基于CMOS的光电加速度传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于CMOS的光电加速度传感器，采用MEMS平面加工，该加速度传感器由短波平行光源、Y向遮光板，X向遮光板以及CMOS光电阵列组成。在遮光板上刻蚀出若干条条纹使得光线透过。当物体沿Y（X）轴运动时，Y（X）向遮光板产生的条纹位置会产生变化，同时CMOS光电阵列感应这些条纹位置的变化并计算单位时间内条纹的位移，即可得到Y（X）轴方向上的运动情况。当物体沿Z轴方向运动，X向遮光板和Y向遮光板产生的光照条纹所围成的方形内光敏元件数目会发生变化，通过计算数目的变化即可得到Z轴方向的运动情况。本实用新型专利技术的加速度传感器采用多位二进制数表示光照强度，具有精度高、灵敏度高等优点。

Photoelectric Acceleration Sensor Based on CMOS

The utility model discloses an optoelectronic acceleration sensor based on CMOS, which is fabricated in the plane of MEMS. The acceleration sensor consists of a short-wave parallel light source, a Y-direction shading plate, an X-direction shading plate and a CMOS photoelectric array. Several stripes are etched on the shield to allow light to pass through. When the object moves along the Y (X) axis, the position of the fringes produced by Y (X) towards the shading plate will change. At the same time, the CMOS photoelectric array senses the change of the position of these fringes and calculates the displacement of the fringes per unit time, then the movement of the fringes in the Y (X) axis direction can be obtained. When the object moves along the Z-axis, the number of photosensitive elements in the square surrounded by the light stripes produced by the X-direction and Y-direction shading plates will change. The movement of the Z-axis can be obtained by calculating the change of the number of photosensitive elements. The acceleration sensor of the utility model adopts multi-bit binary number to express the illumination intensity, and has the advantages of high precision and high sensitivity.

【技术实现步骤摘要】
基于CMOS的光电加速度传感器
本技术涉及基于CMOS的光电加速度传感器，属于MEMS微机械传感器领域。
技术介绍
随着微机械技术的发展，微加速度传感器的制作技术越来越成熟，微加速度传感器与传统传感器相比具有体积小、重量轻、成本低、功耗低等优点，广泛应用于航空航天、汽车工业及机器人等领域，具有广阔的应用前景。然而近年来虽然有多个单位MEMS加速度传感器进行研究，但在精度上仍未取得突破。一般微加速度传感器工作原理为牛顿定律，而随着光电效应的不断研究，使得光电效应应用于加速度传感器成为可能。
技术实现思路
本技术针对现有技术存在的精度低等问题，提出了基于CMOS的光电加速度传感器。为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是，提出了基于CMOS的光电加速度传感器，其特征在于：所述加速度传感器的结构从上往下依次由短波平行光源、Y向遮光板、X向遮光板和CMOS光电阵列组成；所述Y向遮光板上刻蚀出若干条等宽且平行于X轴的长条用于透光，并通过支撑梁在X轴方向上被固定；所述X向遮光板上刻蚀出若干条等长且平行于Y轴的长条用于透光，并通过支撑梁在Y轴方向上被固定；所述CMOS光电阵列主要由单色CMOS光点传感器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于CMOS的光电加速度传感器，其特征在于：所述加速度传感器的结构从上往下依次由短波平行光源、Y向遮光板、X向遮光板和CMOS光电阵列组成；所述Y向遮光板上刻蚀出若干条等宽且平行于X轴的长条用于透光，并通过支撑梁在X轴方向上被固定；所述X向遮光板上刻蚀出若干条等长且平行于Y轴的长条用于透光，并通过支撑梁在Y轴方向上被固定；所述CMOS光电阵列主要由单色CMOS光点传感器组成。

【技术特征摘要】
1.基于CMOS的光电加速度传感器，其特征在于：所述加速度传感器的结构从上往下依次由短波平行光源、Y向遮光板、X向遮光板和CMOS光电阵列组成；所述Y向遮光板上刻蚀出若干条等宽且平行于X轴的长条用于透光，并通过支撑梁在X轴方向上被固定；所述X向遮光板上刻蚀出若干条等长且平行于Y轴的长条用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆颢瓒，戴瑞萍，宁楠楠，王德波，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：新型
国别省市：江苏,32