一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台制造技术

本发明专利技术公开了一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台，包括载台本体，所述载台本体包括样品安装段、绝缘段及连接段，所述样品安装段与连接段通过绝缘段串联，且所述绝缘段作为样品安装段与连接段之间的绝缘部件；还包括设置在样品安装段上的法拉第筒。该样品测试载台可以方便准确地测定入射脉冲电子信号，降低被测信号受到的干扰，从而提高介质材料二次电子发射系数的测量准确度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台
本专利技术涉及介质材料二次电子发射系数
，特别是涉及一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台。
技术介绍
具有一定能量的电子束轰击固体材料时，材料表面会发射出电子，这种现象称为固体材料的二次电子发射现象。材料表面发射出的二次电子与初始入射电子的数目比称为二次电子发射系数，它是材料的一种特征表面参数，可以通过测定入射电子流强和二次电子流强的方法计算得到。由于介质材料不导电，样品表面发射二次电子后表面产生的剩余电荷会对后续的二次电子发射过程产生影响，因此在测量介质材料的二次电子发射系数时，只能使用脉冲电子束而不能使用直流电子束，同时为了降低单次脉冲电子束入射引起的表面电荷积累量，需要入射电子束脉冲宽度与流强越小越好。并且，由于介质材料不导电，入射电子流强不能通过靶电流与二次电子电流相加的方式计算得到，测试时得先将入射脉冲电子束打到法拉第筒内来测定入射电子信号流强，再在相同入射电子能量与流强下将入射脉冲电子束打到被测样品上来测定二次电子信号流强。进一步优化介质材料二次电子发射系数测试设备的结构设计，以提高介质材料二次电子发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台，包括载台本体(12)，其特征在于，所述载台本体(12)包括样品安装段(3)、绝缘段(4)及连接段，所述样品安装段(3)与连接段通过绝缘段(4)串联，且所述绝缘段(4)作为样品安装段(3)与连接段之间的绝缘部件；还包括设置在样品安装段(3)上的法拉第筒(13)。

【技术特征摘要】
1.一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台，包括载台本体(12)，其特征在于，所述载台本体(12)包括样品安装段(3)、绝缘段(4)及连接段，所述样品安装段(3)与连接段通过绝缘段(4)串联，且所述绝缘段(4)作为样品安装段(3)与连接段之间的绝缘部件；还包括设置在样品安装段(3)上的法拉第筒(13)。2.根据权利要求1所述的一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台，其特征在于，所述法拉第筒(13)为开设在样品安装段(3)上的孔道。3.根据权利要求2所述的一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台，其特征在于，所述法拉第筒(13)为深宽比大于4，且底部具有圆锥形顶尖的条形孔。4.根据权利要求1所述的一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台，其特征在于，还包括设置在载台本体(12)上的样品安装部，所述法拉第筒(13)的轴线与样品安装部上样品支撑面呈垂直关系，且法拉第筒(13)的轴线位于所述样品支撑面的中央。5.根据权利要求4所述的一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台，其特征在于，所述载台本体(12)呈柱状结构，由载台本体(12)的顶端至底端依次为：样品安装段(3)、绝缘段(4)、连接段，所述样品...

【专利技术属性】
技术研发人员：何佳龙，龙继东，李杰，彭宇飞，杨振，刘平，王韬，李喜，董攀，蓝朝晖，郑乐，刘尔祥，赵伟，杨洁，石金水，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院流体物理研究所，
类型：发明
国别省市：四川,51