用于直写式真空蒸发系统的掩模-基片间距控制系统技术方案

本发明专利技术公开了一种用于直写式真空蒸发系统的掩模‑基片间距控制系统。所述间距控制结构包括：基座；压电陶瓷Z轴移动平台，所述压电陶瓷Z轴移动平台位于基座下方中心部，与基座固接；掩模基座，所述掩模基座位于所述压电陶瓷移动平台的上方，与压电陶瓷移动平台样品台固接；样片基座，所述样片基座位于所述掩模基座的上方，不与所述掩模基座相接触；精密电容式位移传感器，所述精密电容式位移传感器位于所述样片基座的侧方，与所述样片基座固接。根据本发明专利技术实施例的间距控制直写式真空蒸发系统具有结构紧凑、靶材粒子散射小、加工更精密、掩模片易更换、节约实验成本等优点。

【技术实现步骤摘要】
用于直写式真空蒸发系统的掩模-基片间距控制系统
本专利技术涉及一种用于直写式真空蒸发系统的掩模-基片间距控制系统。
技术介绍
专利技术专利“一种直写式真空蒸发系统及其方法”(专利号：WO2015100730A1)提出了一种直写式真空蒸发系统，该专利技术在保持现有真空蒸发装置样品室结构的基础上，通过引入纳米移定位样品台和掩模机构，使得蒸发出的高纯度气相靶材转变为具有纳米尺度大小的气相靶材束流，直接沉积在衬底基片上，从而实现自由图样的制备。现有的不包含移定位样品台的真空蒸发装置是直接将光刻胶贴合在样品基片上，从而实现加工出特定样品形状的功能，因此不会出现气态靶材束流散射等技术问题，但是对于添加了移定位样品台的真空蒸发装置，由于掩模与基片之间可能存在微米级的间隙。间隙问题可能导致的加工局限包括但不限于：1、由于掩模孔尺度很小(＜1μm)，与间隙的尺度相接近，极有可能导致靶材粒子散射的问题，造成加工制备的特征尺寸大于掩模孔特征尺寸；2、由于掩模基座直接与基座固连，导致拆装不易，掩模更换困难。为了解决上述靶材粒子散射、加工质量不可控、掩模更换困难等问题，本专利提出将压电陶瓷驱动Z轴移动平台应用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于直写式真空蒸发系统的掩模‑基片间距控制系统，其特征在于，包括：基座；掩模部分，所述掩模部分包括：压电陶瓷Z轴移动平台，所述压电陶瓷Z轴移动平台包括：位于基座下方中心部，其运动基座上表面与基座下表面相连，掩模基座，所述掩模基座位于所述压电陶瓷移动平台的上方，其下表面与所述压电陶瓷移动平台载物平台上表面相连；样片部分，所述样片部分包括：样片基座，所述样片基座位于所述掩模基座的上方，不与所述掩模基座相接触，精密电容式位移传感器，所述精密电容式位移传感器位于所述样片基座的侧方，与所述样片基座固接，所述精密电容式位移传感器下表面与样品片处于同一表面。

【技术特征摘要】
1.一种用于直写式真空蒸发系统的掩模-基片间距控制系统，其特征在于，包括：基座；掩模部分，所述掩模部分包括：压电陶瓷Z轴移动平台，所述压电陶瓷Z轴移动平台包括：位于基座下方中心部，其运动基座上表面与基座下表面相连，掩模基座，所述掩模基座位于所述压电陶瓷移动平台的上方，其下表面与所述压电陶瓷移动平台载物平台上表面相连；样片部分，所述样片部分包括：样片基座，所述样片基座位于所述掩模基座的上方，不与所述掩模基座相接触，精密电容式位移传感器，所述精密电容式位移传感器位于所述样片基座的侧方，与所述样片基座固接，所述精密电容式位移传感器下表面与样品片处于同一表面。2.根据权利要求1所述的压电陶瓷Z轴移动平台，其特征在于进一步包括：运动基座，所述运动基座为所述压电陶瓷Z轴移动平台基座，位于所述基座下方，其上表面与所述基座下表面相连，其上部与所述载物平台相连，其下部与所述压电陶瓷相连；压电陶瓷，所述压电陶瓷用于提供所述压电陶瓷Z轴移动平台的驱动力，位于所述运动基座下方中心，其下半部分与所述运动基座相连，其上表面与所述载物平台下表面相连；载物平台，所述载物平台用于连接所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张震，柳铮，闫鹏，鲁帅帅，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京,11