高电位侧开关元件的电源电压进行电平移位，所述电平移位电路具有通过所述第1脉冲进行驱动的MOSFET，所述高电位侧栅极驱动电路具有：遮蔽信号生成电路，其生成在所述MOSFET的源极电位成为高电平的期间成为高电平的遮蔽信号；以及再发出电路，其在所述遮蔽信号为高电平的期间即遮蔽期间中所述第1脉冲被输入至所述电平移位电路的情况下，在所述遮蔽期间后，将第2脉冲输入至所述电平移位电路。

【技术特征摘要】
2017.05.19 JP 2017-0996971.一种高电位侧栅极驱动电路，其对高电位侧开关元件进行驱动，该高电位侧栅极驱动电路具有：脉冲生成电路，其生成与输入信号同步的第1脉冲；以及电平移位电路，其将所述第1脉冲的基准电压向所述高电位侧开关元件的电源电压进行电平移位，所述电平移位电路具有通过所述第1脉冲进行驱动的MOSFET，所述高电位侧栅极驱动电路具有：遮蔽信号生成电路，其生成在所述MOSFET的源极电位成为高电平的期间成为高电平的遮蔽信号；以及再发出电路，其在所述遮蔽信号为高电平的期间即遮蔽期间中所述第1脉冲被输入至所述电平移位电路的情况下，在所述遮蔽期间后，将第2脉冲输入至所述电平移位电路。2.根据权利要求1所述的高电位侧栅极驱动电路，其中，所述电平移位电路还具有电流反射镜电路，该电流反射镜电路的1次侧与所述MOSFET的源极端子连接，向所述遮蔽信号生成电路输入构成所述电流反射镜电路的双极晶体管的基极信号。3.根据权利要求1或2所述的高电位侧栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：酒井伸次，小田寿志，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP