【技术实现步骤摘要】
光电耦合器用红外线接收管遮蔽层的制作方法
本专利技术属于集成电路制造
,具体涉及一种光电耦合器用红外线接收管遮蔽层的制作方法。
技术介绍
光电耦合器是由红外线发光管、红外线接收管封装在同一管壳内形成的光电器件。光电耦合器的传输比(CRT)指副边电流与原边电流之比,是光电耦合器重要的参数之一。典型光电耦合器传输比的调节方法是依靠在红外接收管上采用不同方式点涂光导胶,如通过背面不点胶、只点一半面积胶、局部点反射胶或全点胶来实现对传输比的调节。但管芯表面硅橡胶涂覆工艺存在以下一系列缺点:1.管芯表面硅橡胶涂覆工艺不符合航天器产品禁(限)用工艺要求传统的在光敏管表面点涂硅橡胶工艺会使光敏管不同电极被同一胶块所覆盖。在某些真空加热过程中,硅橡胶可能发生分解或变性,从而造成接触电阻变化,严重的甚至导致硅橡胶绝缘性出现下降。由于硅橡胶实际物理连接了红外接收管的不同电极,因此该问题可能引发光电耦合器的功能性异常。基于上述原因,目前管芯表面硅橡胶涂覆目前已不符合航天器产品禁(限)用工艺要求。2.组装指定范围传输比的光电耦合器时成品率低由于硅橡胶具有流动性,在红外接收管表面点涂 ...
【技术保护点】
1.光电耦合器用红外线接收管遮蔽层的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、根据红外管的遮光面积与光电耦合器传输比的关系列表,设计相应传输比的红外接收管表面遮蔽层的加工图形及尺寸;步骤2、根据步骤1所设计的红外接收管表面遮蔽层加工图形及尺寸,在需要制作遮蔽层的红外接收管的表面加工遮蔽层,得到能使光电耦合器达到相应传输比的红外接收管。
【技术特征摘要】
1.光电耦合器用红外线接收管遮蔽层的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、根据红外管的遮光面积与光电耦合器传输比的关系列表,设计相应传输比的红外接收管表面遮蔽层的加工图形及尺寸;步骤2、根据步骤1所设计的红外接收管表面遮蔽层加工图形及尺寸,在需要制作遮蔽层的红外接收管的表面加工遮蔽层,得到能使光电耦合器达到相应传输比的红外接收管。2.根据权利要求1所述的光电耦合器用红外线接收管遮蔽层的制作方法,其特征在于,步骤2中,遮蔽层采用铝膜。3.根据权利要求2所述的光电耦合器用红外线接收管遮蔽层的制作方法,其特征在于,铝膜的厚度为1.2μm~1.5μm,铝遮蔽层采用硅含量为1%wt的硅铝制作。4.根据权利要求2所述的光电耦合器用红外线接收管遮蔽层的制作方法,其特征在于,采用溅射工艺向红外接收管外表面镀铝膜,溅射工艺中通过掩膜工艺加工铝膜并控制其形状。5.根据权利要求1所述的光电耦合器用红外线接收管遮...
【专利技术属性】
技术研发人员:何振山,张丁,
申请(专利权)人:西安微电子技术研究所,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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