一种可控硅检测装置以及检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种可控硅工作状态检测装置及方法，其中装置包括：驱动电路、端电压检测电路以及处理器，其中，驱动电路和检测电路都与处理器连接；驱动电路用于在处理器的控制下产生触发信号，控制双向可控硅的导通；端电压检测电路用于检测双向可控硅第一阳极与第二阳极两端的端电压，并根据端电压输出电平信号；处理器用于根据电平信号以及驱动电路是否产生触发信号，识别双向可控硅的工作状态，其中，所述工作状态包括短路状态、二极管模式以及开路状态。本发明专利技术实施例处理器通过是否产生触发双向可控硅导通的触发信号以及双向可控硅两端的端电压，可以识别出双向可控硅的工作状态，以便在双向可控硅发生故障时进行报警，保护电路安全。

【技术实现步骤摘要】
一种可控硅检测装置以及检测方法
本专利技术涉及电力电子
，尤其涉及一种可控硅检测装置以及检测方法。
技术介绍
双向可控硅等功率开关器件广泛运用于工业控制以及家电控制等控制领域。然而，如果双向可控硅等功率开关器件在发生故障时没有被快速检测到并采取正确的保护措施，会对电路中的负载造成重大损坏，例如，当使用双向可控硅对压缩机进行软启动和变速控制时，如果发生二极管失效模式，双向可控硅等效于二极管，压缩机绕组中的直流分量会通过损坏的双向可控硅造成压缩机过热而烧毁。因此，对双向可控硅等功率开关器件工作状态的实时检测具有重要的实际应用价值。
技术实现思路
本申请实施例提供一种可控硅工作状态检测装置及检测方法，可以实时检测出电路中双向可控硅的工作状态。第一方面，本申请实施例提供了一种可控硅工作状态检测装置，该装置包括：驱动电路、端电压检测电路以及处理器，其中，所述驱动电路与所述处理器连接，所述端电压检测电路与所述处理器连接；所述驱动电路用于在所述处理器的控制下产生触发信号，控制双向可控硅的导通；所述端电压检测电路用于检测所述双向可控硅第一阳极与第二阳极两端的端电压，并根据所述端电压输出电平信号；所述处理器用于根据所述电平信号以及所述驱动电路是否产生所述触发信号，识别所述双向可控硅的工作状态，其中，所述工作状态包括短路状态、二极管模式以及开路状态。其中，所述根据所述电平信号以及所述驱动电路是否产生所述触发信号，识别所述双向可控硅的工作状态，具体包括：在所述驱动电路没有产生触发信号，且所述电平信号为高电平信号的情况下，识别所述双向可控硅处于短路状态；或者，在所述驱动电路没有产生触发信号，且所述电平信号为方波信号的情况下，识别所述双向可控硅处于二极管模式；或者，在所述驱动电路产生触发信号，且所述电平信号为低电平信号的情况下，识别所述双向可控硅处于开路状态。可选地，所述装置还包括：电阻电压检测电路，所述电阻电压检测电路与所述处理器连接，用于检测所述双向可控硅所在串联支路中分流电阻两端的电阻电压，以使所述处理器根据所述电阻电压判断所述串联支路中的支路电流是否具有过零点，并根据所述电平信号、所述驱动电路是否产生所述触发信号以及所述支路电流判断所述双向可控硅的工作状态。可选地，所述装置还包括：门极电压检测电路，所述门极电压检测电路与所述处理器连接，用于检测所述双向可控硅门极与第一阳极之间的门极电压，以使所述处理器根据所述门极电压判断所述双向可控硅所在串联支路中的支路电流是否具有过零点，并根据所述电平信号、所述驱动电路是否产生所述触发信号以及所述电路中的电流判断所述双向可控硅的工作状态。其中，所述根据所述电平信号、所述驱动电路是否产生所述触发信号以及所述电路中的电流识别所述双向可控硅的工作状态，具体包括：在所述驱动电路没有产生触发信号、所述电平信号为高电平信号且所述电路中的电流有过零点的情况下，识别所述双向可控硅处于短路状态；或者，在所述驱动电路没有产生触发信号、所述电平信号为方波信号且所述负载电流没有过零点的情况下，识别所述双向可控硅处于二极管模式；或者，在所述驱动电路产生触发信号、所述电平信号为低电平信号且所述负载电流没有过零点的情况下，识别所述双向可控硅处于开路状态。第二方面，本申请实施例提供了一种可控硅工作状态检测方法，该方法包括：获取触发信号的触发状态，其中，所述触发信号用于触发电路中的双向可控硅导通；检测双向可控硅第一阳极和第二阳极两端的端电压，并根据所述端电压产生电平信号；根据所述触发信号的触发状态以及所述电平信号，识别所述双向可控硅的工作状态，其中，所述工作状态包括短路状态、二极管模式以及开路状态。其中，所述根据所述触发信号的触发状态以及所述电平信号，识别所述双向可控硅的工作状态，具体包括：在没有产生触发信号，且所述电平信号为高电平信号的情况下，识别所述双向可控硅处于短路状态；或者，在没有产生触发信号，且所述电平信号为方波信号的情况下，识别所述双向可控硅处于二极管模式；或者，在产生触发信号，且所述电平信号为低电平信号的情况下，识别所述双向可控硅处于开路状态。可选地，所述方法还包括：检测所述双向可控硅所在串联支路中分流电阻两端的电阻电压，根据所述电阻电压判断所述串联支路中的支路电流是否具有过零点，并根据所述触发信号的触发状态、所述电平信号以及所述支路电流识别所述双向可控硅的工作状态。可选地，所述方法还包括：检测所述双向可控硅门极与第一阳极之间的门极电压，根据所述门极电压判断所述双向可控硅所在串联支路中的支路电流是否具有过零点，并根据所述触发信号的触发状态、所述电平信号以及所述支路电流判断所述双向可控硅的工作状态。其中，所述根据所述触发信号的触发状态、所述电平信号以及所述支路电流识别所述双向可控硅的工作状态，具体包括：在没有产生触发信号、所述电平信号为高电平信号且所述支路电流有过零点的情况下，识别所述双向可控硅处于短路状态；或者，在没有产生触发信号、所述电平信号为方波信号且所述支路电流没有过零点的情况下，识别所述双向可控硅处于二极管模式；或者，在产生触发信号、所述电平信号为低电平信号且所述支路电流没有过零点的情况下，识别所述双向可控硅处于开路状态。本申请实施例提供双向可控硅工作状态检测装置，通过在双向可控硅的两端并联端电压检测电路，端电压检测电路根据检测到的双向可控硅第一阳极与第二阳极两端的端电压，产生与所述端电压对应的电平信号，处理器根据电平信号以及双向可控硅的驱动电路是否产生驱动信号，识别双向可控硅是处于短路状态、二极管模式还是开路状态。进一步的，该装置还可以包括电阻电压检测电路或者门极电压检测电路，通过检测双向可控硅所在串联支路中分流电阻的电压或者双向可控硅门极与第一阳极之间的电压，判断双向可控硅所在支路的支路电流是否具有电流过零点，进而根据上述电平信号、驱动电路是否产生驱动信号以及支路电流是否具有过零点识别双向可控硅的工作状态。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术第一实施例提供的一种可控硅工作状态检测装置的结构示意图；图2是本专利技术第一实施例提供的一种端电压检测电路的连接示意图；图3A-3C是本专利技术第一实施例提供的信号波形示意图；图4是本专利技术第二实施例提供的一种可控硅工作状态检测装置的结构示意图；图5是本专利技术第二实施例提供的一种电阻电压检测电路的连接示意图；图6是本专利技术第三实施例提供的一种可控硅工作状态检测装置的结构示意图；图7是本专利技术第三实施例提供的信号波形示意图；图8是本专利技术实施例提供的一种可控硅工作状态检测方法的流程示意图；图9是本专利技术另一实施例提供的一种终端示意框图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控硅工作状态检测装置，其特征在于，包括：驱动电路、端电压检测电路以及处理器，其中，所述驱动电路与所述处理器连接，所述端电压检测电路与所述处理器连接；所述驱动电路用于在所述处理器的控制下产生触发信号，控制双向可控硅的导通；所述端电压检测电路用于检测所述双向可控硅第一阳极与第二阳极两端的端电压，并根据所述端电压输出电平信号；所述处理器用于根据所述电平信号以及所述驱动电路是否产生所述触发信号，识别所述双向可控硅的工作状态，其中，所述工作状态包括短路状态、二极管模式以及开路状态。

【技术特征摘要】
1.一种可控硅工作状态检测装置，其特征在于，包括：驱动电路、端电压检测电路以及处理器，其中，所述驱动电路与所述处理器连接，所述端电压检测电路与所述处理器连接；所述驱动电路用于在所述处理器的控制下产生触发信号，控制双向可控硅的导通；所述端电压检测电路用于检测所述双向可控硅第一阳极与第二阳极两端的端电压，并根据所述端电压输出电平信号；所述处理器用于根据所述电平信号以及所述驱动电路是否产生所述触发信号，识别所述双向可控硅的工作状态，其中，所述工作状态包括短路状态、二极管模式以及开路状态。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述根据所述电平信号以及所述驱动电路是否产生所述触发信号，识别所述双向可控硅的工作状态，具体包括：在所述驱动电路没有产生触发信号，且所述电平信号为高电平信号的情况下，识别所述双向可控硅处于短路状态；或者，在所述驱动电路没有产生触发信号，且所述电平信号为方波信号的情况下，识别所述双向可控硅处于二极管模式；或者，在所述驱动电路产生触发信号，且所述电平信号为低电平信号的情况下，识别所述双向可控硅处于开路状态。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：电阻电压检测电路，所述电阻电压检测电路与所述处理器连接，用于检测所述双向可控硅所在串联支路中分流电阻两端的电阻电压，以使所述处理器根据所述电阻电压判断所述串联支路中支路电流是否具有过零点，并根据所述电平信号、所述驱动电路是否产生所述触发信号以及所述支路电流识别所述双向可控硅的工作状态。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：门极电压检测电路，所述门极电压检测电路与所述处理器连接，用于检测所述双向可控硅门极与第一阳极之间的门极电压，以使所述处理器根据所述门极电压判断所述双向可控硅所在串联支路中的支路电流是否具有过零点，并根据所述电平信号、所述驱动电路是否产生所述触发信号以及所述支路电流识别所述双向可控硅的工作状态。5.根据权利要求3或4所述的装置，其特征在于，所述根据所述电平信号、所述驱动电路是否产生所述触发信号以及所述支路电流识别所述双向可控硅的工作状态，具体包括：在所述驱动电路没有产生触发信号、所述电平信号为高电平信号且所述电路中的电流有过零点的情况下，识别所述双向可控硅处于短路状态；或者，在所述驱动电路没有产生触发信号、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴训江，
申请(专利权)人：加码技术有限公司，茂硕电源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44