存储器的读取电路制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种存储器的读取电路，所述读取电路包括数据存储单元电路和参考电路，所述数据存储电路包括多个数据存储单元，所述参考电路包括n个参考单元组，n为正整数；每一个所述参考单元组包括m个参考单元，m为正整数；n个所述参考单元组串联连接；m个所述参考单元并联连接。本发明专利技术实施例提供的技术方案，将读取电路中的参考电路设置成参考单元的串并联电路，大大减小了参考单元的电阻的分布偏差，提高了读出裕量，可以快速且准确对数据存储单元的数据存储状态进行读取。

【技术实现步骤摘要】
存储器的读取电路
本专利技术实施例涉及存储器领域，尤其涉及一种存储器的读取电路。
技术介绍
对存储器的常规操作包括读、写和擦除操作。其中对于存储器的读操作需要通过读取电路完成。通过对读取电路中的数据存储单元和参考单元的电流或者电压信号进行比对，可以得出存储器中数据存储单元的存储状态。存储器的读取电路中的参考电路的参考单元的电阻服从正太分布，目前存储器的读取电路中的参考电路的参考单元的电阻的分布偏差较大，导致读取结果较慢且不是很准确。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种存储器的读取电路，大大减小了参考单元的电阻的分布偏差，提高了读出裕量，可以快速且准确对数据存储单元的数据存储状态进行读取。本专利技术实施例提供了一种存储器的读取电路，所述读取电路包括数据存储单元电路和参考电路，所述数据存储电路包括多个数据存储单元，包括：所述参考电路包括n个参考单元组，n为正整数；每一个所述参考单元组包括m个参考单元，m为正整数；n个所述参考单元组串联连接；m个所述参考单元并联连接。可选的，所述数据存储单元包括阻变存储单元。可选的，所述参考单元的阻值的取值为所述数据存储单元的高阻态阻值；或者，所述参考单元的阻值的取值为所述数据存储单元的低阻态阻值。可选的，所述参考电路还包括多个间隔排列的第一电极和多个间隔排列的第二电极，所述第一电极包括第一子电极和第二子电极，所述第二电极包括第三子电极和第四子电极，相邻两个所述第一电极中，前一个所述第一电极的第二子电极和后一个所述第一电极中的第一子电极与一个所述第二电极相对设置，相邻两个所述第二电极中，前一个所述第二电极的第四子电极和后一个所述第二电极中的第三子电极与一个所述第一电极相对设置；其中，所述第二子电极与所述第三子电极相对设置，所述第一子电极与所述第四子电极相对设置；同一个所述参考单元组的参考单元的第一端与同一个所述第一电极电连接，且一个所述参考单元组的参考单元的第二端与同一个所述第二电极电连接；第奇数个所述参考单元组的参考单元的第一端与所述第二子电极电连接，第奇数个所述参考单元组的参考单元的第二端与所述第三子电极电连接；第偶数个所述参考单元组的参考单元的第一端与所述第一子电极电连接，第偶数个所述参考单元组的参考单元的第二端与所述第四子电极电连接；当n为偶数时，首个所述第一电极与位线电连接，最后一个所述第一电极接地；当n为奇数时，首个所述第一电极与位线电连接，最后一个所述第二电极接地。可选的，每个参考单元所需的物理宽度为单位宽度，n与m的乘积个参考单元所需的物理宽度等于n与m的乘积个单位宽度之和，n与m的乘积个参考单元所需的物理宽度等于位线的长度。可选的，所述参考电路的等效电阻大于或等于多个所述数据存储单元处于低阻态时阻值最高的低阻态阻值，且小于或等于多个所述数据存储单元处于高阻态时阻值最低的高阻态阻值。可选的，所述参考电路的等效电阻等于多个所述数据存储单元处于低阻态时阻值最高的低阻态阻值和多个所述数据存储单元处于高阻态时阻值最低的高阻态阻值的平均值。可选的，所述参考电路还包括第一MOS管和比较器；所述第一MOS管的第一端与比较器的第一信号输入端电连接，所述第一MOS管的第二端与所述位线电连接，所述第一MOS管的控制端用于接入字线的电信号。可选的，所述数据存储电路还包括第二MOS管；所述第二MOS管的第一端与所述比较器的第二输入端电连接，所述第二MOS管的第二端与所述位线电连接，所述第二MOS管的控制端用于接入所述字线的电信号，多个所述数据存储单元的第一公共输出端与所述位线电连接，多个所述数据存储单元的第二公共输出端接地。可选的，所述比较器包括电流比较器或者电压比较器。本专利技术实施例提供了一种存储器的读取电路，将读取电路中的参考电路设置成参考单元的串并联电路，大大减小了参考单元的电阻的分布偏差，提高了读出裕量，可以快速且准确对数据存储单元的数据存储状态进行读取。附图说明通过阅读参照以下附图说明所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将变得更明显。图1为本专利技术实施例提供的一种参考电路的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种读取电路的参考单元的电阻的统计分布图和数据存储单元的电阻的统计分布图；图3为本专利技术实施例提供的又一种参考电路的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的又一种参考电路的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的又一种参考电路的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种读取电路的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1为本专利技术实施例提供的一种参考电路的结构示意图。本专利技术实施例提供了一种存储器的读取电路，读取电路包括数据存储单元电路和参考电路，数据存储电路包括多个数据存储单元，参见图1，参考电路包括n个参考单元组，n为正整数；每一个参考单元组包括m个参考单元，m为正整数；n个参考单元组串联连接；m个参考单元并联连接。在本实施例的读取电路中，参见图2，参考电路的参考单元电阻和数据存储单元的阻值服从的分布为正太分布，见曲线1、2和3，正态分布(Normaldistribution)，也称“常态分布”，又名高斯分布(Gaussiandistribution)。横坐标为电阻(R)，纵坐标为相应横坐标对应的概率F(R)。数据存储单元处于低阻态的阻值见曲线2，服从正太分布，数据存储单元处于高阻态的阻值见曲线3，同样服从正太分布。参考电路的参考单元电阻的阻值服从的分布为正太分布，见曲线1，且曲线1的分布偏差越小，读取电路的读出裕量越大，表现为读取的结果越接近真实结果，而且读取的时间较短。在本实施例中，假定一个参考单元的电阻的阻值为R，每一个参考单元组的等效电阻为那么参考电路的等效电阻为现有技术中存储器的参考电路，一般采用分立的参考单元来组成参考电路，其参考单元的统计分布方差较大，曲线的分布偏差较大，读取电路的读出裕量越小，表现为读取的结果偏离真实结果，而且读取的时间较长。本专利技术实施例提供了一种存储器的读取电路，将读取电路中的参考电路设置成参考单元的串并联电路，大大减小了参考单元的电阻的分布偏差，提高了读取电路的读出裕量，可以快速且准确对数据存储单元的数据存储状态进行读取。可选的，在上述技术方案的基础上，数据存储单元包括阻变存储单元。在本实施例中，阻变存储单元是一种新型的不挥发存储单元，在电脉冲信号下进行高阻态和低阻态之间可逆的转换。一个阻变存储单元可用于存储一比特二进制数据信息。由于制作工艺的偏差，导致阻变存储单元的高阻态阻值和低阻态阻值偏离目标高阻态阻值和目标低阻态阻值。同时，可选的，参考单元包括阻变存储单元。参考单元的阻值也会偏离目标值。这就导致了读出裕量的降低，表现为读取的结果偏离真实结果，而且读取的时间过长。因而采用上述技术方案中的参考电路，大大减小了参考单元的电阻的分布偏差，提高了读取电路的读出裕量，可以快速且准确对数据存储单元的数据存储状态进行读取。可选的，参考单元的阻值的取值为数据存储单元的高阻态阻值；或者，参考单元的阻值的取值为数据存储单元的低阻态阻值本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器的读取电路，所述读取电路包括数据存储单元电路和参考电路，所述数据存储电路包括多个数据存储单元，其特征在于，包括：所述参考电路包括n个参考单元组，n为正整数；每一个所述参考单元组包括m个参考单元，m为正整数；n个所述参考单元组串联连接；m个所述参考单元并联连接。

【技术特征摘要】
1.一种存储器的读取电路，所述读取电路包括数据存储单元电路和参考电路，所述数据存储电路包括多个数据存储单元，其特征在于，包括：所述参考电路包括n个参考单元组，n为正整数；每一个所述参考单元组包括m个参考单元，m为正整数；n个所述参考单元组串联连接；m个所述参考单元并联连接。2.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述数据存储单元包括阻变存储单元。3.根据权利要求2所述的读取电路，其特征在于，所述参考单元的阻值的取值为所述数据存储单元的高阻态阻值；或者，所述参考单元的阻值的取值为所述数据存储单元的低阻态阻值。4.根据权利要求2所述的读取电路，其特征在于，所述参考电路还包括多个间隔排列的第一电极和多个间隔排列的第二电极，所述第一电极包括第一子电极和第二子电极，所述第二电极包括第三子电极和第四子电极，相邻两个所述第一电极中，前一个所述第一电极的第二子电极和后一个所述第一电极中的第一子电极与一个所述第二电极相对设置，相邻两个所述第二电极中，前一个所述第二电极的第四子电极和后一个所述第二电极中的第三子电极与一个所述第一电极相对设置；其中，所述第二子电极与所述第三子电极相对设置，所述第一子电极与所述第四子电极相对设置；同一个所述参考单元组的参考单元的第一端与同一个所述第一电极电连接，且一个所述参考单元组的参考单元的第二端与同一个所述第二电极电连接；第奇数个所述参考单元组的参考单元的第一端与所述第二子电极电连接，第奇数个所述参考单元组的参考单元的第二端与所述第三子电极电连接；第偶数个所述参考单元组的参考单元的第一端与所述第一子电极电连接，第偶数个...

【专利技术属性】
技术研发人员：王梅玉，
申请(专利权)人：王梅玉，
类型：发明
国别省市：内蒙古,15