The invention improves the displacement characteristics while suppressing the generation of cracks. The piezoelectric device of the present invention includes: pressure chamber; piezoelectric element; vibration plate, which is arranged between pressure chamber and piezoelectric element, vibration plate has crystal plane {110} of single crystal silicon substrate, vibration plate has vibration region overlapping with pressure chamber when looking down, piezoelectric element overlapping with vibration region when looking down, and when in the perimeter. Upward, the vibration region is divided into the first region from crystal orientation < 111 > to < 1 12 >, the second region from < 1 12 > to < 1 1, the third region from < 1 1 > to < 11 2 > and the fourth region from < 11 2 > to > for the shape of the vibration region, if and If the diameter of < 111> direction is compared with that of < 1 12> direction as the same hypothetical normal circle, then in the second and fourth regions it is in the inner side compared with the hypothetical normal circle, and in the first and third regions at least part of it is in the outer side compared with the hypothetical normal circle.
【技术实现步骤摘要】
压电器件、液体喷出头、液体喷出装置
本专利技术涉及一种通过压电器件而产生压力变动的技术。
技术介绍
一直以来,提出了一种通过利用压电器件使压力室发生压力变动,从而使被供给至压力室的油墨等的液体从喷嘴喷出的液体喷出头。例如,在专利文献1中,公开了一种针对每个压力室而设置具备构成压力室的壁面(上表面)的振动板与使振动板振动的压电元件的压电器件的技术。对于该振动板的活性层基板(通过振动而发生变形的部分)而言,是由杨氏模量根据晶面内的方向而变化的硅基材而构成振动板的活性层基板的。在专利文献1中,通过使振动板的短边方向与在所述晶面内使振动板的短边方向的杨氏模量小于长边方向的杨氏模量这样的方向相一致,从而使振动板的短边方向易于变形,并由此提高振动板的位移特性。但是,像专利文献1这样,在由杨氏模量根据晶面内的方向而变化的硅基材构成振动板的情况下,在振动板的周向上易于产生局部性的应力分布的不均匀的情况。这是因为,晶面内的杨氏模量的变化不仅在短边方向和长边方向这样的特定的两个取向上发生变化,而是跨及周向而连续地发生变化。因此,像专利文献1这样,如果仅仅通过短边方向和长边方向的杨氏模量而使振动板的方向一致,则有可能会因局部性的应力分布的不均匀而妨碍整体上振动板的位移,或者易于出现裂纹。专利文献1:日本特开2002-67307号
技术实现思路
考虑到以上的实际情况,本专利技术的目的在于,在抑制裂纹的产生的同时,提高位移特性。为了解决以上的课题,本专利技术的压电器件具备:压力室;压电元件;振动板,其被配置在压力室与压电元件之间,振动板具有单晶硅基材的晶面{110},振动板具有在俯视观 ...
【技术保护点】
1.一种压电器件,具备:压力室;压电元件;振动板,其被配置在所述压力室与所述压电元件之间,所述振动板具有单晶硅基材的晶面{110},所述振动板具有在俯视观察时与所述压力室重叠的振动区域,所述压电元件在俯视观察时与所述振动区域重叠,当在周向上将所述振动区域分为从所述晶面内的晶体取向<‑111>至<1‑12>的第一区域、从所述<1‑12>至<1‑1‑1>的第二区域、从所述<1‑1‑1>至<‑11‑2>的第三区域、从所述<‑11‑2>至所述<‑111>的第四区域时,如果对所述振动区域的形状和将所述<‑111>的方向上的直径与所述<1‑12>的方向上的直径设为共同并使用的假想的正圆形进行比较,则在所述第二区域和所述第四区域中所述振动区域的形状与所述假想的正圆形相比位于内侧,在所述第一区域和所述第三区域中所述振动区域的形状与所述假想的正圆形相比至少一部分位于外侧。
【技术特征摘要】
2017.05.29 JP 2017-1055941.一种压电器件,具备:压力室;压电元件;振动板,其被配置在所述压力室与所述压电元件之间,所述振动板具有单晶硅基材的晶面{110},所述振动板具有在俯视观察时与所述压力室重叠的振动区域,所述压电元件在俯视观察时与所述振动区域重叠,当在周向上将所述振动区域分为从所述晶面内的晶体取向<-111>至<1-12>的第一区域、从所述<1-12>至<1-1-1>的第二区域、从所述<1-1-1>至<-11-2>的第三区域、从所述<-11-2>至所述<-111>的第四区域时,如果对所述振动区域的形状和将所述<-111>的方向上的直径与所述<1-12>的方向上的直径设为共同并使用的假想的正圆形进行比较,则在所述第二区域和所述第四区域中所述振动区域的形状与所述假想的正圆形相比位于内侧,在所述第一区域和所述第三区域中所述振动区域的形状与所述假想的正圆形相比至少一部分位于外侧。2.如权利要求1所述的压电器件,其中,在所述第一区域中,在从所述晶体取向<-111>起至向<1-12>侧59度的取向为止的区域中,所述振动区域位于所述假想的正圆形的外侧,在所述第三区域中,在从所述晶体取向<1-1-1>起至向<-11-2>侧59度的取向为止的区域中,所述振动区域位于所述假...
【专利技术属性】
技术研发人员:田村博明,山崎清夏,
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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