一种应用于中红外波段的硫系波导结构制造技术

一种应用于中红外波段的硫系波导结构，其特征在于：包括衬底，缓冲层，低折射率层和光传输层，所述缓冲层位于衬底上，所述低折射率层位于所述缓冲层上，所述光传输层位于所述低折射率层上，所述低折射率层和光传输层为硫化物玻璃制备的硫化物薄膜层，所述缓冲层的折射率小于所述低折射率层的折射率，所述低折射率层的折射率小于所述光传输层的折射率。本发明专利技术的优点在于使用该波导结构使用多种硫系材料来制备不同折射率的硫系薄膜，从而通过改变两层薄膜的材料来调节波导的折射率范围。另外通过调节两层薄膜的尺寸，使波导满足单模条件，避免了模式泄露，从而获得尽可能小的传输损耗，使得该硫系波导结构在中红外波段有广阔的应用前景。

A Chalcogenide Waveguide Structure Applied in Mid-Infrared Band

A chalcogenide waveguide structure applied in the mid-infrared band is characterized by: a substrate, a buffer layer, a low refractive index layer and an optical transmission layer, the buffer layer located on the substrate, the low refractive index layer located on the buffer layer, the optical transmission layer located on the low refractive index layer, the low refractive index layer and the optical transmission layer. The layer is a sulfide film layer prepared by sulfide glass. The refractive index of the buffer layer is less than that of the low refractive index layer, and the refractive index of the low refractive index layer is less than that of the optical transmission layer. The advantages of the invention are that the waveguide structure uses a variety of chalcogenide materials to prepare chalcogenide films with different refractive indices, thereby adjusting the refractive index range of the waveguide by changing the materials of two thin films. In addition, by adjusting the size of two layers of thin films, the waveguide meets the single-mode condition and avoids mode leakage, so as to obtain as little transmission loss as possible, which makes the chalcogenide waveguide structure have broad application prospects in the mid-infrared band.

【技术实现步骤摘要】
一种应用于中红外波段的硫系波导结构
本专利技术涉及一种波导结构，特别是涉及一种硫系波导结构。
技术介绍
波导是指一种在微波或光波段中传输电磁波的装置，用于无线电通讯、雷达、导航等领域。硫系玻璃是由元素周期表中第VIA族的S、Se、Te三种元素与其它如有Ge、Ga、As、Sb等金属元素形成的一种红外透明玻璃(红外透过范围可至20微米)。硫系玻璃还具有高折射率，高稀土掺杂能力，极大的光学非线性和光敏特性，这些特点使硫系玻璃光波导成为集成光子领域重要的发展方向。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供了一种能够扩大波导的折射率调节范围，并且在中红外波段有广阔应用前景的硫系波导结构。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种应用于中红外波段的硫系波导结构，其特征在于：包括衬底，缓冲层，低折射率层和光传输层，所述缓冲层位于衬底上，所述低折射率层位于所述缓冲层上，所述光传输层位于所述低折射率层上，所述低折射率层和光传输层为硫化物玻璃制备的硫化物薄膜层，所述缓冲层的折射率小于所述低折射率层的折射率，所述低折射率层的折射率小于所述光传输层的折射率。优选的，所述低折射率层的折射率范围为2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于中红外波段的硫系波导结构，其特征在于：包括衬底(101)，缓冲层(102)，低折射率层(103)和光传输层(104)，所述缓冲层(102)位于衬底(101)上，所述低折射率层(103)位于所述缓冲层(102)上，所述光传输层(104)位于所述低折射率层(103)上，所述低折射率层(103)和光传输层(104)均为硫化物玻璃制备的硫化物薄膜层，所述缓冲层(102)的折射率小于所述低折射率层(103)的折射率，所述低折射率层(103)的折射率小于所述光传输层(104)的折射率。

【技术特征摘要】
1.一种应用于中红外波段的硫系波导结构，其特征在于：包括衬底(101)，缓冲层(102)，低折射率层(103)和光传输层(104)，所述缓冲层(102)位于衬底(101)上，所述低折射率层(103)位于所述缓冲层(102)上，所述光传输层(104)位于所述低折射率层(103)上，所述低折射率层(103)和光传输层(104)均为硫化物玻璃制备的硫化物薄膜层，所述缓冲层(102)的折射率小于所述低折射率层(103)的折射率，所述低折射率层(103)的折射率小于所述光传输层(104)的折射率。2.如权利要求1所述的应用于中红外波段的硫系波导结构，其特征在于：所述低折射率层(103)的折射率范围为2-2.2，该光传输层(104)的折射率在2.4以上3.如权利要求1或2所述的应用于中红外波段...

【专利技术属性】
技术研发人员：张巍，赵阳，李承栋，郭盼盼，张培晴，徐培鹏，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33