一种晶圆减薄砂轮及其制备方法技术

本发明专利技术属于晶圆加工技术领域，具体涉及一种低密度晶圆减薄砂轮及其制备方法。所述减薄砂轮，包括如下体积份数的原料：金刚石12‑18份，碳化硅3‑7份，六方氮化硼2‑5份，发泡剂6‑10份，聚酰亚胺树脂35‑45份，偶联剂2‑5份。本发明专利技术通过制备一种砂轮低密度的减薄砂轮，此减薄砂轮在具有一定的强度下，降低总体磨料层硬度，减少磨削过程中的压应力，从而降低损伤层厚度，对薄晶片即3D封装技术中的晶圆减薄、操作设备老旧尤为适用；本发明专利技术制备的砂轮可以有效降低晶圆损伤层和裂纹，保证良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆减薄砂轮及其制备方法
本专利技术属于晶圆加工
，具体涉及一种低密度的晶圆减薄砂轮及其制备方法。
技术介绍
硅单晶被广泛应用于集成电路和光伏产业中，其中集成电路是采用半导体制作工艺，在一块小的单晶硅片上制作出训读晶体管和电容器等元器件，并按照多层布线或隧道布线最终形成完整的电子电路。磨削加工是硅晶体机械加工过程中的必不可少组成部分。当前的电子产品一方面不断向小、轻、薄的方向发展，另一方面不断向系统集成化、功能齐全化等融合化方面发展，近年来随着手机超薄化等其它方面产品的需求，晶圆封装逐渐向3D封装方面发展，此类封装的要点是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，主要优点是：在尺寸和重量方面，3D设计替代单芯片封装缩小了器件尺寸、减轻了重量。与传统封装相比，使用3D技术可缩短尺寸、减轻重量达40-50倍；在速度方面，3D技术节约的功率可使3D元件以每秒更快的转换速度运转而不增加能耗；硅片后处理等等，实现多功能、高效能；大容量高密度，单位体积上的功能及应用成倍提升以及低成本。为了实现电子产品芯片的3D封装，在封装整体厚度不变甚至有所降本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆减薄砂轮，其特征在于，包括如下体积份数的原料：金刚石12‑18份，碳化硅3‑7份，六方氮化硼2‑5份，发泡剂6‑10份，聚酰亚胺树脂35‑45份，偶联剂2‑5份。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆减薄砂轮，其特征在于，包括如下体积份数的原料：金刚石12-18份，碳化硅3-7份，六方氮化硼2-5份，发泡剂6-10份，聚酰亚胺树脂35-45份，偶联剂2-5份。2.根据权利要求1所述的晶圆减薄砂轮，其特征在于，金刚石粒径3-7μm，碳化硅粒径1-2.5μm，六方氮化硼粒径＜5μm，发泡剂粒径38-44μm，聚酰亚胺树脂粒径50-80μm。3.根据权利要求1所述的晶圆减薄砂轮，其特征在于，发泡剂为热膨胀微球。4.权利要求1-3任一所述晶圆减薄砂轮的制备方法，包括如下步骤：将表面进行热碱处理过的金刚石放入丙酮内进行搅拌超声，然后烘干；将步骤1）中的原料与六方氮化硼混合过筛，然后加入丙酮和偶联剂，超声后烘干；将步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵延军，闫宁，惠珍，
申请(专利权)人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41