标准单元库电路设计方法技术

本发明专利技术公开了一种标准单元库电路设计方法，包括步骤：步骤一、选择一个已有工艺对应的标准单元库作为模板；步骤二、对模板中的所有单元进行分级；步骤三、根据分级结果修改模板中所有单元的晶体管的名字；步骤四、给出整个新工艺的标准单元库的所有晶体管所需的参数赋值列表；步骤五、根据参数赋值列表和驱动数对各级的晶体管进行参数赋值，形成新工艺对应的标准单元库。本发明专利技术能实现标准单元库电路的自动化设计，能提高工作效率以及降低错误率。

【技术实现步骤摘要】
标准单元库电路设计方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别设计一种标准单元库电路设计方法。
技术介绍
在半导体集成电路制造领域中，每一种工艺都需要有一套对应的标准单元库，在进行流片之前需要采用标准单元库中的标准单元进行自动逻辑综合和版图布局布线。现有方法中，标准单元库的建立都是基于人手工进行电路搭建和参数修改，然而标准单元库中单元数量众多，单元数量少则三四百，多则六七百，有的库为了全面可能会需要更多的单元。由于标准单元库中单元有很大重复性，改管子参数的动作也是机械的，人为手工的画每个电路图以及修改参数，其实等于花很多时间做重复、机械的事情，这样效率非常低下，而且人为修改参数很容易出错。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种标准单元库电路设计方法，能实现标准单元库电路的自动化设计，能提高工作效率以及降低错误率。为解决上述技术问题，本专利技术提供的标准单元库电路设计方法包括如下步骤：步骤一、选择一个已有工艺对应的标准单元库作为模板。步骤二、对所述模板中的所有单元进行分级。步骤三、根据分级结果修改所述模板中所有单元的晶体管的名字。步骤四、给出整个新工艺的标准单元库的所有晶体管所需的参数赋值列表。步骤五、根据所述参数赋值列表和驱动数对各级的晶体管进行参数赋值，形成新工艺对应的标准单元库。进一步的改进是，步骤二中从各所述单元的输出级到输入级进行分级。进一步的改进是，各所述单元中最多的级数为5级。进一步的改进是，所述单元包括反相器，缓冲器，与门，与非门，或门，或非门，与或门，与或非，或与，或与否，异或非，加法器，选择器，锁存器，触发器，时钟门控。进一步的改进是，步骤三中对所述晶体管进行命名的方法为：第一级的晶体管用IA表示，第二级的晶体管用IB表示,第三级的晶体管用IC表示,第四级的晶体管用ID表示,特殊级的晶体管用IM表示。所述特殊级为仅存在于具有锁存结构的锁存器和触发器中的用来提供反馈环路的一级。也即和第一级至第四级为输出级到输入级之间的依次连续的结构不同，特殊级对应于反馈环路，故单独用特殊级表示；第一级至第四级，加特殊级一起共为5级。进一步的改进是，第一级的晶体管分为PMOS管和NMOS管，第一级的PMOS管用IA加对应的奇数角标表示，第一级的NMOS管用IA加对应的偶数角标表示。第二级的晶体管分为PMOS管和NMOS管，第二级的PMOS管用IB加对应的奇数角标表示，第二级的NMOS管用IB加对应的偶数角标表示。第三级的晶体管分为PMOS管和NMOS管，第三级的PMOS管用IC加对应的奇数角标表示，第三级的NMOS管用IC加对应的偶数角标表示。第四级的晶体管分为PMOS管和NMOS管，第四级的PMOS管用ID加对应的奇数角标表示，第四级的NMOS管用ID加对应的偶数角标表示。特殊级的晶体管对应的PMOS管和NMOS管都采用相同的IM表示。进一步的改进是，步骤四中的所述参数复杂列表包括：NMOS管对应的四个沟道宽度值，分别用wn0，wn1，wnx和wny表示。PMOS管对应的四个沟道宽度值，分别用wp0，wp1，wpx和wpy表示。所有晶体管对应的沟道宽度的全局值，用wy表示。所有晶体管对应的沟道长度的全局值，用lx表示。进一步的改进是，步骤五中采用skill语言对各级的晶体管进行参数赋值。进一步的改进是，步骤五中根据参数赋值结果同时在脚本中对所用到的工艺设计开发工具包(processdesignkit，pdk)进行修改。进一步的改进是，所述驱动数包括0,1,2,3,4,5,6,8,12,16,20。进一步的改进是，所有晶体管的沟道长度赋值为lx。进一步的改进是，步骤五中名字为IM的晶体管的沟道宽度赋值为wy。进一步的改进是，步骤五中，第一级晶体管的宽度参数赋值方法为：NMOS管的沟道宽度值在驱动数为0时赋值为wn0，在驱动数非0时赋值为驱动数乘以wn1；PMOS管的沟道宽度值在驱动数为0时赋值为wp0，在驱动数非0时赋值为驱动数乘以wp1。进一步的改进是，步骤五中，第二级晶体管和第三级晶体管的宽度参数赋值方法为：NMOS管的沟道宽度值根据单元所包括的级数和驱动数在wn0、wn1、wnx和wny中选择一个值乘以对应的系数得到；PMOS管的沟道宽度值根据单元所包括的级数和驱动数在wp0、wp1、wpx和wpy中选择一个值乘以对应的系数得到。进一步的改进是，步骤五中，第四级晶体管的宽度参数赋值方法为：NMOS管的沟道宽度值根据驱动数选择wnx和wny中的一个得到；PMOS管的沟道宽度值根据驱动数选择wpx和wpy中的一个得到。本专利技术通过已有工艺对应的标准单元库作为模板，在模板的基础上对模板中的单元进行分级并根据分级结果对所有晶体管进行命名，之后再结合晶体管的名称和新工艺对应的晶体管所需的参数赋值列表，能够实现对各晶体管的参数进行自动赋值，所有本专利技术能实现标准单元库电路的自动化设计，能提高工作效率以及降低错误率。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是本专利技术实施例标准单元库电路设计方法的流程图。具体实施方式如图1所示，是本专利技术实施例标准单元库电路设计方法的流程图，本专利技术实施例标准单元库电路设计方法包括如下步骤：步骤一、选择一个已有工艺对应的标准单元库作为模板。步骤二、对所述模板中的所有单元进行分级。从各所述单元的输出级到输入级进行分级。各所述单元中最多的级数为5级。所述单元包括反相器，缓冲器，与门，与非门，或门，或非门，与或门，与或非，或与，或与否，异或非，加法器，选择器，锁存器，触发器，时钟门控。分级的方法为：输出级为第一级，电路往里深入一级为第二级，以此类推，本专利技术实施例中最多分为五级。例如：反相器：只有一级即输出级。与门：具有两级，分别为：输出级为第一级，输入级为第二级。触发器：具有五级，分别为：输出级为第一级，中间有两级，输入级为第四级，另外还有一级特殊级，共五级。步骤三、根据分级结果修改所述模板中所有单元的晶体管的名字。对所述晶体管进行命名的方法为：第一级的晶体管用IA表示，第二级的晶体管用IB表示,第三级的晶体管用IC表示,第四级的晶体管用ID表示,特殊级的晶体管用IM表示。第一级的晶体管分为PMOS管和NMOS管，第一级的PMOS管用IA加对应的奇数角标表示，例如：IA1,IA3,IA5,IA7等；第一级的NMOS管用IA加对应的偶数角标表示，例如：IA2,IA4,IA6,IA8等。第二级的晶体管分为PMOS管和NMOS管，第二级的PMOS管用IB加对应的奇数角标表示，例如：IB1,IB3,IB5,IB7等；第二级的NMOS管用IB加对应的偶数角标表示，例如：IB2,IB4,IB6,IB8等第三级的晶体管分为PMOS管和NMOS管，第三级的PMOS管用IC加对应的奇数角标表示，例如：IC1,IC3,IC5,IC7等；第三级的NMOS管用IC加对应的偶数角标表示，例如：IC2,IC4,IC6,IC8等。第四级的晶体管分为PMOS管和NMOS管，第四级的PMOS管用ID加对应的奇数角标表示，例如：ID1,ID3,ID5,ID7等；第四级的NMOS管用ID加对应的偶数角标表示，例如：ID2,ID4,ID6,ID8等。特殊级的晶体管对应的PMOS管和NMO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种标准单元库电路设计方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、选择一个已有工艺对应的标准单元库作为模板；步骤二、对所述模板中的所有单元进行分级；步骤三、根据分级结果修改所述模板中所有单元的晶体管的名字；步骤四、给出整个新工艺的标准单元库的所有晶体管所需的参数赋值列表；步骤五、根据所述参数赋值列表和驱动数对各级的晶体管进行参数赋值，形成新工艺对应的标准单元库。

【技术特征摘要】
1.一种标准单元库电路设计方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、选择一个已有工艺对应的标准单元库作为模板；步骤二、对所述模板中的所有单元进行分级；步骤三、根据分级结果修改所述模板中所有单元的晶体管的名字；步骤四、给出整个新工艺的标准单元库的所有晶体管所需的参数赋值列表；步骤五、根据所述参数赋值列表和驱动数对各级的晶体管进行参数赋值，形成新工艺对应的标准单元库。2.如权利要求1所述的标准单元库电路设计方法，其特征在于：步骤二中从各所述单元的输出级到输入级进行分级。3.如权利要求2所述的标准单元库电路设计方法，其特征在于：各所述单元中最多的级数为5级。4.如权利要求2所述的标准单元库电路设计方法，其特征在于：所述单元包括反相器，缓冲器，与门，与非门，或门，或非门，与或门，与或非，或与，或与否，异或非，加法器，选择器，锁存器，触发器，时钟门控。5.如权利要求3所述的标准单元库电路设计方法，其特征在于：步骤三中对所述晶体管进行命名的方法为：第一级的晶体管用IA表示，第二级的晶体管用IB表示,第三级的晶体管用IC表示,第四级的晶体管用ID表示,特殊级的晶体管用IM表示；所述特殊级为仅存在于具有锁存结构的锁存器和触发器中的用来提供反馈环路的一级。6.如权利要求5所述的标准单元库电路设计方法，其特征在于：第一级的晶体管分为PMOS管和NMOS管，第一级的PMOS管用IA加对应的奇数角标表示，第一级的NMOS管用IA加对应的偶数角标表示；第二级的晶体管分为PMOS管和NMOS管，第二级的PMOS管用IB加对应的奇数角标表示，第二级的NMOS管用IB加对应的偶数角标表示；第三级的晶体管分为PMOS管和NMOS管，第三级的PMOS管用IC加对应的奇数角标表示，第三级的NMOS管用IC加对应的偶数角标表示；第四级的晶体管分为PMOS管和NMOS管，第四级的PMOS管用ID加对应的奇数角标表示，第四级的NMOS管用ID加对应的偶数角标表示；特殊级的晶体管对应的PMOS管和NMOS管都采用相同的IM表示。7.如权利要求6所述的标准...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋建伟，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31