量子点显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种量子点显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，量子点显示基板，包括黑矩阵图形和多个量子点发光单元，所述量子点发光单元位于所述黑矩阵图形限定出的发光区域内，能够发出不同颜色的单色光，所述量子点显示基板还包括：位于相邻量子点发光单元之间的反光挡墙，所述反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值。通过本发明专利技术的技术方案，能够防止量子点发光单元间误激发引起的混色，并通过像素内的蓝光反射提升蓝光的利用率，可大大提高显示装置的色域和对比度。

【技术实现步骤摘要】
量子点显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种量子点显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
量子点(QuantumDots，QDs)，又称为纳米晶，是一种由II－VI族或III－V族元素构成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于1～20nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成分立的能级结构，受激后可以发射荧光。基于量子效应，量子点在太阳能电池，发光器件，光学生物标记等领域具有广泛的应用前景。利用量子点可以制成量子点显示基板，具有色域高、功耗低等优点。量子点显示基板上设置有多个量子点发光单元，多个量子点发光单元在蓝光激发下能够发出不同颜色的光，但是量子点发光单元未完全吸收的蓝光会激发相邻的量子点发光单元发光，造成混色以及串色。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种量子点显示基板及其制作方法、显示装置，能够防止量子点发光单元间误激发引起的混色，可大大提高显示装置的色域和对比度。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种量子点显示基板，包括黑矩阵图形和多个量子点发光单元，所述量子点发光单元位于所述黑矩阵图形限定出的发光区域内，所述量子点显示基板还包括：位于相邻量子点发光单元之间的反光挡墙，所述反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值。进一步地，所述预设阈值为80％。进一步地，所述反光挡墙的高度不小于所述量子点发光单元的高度。进一步地，所述反光挡墙包括：透光挡墙；覆盖所述透光挡墙的反光层，所述反光层对蓝光的反射率大于预设阈值。进一步地，所述反光层包括至少一个第一折射薄膜和至少一个第二折射薄膜，所述第一折射薄膜和所述第二折射薄膜交替层叠设置，所述第一折射薄膜和第二折射薄膜的折射率不同，所述第一折射薄膜和所述第二折射薄膜的材料选自TiO2、SiO2、SiNx和SiNO。进一步地，所述第一折射薄膜采用TiO2，所述第二折射薄膜采用SiO2，所述反光层包括：4个第一折射薄膜、3个第二折射薄膜；或5个第一折射薄膜、4个第二折射薄膜；或6个第一折射薄膜、5个第二折射薄膜；或7个第一折射薄膜、6个第二折射薄膜。进一步地，所述量子点发光单元包括能够发出红光的红光量子点发光单元、能够发出绿光的绿光量子点发光单元和能够发出蓝光的蓝光量子点发光单元；或所述量子点发光单元包括能够发出红光的红光量子点发光单元和能够发出绿光的绿光量子点发光单元，所述量子点显示基板还包括用以透射蓝光的透光单元，所述透光单元与相邻的量子点发光单元之间设置有所述反光挡墙。本专利技术实施例还提供了一种量子点显示基板的制作方法，包括形成黑矩阵图形和多个量子点发光单元，所述量子点发光单元位于所述黑矩阵图形限定出的发光区域内，所述制作方法还包括：在相邻量子点发光单元之间形成反光挡墙，所述反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的量子点显示基板。进一步地，所述显示装置还包括：蓝光背光模组；位于所述蓝光背光模组出光侧的液晶面板；所述量子点显示基板位于所述液晶面板背向所述蓝光背光模组的一侧。进一步地，所述显示装置还包括：位于所述液晶面板和所述蓝光背光模组之间的第一偏振片；位于所述液晶面板和所述量子点显示基板之间的第二偏振片，所述第二偏振片的透光轴方向与所述第一偏振片的透光轴方向垂直。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，在相邻量子点发光单元之间设计反光挡墙，反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值，这样可以有效避免量子点发光单元未完全吸收的蓝光射入到相邻的量子点发光单元中，进而避免量子点发光单元未完全吸收的蓝光激发相邻的量子点发光单元发光，能够防止量子点发光单元间误激发引起的混色，同时被反射的蓝光又可以重新进入量子点发光单元，实现蓝光的循环利用，提高发光效率；可大大提高显示装置的色域和对比度。附图说明图1为现有量子点显示基板的示意图；图2为本专利技术实施例量子点显示基板的示意图；图3为本专利技术实施例不同层数的反光层的透光率曲线示意图。图4为本专利技术实施例形成透光挡墙后的示意图；图5为本专利技术实施例形成反光层后的示意图；图6为本专利技术实施例显示装置的示意图；附图标记1黑矩阵图形2红光量子点发光单元3绿光量子点发光单元4透光单元5透光挡墙6反光层7金属线栅偏振片8液晶面板9蓝光背光模组S1包括7层折射薄膜的反光层的透光率曲线S2包括9层折射薄膜的反光层的透光率曲线S3包括11层折射薄膜的反光层的透光率曲线S4包括13层折射薄膜的反光层的透光率曲线具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。图1为现有量子点显示基板的示意图，如图1所示，现有的量子点显示基板包括位于衬底基板上的黑矩阵图形1和多个量子点发光单元(包括红光量子点发光单元2和绿光量子点发光单元3)，量子点发光单元位于黑矩阵图形1限定出的发光区域内，在受到蓝光激光时，量子点发光单元能够发出不同颜色的单色光，量子点显示基板还包括透光单元4，用于透射蓝光。如图1所示，在透光单元4点亮时，透光单元4透射的蓝光会同时到达相邻的红光量子点发光单元2和绿光量子点发光单元3，激发相邻的红光量子点发光单元2和绿光量子点发光单元3发光；或者，在红光量子点发光单元2或绿光量子点发光单元3点亮时，由于红光量子点发光单元2和绿光量子点发光单元3对蓝光的吸收率难以达到100％，因此，会有少量未被吸收的蓝光进入到相邻像素，激发相邻的量子点发光单元发光，造成混色以及串色。为了解决上述问题，本专利技术的实施例提供一种量子点显示基板及其制作方法、显示装置，能够防止量子点发光单元间误激发引起的混色，可大大提高显示装置的色域和对比度。本专利技术实施例提供一种量子点显示基板，包括黑矩阵图形和多个量子点发光单元，所述量子点发光单元位于所述黑矩阵图形限定出的发光区域内，所述量子点显示基板还包括：位于相邻量子点发光单元之间的反光挡墙，所述反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值。本实施例中，在相邻量子点发光单元之间设计反光挡墙，反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值，这样可以有效避免量子点发光单元未完全吸收的蓝光射入到相邻的量子点发光单元中，进而避免量子点发光单元未完全吸收的蓝光激发相邻的量子点发光单元发光，能够防止量子点发光单元间误激发引起的混色，可大大提高显示装置的色域和对比度。其中，反光挡墙是对蓝光进行反射，而不是对蓝光进行吸收。这样未被量子点发光单元完全吸收的蓝光照射到反光挡墙上后，会被反光挡墙反射回量子点发光单元，继续激发量子点发光单元发光，能够提高对蓝光的利用率。由于量子点发光单元仅会在蓝光的激发下发光，因此，反光挡墙仅需要对蓝光进行反射，而不需要对其他波长的光进行反射。当然，反光挡墙也可以对其他波长的光也进行反射。具体地，所述预设阈值为80％，即反光挡墙对蓝光的反射率大于80％，，这样可以将照射到反光挡墙上的大部分蓝光反射回量子点发光单元，继续激发量子点发光单元发光，大大提高对蓝光的利用率。反光挡墙的高度越大，则反射的蓝光越多，优选地，所述反光挡墙的高度不小于所述量子点发光单元的高度。但反光挡墙的高度也不宜设置的过大，因为反光挡墙的高度越高，量子点显示基板的成本也随之越高。具体地，可以将反光挡墙的高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点显示基板，包括黑矩阵图形和多个量子点发光单元，所述量子点发光单元位于所述黑矩阵图形限定出的发光区域内，其特征在于，所述量子点显示基板还包括：位于相邻量子点发光单元之间的反光挡墙，所述反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值。

【技术特征摘要】
1.一种量子点显示基板，包括黑矩阵图形和多个量子点发光单元，所述量子点发光单元位于所述黑矩阵图形限定出的发光区域内，其特征在于，所述量子点显示基板还包括：位于相邻量子点发光单元之间的反光挡墙，所述反光挡墙对蓝光的反射率大于预设阈值。2.根据权利要求1所述的量子点显示基板，其特征在于，所述预设阈值为80％。3.根据权利要求1所述的量子点显示基板，其特征在于，所述反光挡墙的高度不小于所述量子点发光单元的高度。4.根据权利要求1所述的量子点显示基板，其特征在于，所述反光挡墙包括：透光挡墙；覆盖所述透光挡墙的反光层，所述反光层对蓝光的反射率大于预设阈值。5.根据权利要求4所述的量子点显示基板，其特征在于，所述反光层包括至少一个第一折射薄膜和至少一个第二折射薄膜，所述第一折射薄膜和所述第二折射薄膜交替层叠设置，所述第一折射薄膜和第二折射薄膜的折射率不同，所述第一折射薄膜和所述第二折射薄膜的材料选自TiO2、SiO2、SiNx和SiNO。6.根据权利要求5所述的量子点显示基板，其特征在于，所述第一折射薄膜采用TiO2，所述第二折射薄膜采用SiO2，所述反光层包括：4个第一折射薄膜、3个第二折射薄膜；或5个第一折射薄膜、4个第二折射薄膜；或6个第一折射薄膜、5个第二折射薄膜；或7个第一折射薄膜、6个...

【专利技术属性】
技术研发人员：石戈，张世玉，祝明，牛海军，刘玉杰，方正，王宇瑶，陈小川，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11