测试基板及延长测试基板使用寿命的方法技术

本发明专利技术提供一种测试基板，用于在干刻蚀制程中被进行刻蚀模拟，测试基板包括：玻璃基板，以及制备于玻璃基板表面的刻蚀层，刻蚀层用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于玻璃基板表面；有益效果为：本发明专利技术提供的测试基板，在基板表面制备刻蚀层，用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于基板表面，保护基板表面不被雾化，进而延长基板使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
测试基板及延长测试基板使用寿命的方法
本专利技术涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种测试基板，以及延长测试基板在干刻蚀制程中的使用寿命的方法。
技术介绍
干法刻蚀工艺可分为物理性刻蚀与化学性刻蚀两种方式。物理性刻蚀是利用辉光放电将气体(如氩)电离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，溅击在被刻蚀物的表面而将被刻蚀物的原子击出，该过程完全是物理上的能量转移，故称为物理性刻蚀。化学性刻蚀或称为等离子体刻蚀，是利用等离子体将刻蚀气体电离并形成带电离子、分子及反应性很强的原子团，它们扩散到被刻蚀薄膜表面后与被刻蚀薄膜的表面原子反应生成具有挥发性的反应产物，并被真空设备抽离反应腔。因这种反应完全利用化学反应，故称为化学性刻蚀。最为广泛使用的方法是结合物理性的离子轰击与化学反应的反应离子刻蚀。干刻蚀机台设备在复机及新recipe(程序)导入前需要用Dummy(虚拟)基板确认腔室状态，Dummy基板为表面未镀任何膜层的素玻璃基板，在等离子体的作用下，Dummy基板用几次后表面会产生雾化现象，当Dummy基板表面产生雾化，设备内的传感器感应不到Dummy基板而导致机械手取不到基板，导致该基板无法再次使用，造成浪费。综上所述，现有技术的干刻蚀制程中使用的Dummy基板，多次使用后表面雾化而无法继续使用，从而造成资源浪费。
技术实现思路
本专利技术提供一种测试基板，表面制备有阻挡刻蚀的膜层，以阻挡刻蚀力作用于基板表面导致基板表面雾化，以解决现有技术的干刻蚀制程中使用的Dummy基板，多次使用后表面雾化而无法继续使用，从而造成资源浪费的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种测试基板，用于在干刻蚀制程中被模拟刻蚀，所述测试基板包括：玻璃基板；以及，刻蚀层，制备于所述玻璃基板表面，用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于所述玻璃基板表面。根据本专利技术一优选实施例，所述刻蚀层采用光阻材料制备。根据本专利技术一优选实施例，所述刻蚀层的膜层厚度至少为根据本专利技术一优选实施例，所述刻蚀层的膜层厚度为为解决上述问题，本专利技术还提供一种干刻蚀制程中延长测试基板使用寿命的方法，所述方法为：在使用干刻蚀设备对测试用玻璃基板表面进行刻蚀之前，在所述玻璃基板表面制备一刻蚀层；其中，所述刻蚀层用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于所述玻璃基板表面。根据本专利技术一优选实施例，所述干刻蚀设备在对所述刻蚀层进行刻蚀时，减少刻蚀气体含量，和/或改用对所述刻蚀层损伤强度小的刻蚀气体。根据本专利技术一优选实施例，所述刻蚀层采用光阻材料制备，其中，制备所述刻蚀层的方法包括：S10，在所述玻璃基板表面涂布光刻胶；S20，对所述光刻胶进行烘烤以固化形成所述刻蚀层。根据本专利技术一优选实施例，所述刻蚀层的膜层厚度至少为根据本专利技术一优选实施例，当所述刻蚀层经多次刻蚀后至膜层厚度小于时，将所述刻蚀层完全去除，并在所述玻璃基板表面重新制备所述刻蚀层。根据本专利技术一优选实施例，固化后的所述刻蚀层的厚度为本专利技术的有益效果为：与现有技术相比，本专利技术提供的测试基板，在基板表面制备刻蚀层，用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于基板表面，保护基板表面不被雾化，进而延长基板使用寿命。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的测试基板结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本专利技术针对现有技术的干刻蚀制程中测试用基板，多次使用后表面雾化而无法继续使用，从而造成资源浪费的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。如图1所示，本专利技术提供了一种测试基板，刻蚀设备在复机或新刻蚀程序导入之后，需要使用所述测试基板进行刻蚀测试，之后对所述测试基板表面形成的图案进行检测，当刻蚀图案达标后，才会采用镀膜后的基板进行制备。为了避免所述测试基板经过千百次的刻蚀之后，表面因刻蚀损伤导致雾化现象，在所述测试基板表面设置能够被刻蚀形成图案的膜层，且该膜层能够阻挡刻蚀气体中被分离的原子轰击至测试基板表面，以避免所述测试基板表面被雾化。例如，所述测试基板包括玻璃基板，以及制备于所述玻璃基板表面的刻蚀层。所述刻蚀层可采用光阻材料制备，采用光阻材料制备的所述刻蚀层，便于形成较大的膜厚，且方便去除，当所述刻蚀层的膜厚被刻蚀至低于一定厚度后，继续使用可能无法再对所述玻璃基板表面进行保护，此时，可使用清洗设备将所述玻璃基板表面的刻蚀层洗净，然后重新在所述玻璃基板表面制备厚度能够保护所述玻璃基板的所述刻蚀层，如此循环可延长所述玻璃基板的使用寿命。所述刻蚀层的最小膜层厚度设置为低于该膜层厚度的所述刻蚀层，可能会被离子体穿透，进而造成所述玻璃基板受损；例如，将所述刻蚀层的膜层厚度设置为优选的，所述刻蚀层的膜层厚度设置为设置较厚的所述刻蚀层，以充分保护所述玻璃基板，同时，延长所述刻蚀层被刻蚀至极限厚度的时间，避免所述刻蚀层被频繁更换。在阵列基板制程刻蚀工艺中，按材料分，主要可分为非金属和金属刻蚀。非金属刻蚀有Si(硅)类刻蚀，其刻蚀气体可选用的有SF6(六氟化硫气体)及CFx(聚合物气体)系，一般在LCD(液晶显示面板)制程选用SF6，因为其解离之F(氟)自由基较多，反应速率较快，且制程较为洁净；CFx系由于在反应过程中，容易有CH(碳氢)化合物产生，较少被选用，但CFx系可通入O2(氧气)，通过改变F/C(氟/碳)比例及O与C的结合，减少CFx与F的再结合，增加F自由基来加快刻蚀速率，并可调整Si/Oxide(氧化物)之选择比，制程控制的弹性较SF6要高。金属刻蚀则以Al(铝)刻蚀为主，一般采用Cl2(氯气)作为刻蚀气体，可得到各向同性的化学性刻蚀效果。使用CFx系气体对目标膜层进行刻蚀时，在CFx系气体通入一定含量的O2，可使目标膜层的被刻蚀速率增加，在本专利技术实施例中，可使用单纯CFx系气体对所述刻蚀层进行刻蚀，或者减少CFx系气体中通入的O2含量，以减少对所述刻蚀层的刻蚀速率。在干刻蚀工艺中，影响刻蚀速率的因素还包括：对RF功率、工艺压力以及气体流量的控制；RF(射频)功率是指RF对工艺腔体内等离子体输入的功率；工艺压力是指对工艺腔体内的压力控制，压力越小，气体分子的密度越小，等离子体的物理刻蚀性就越强，反之越弱；在工艺腔体内，气体流量越大，意味着在单位时间内参与刻蚀的刻蚀剂越多，那么刻蚀速率越大。因此，可结合对对RF功率、工艺压力以及气体流量的控制，减小刻蚀设备对所述刻蚀层的刻蚀速率，减缓所述刻蚀层的厚度削减速度，减小所述玻璃基板表面的所述刻蚀层的更换频率。为解决上述问题，本专利技术还提供一种干刻蚀制程中延长测试基板使用寿命的方法，所述方法为：在使用干刻蚀设备对测试用玻璃基板表面进行刻蚀之前，在所述玻璃本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试基板，用于在干刻蚀制程中被进行刻蚀模拟，其特征在于，所述测试基板包括：玻璃基板；以及，刻蚀层，制备于所述玻璃基板表面，用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于所述玻璃基板表面。

【技术特征摘要】
1.一种测试基板，用于在干刻蚀制程中被进行刻蚀模拟，其特征在于，所述测试基板包括：玻璃基板；以及，刻蚀层，制备于所述玻璃基板表面，用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于所述玻璃基板表面。2.根据权利要求1所述的测试基板，其特征在于，所述刻蚀层采用光阻材料制备。3.根据权利要求2所述的测试基板，其特征在于，所述刻蚀层的膜层厚度至少为4.根据权利要求3所述的测试基板，其特征在于，所述刻蚀层的膜层厚度为5.干刻蚀制程中延长测试基板使用寿命的方法，其特征在于，所述方法为：在使用干刻蚀设备对测试用玻璃基板表面进行刻蚀之前，在所述玻璃基板表面制备一刻蚀层；其中，所述刻蚀层用于被干刻设备刻蚀形成图案，且阻挡刻蚀力作用于所述玻璃...

【专利技术属性】
技术研发人员：张正洋，张越强，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44