一种探测面板及探测装置制造方法及图纸

本申请的一些实施例提供一种探测面板及探测装置，涉及探测技术领域，用于解决探测装置制作工艺复杂的问题。该探测面板包括衬底基板、依次位于衬底基板上的光电转换层、第一绝缘层；探测面板还包括多个叉指电极；叉指电极位于第一绝缘层远离衬底基板一侧的表面上。

【技术实现步骤摘要】
一种探测面板及探测装置
本专利技术涉及探测
，尤其涉及一种探测面板及探测装置。
技术介绍
探测技术，例如X射线探测技术广泛应用于医疗、安全、无损检测、科研等领域。X射线探测技术已经能够将待探测的X射线信号转换为能够直接显示在屏幕上的图像或照片。目前，采用X射线探测技术的探测装置通常采用PIN二极管作为感光元件，以实现光电转换。然而，上述PIN二极管在制作过程中需要进行离子掺杂，例如P型离子掺杂，使得制作工艺复杂。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种探测面板及探测装置，用于解决探测装置制作工艺复杂的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本申请的一方面，提供一种探测面板，该探测面板包括衬底基板、依次位于所述衬底基板上的光电转换层、第一绝缘层；所述探测面板还包括多个叉指电极；所述叉指电极位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的表面上。在本申请的一些实施例中，所述探测面板还包括覆盖所述叉指电极的第二绝缘层，以及位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板一侧表面的多个开关晶体管；每个所述开关晶体管的第一极与一个所述叉指电极电连接。在本申请的一些实施例中，所述探测面板包括多条读取信号线和选通信号线，所述读取信号线与所述选通信号线交叉界定多个检测单元；每个所述检测单元内设置有一个所述叉指电极和一个所述开关晶体管；所述开关晶体管的栅极与所述选通信号线电连接，第二极与所述读取信号线电连接。在本申请的一些实施例中，所述叉指电极包括梳状的感应子电极和梳妆的偏压子电极；所述感应子电极与所述偏压子电极交叉设置；所述开关晶体管的第一极与一个所述感应子电极电连接。在本申请的一些实施例中，所述第二绝缘层上设置有第一过孔，所述开关晶体管的第一极通过所述第一过孔与所述感应子电极电连接。在本申请的一些实施例中，所述开关晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述开关晶体管的栅极与第一极之间设置有栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上设置有第二过孔，所述开关晶体管的第一极依次通过所述第二过孔和所述第一过孔与所述感应子电极电连接。在本申请的一些实施例中，所述衬底基板为光波导玻璃基板。在本申请的一些实施例中，构成所述第一绝缘层的材料包括聚酰亚胺；构成所述第二绝缘层的材料为光阻材料。在本申请的一些实施例中，所述探测面板还包括用于将非可见光转换为可见光的波长转换层；所述波长转换层位于所述衬底基板远离所述第一绝缘层的一侧表面。本申请的另一方面，提供一种探测装置，包括如上所述的任意一种探测面板。由上述可知，本申请实施例提供的探测面板中采用光电转化层作为实现光电转化的感光部件，因此在上述探测面板中无需设置PIN二极管进行光电转化，从而可以在探测面板的制作过程中，无需在制作感光部件的过程中进行离子掺杂的工艺，从而可以简化制作工艺，降低制作成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请的一些实施例提供的一种探测面板的结构示意图；图2为图1中叉指电极的结构示意图；图3为图1所示的探测面板进行探测的示意图；图4为本申请的一些实施例提供的一种探测面板的剖视结构示意图；图5为本申请的一些实施例提供的另一种探测面板的剖视结构示意图；图6为本申请的一些实施例提供的另一种探测面板的剖视结构示意图；图7为本申请的一些实施例提供的一种探测面板中多个探测单元的结构示意图；图8为本申请的一些实施例提供的另一种探测面板的剖视结构示意图。附图标记：01-探测面板；02-光源；03-待探测物体；10-衬底基板；20-光电转换层；30-第一绝缘层；31-第二绝缘层；32-栅极绝缘层；33-第三绝缘层；40-叉指电极；401-感应子电极；402-偏压子电极；4011-电极分支；50-波长转换层；60-存储电极；61-遮挡层；62-缓冲层；70-第一过孔；71-第二过孔；72-过孔；100-检测单元。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。本申请实施例的一方面，提供一种探测面板01，如图1所示，该探测面板01可以包括透光的衬底基板10、依次位于上述衬底基板10上的光电转换层20、第一绝缘层30。上述光电转换层20可以将光信号转换为电信号，构成上述光电转换层20的材料为半导体非晶硅材料，例如，无定形硅(a_Si)。构成上述第一绝缘层30的材料可以包括聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚氨酯、聚对苯二酰对苯二胺、聚酰胺酰亚胺中的至少一种。此外，上述探测面板01还包括多个叉指电极40。该叉指电极40位于第一绝缘层30远离衬底基板01一侧的表面上。在本申请的一些实施例中，如图2所示，上述叉指电极40包括梳状的感应子电极401和梳状的偏压子电极402。感应子电极401与偏压子电极402交叉设置。需要说明的是，上述感应子电极401与偏压子电极402交叉设置是指，梳状的感应子电极401中的一个电极分支4011与梳状的偏压子电极402的一个电极分支4011’交替设置。基于此，在采用上述探测面板01对待探测物体进行探测时，如图3所示，光源02发出的探测光线(图3中的箭头所示)穿过待探测物体03后入射至上述探测面板01。上述该探测光线进入至探测面板01内后，穿过如图1所示的衬底基板10，照射至光电转换层20上。在此情况下，上述光电转换层20接收入射光线，并在其内部产生电荷。此时，光电转换层20的电阻大幅度下降，从而可以通过光伏效应将接收到的光信号转换为电信号。与此同时，向叉指电极40中的偏压子电极402施加正向电压，偏压子电极402可以向第一绝缘层30提供较大的外置偏压，在偏压子电极402上施加的电压足够高时，第一绝缘层30可以通过电子的F-N(Fowler-Nordheim)隧穿效应导通，从而可以将光电转换层20产生的电信号传输至叉指电极40中的感应子电极401。在本申请的一些实施例中，上述第一绝缘层30的厚度可以为1000～2000埃。由上述可知，叉指电极40与光电转换层20之间具有第一绝缘层30，从而可以避免叉指电极40与光电转换层20直接接触，进而可以避免光电转换层20在未接受光信号的情况下，向感应子电极401输出暗电流噪声。当图3中的光源02发出的探测光线为可见光时，上述光电转换层20可以直接将可见光的光信号转化为电信号。或者，当图3中的光源02发出的探测光线为X射线(ray)时，为了使得探测面板01中的光电转换层20仍然能够实现光电转化，如图4所示，该探测面板01还包括用于将X射线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种探测面板，其特征在于，包括衬底基板、依次位于所述衬底基板上的光电转换层、第一绝缘层；所述探测面板还包括多个叉指电极；所述叉指电极位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的表面上。

【技术特征摘要】
1.一种探测面板，其特征在于，包括衬底基板、依次位于所述衬底基板上的光电转换层、第一绝缘层；所述探测面板还包括多个叉指电极；所述叉指电极位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的表面上。2.根据权利要求1所述的探测面板，其特征在于，所述探测面板还包括覆盖所述叉指电极的第二绝缘层，以及位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板一侧表面的多个开关晶体管；每个所述开关晶体管的第一极与一个所述叉指电极电连接。3.根据权利要求2所述的探测面板，其特征在于，所述探测面板包括多条读取信号线和选通信号线，所述读取信号线与所述选通信号线交叉界定多个检测单元；每个所述检测单元内设置有一个所述叉指电极和一个所述开关晶体管；所述开关晶体管的栅极与所述选通信号线电连接，第二极与所述读取信号线电连接。4.根据权利要求2或3所述的探测面板，其特征在于，所述叉指电极包括梳状的感应子电极和梳妆的偏压子电极；所述感应子电极与所述偏压子电极交叉设置；所述开关晶体管的第一极与一...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁魁，林家强，刘晓惠，段立业，张春倩，侯孟军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11